PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

GD25Q16E（16M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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￥3.45
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型号：W25X40CLSSIG-TR 编号：C164122

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25X40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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￥2.8017 ￥2.83

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型号：AT45DB161E-SHD-T 编号：C64021

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

16-Mbit(2M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 3.6V

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￥9.08
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型号：AT45DB321E-SHF-T 编号：C60544

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

32-Mbit(4M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V

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￥10.83
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型号：W25Q64JVXGIQ 编号：C2940195

封装：XSON-8-EP(4x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥11.42
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型号：W25Q128JVPIM TR 编号：C2441427

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

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￥14.15
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型号：XT26G01CWSIGA 编号：C2833378

封装：WSON-8(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G01C是一款1G-bit SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。该存储器具有高级写保护机制，适用于高可靠性应用。它支持单级单元(SLC)技术，页编程时间为450μs，块擦除时间为4ms，读取速度高达104MHz。

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￥33.54
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￥23.56
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型号：GD5F1GQ5UEYIGR 编号：C2829047

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GigaDevice GD5F1GQ5UEYIGR是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双线、四线SPI和DTR模式。它具有高级安全特性，包括8K字节OTP区域和内部ECC。页面大小为2048字节+128字节，典型编程时间为400us，典型擦除时间为3ms。工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至85°C。

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￥33.55
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￥20.98
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￥19.86
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型号：MT41K128M16JT-125:k 编号：C36513

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

2-Gbit(128M × 16bit)，工作电压：1.35V

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￥47.22
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￥42.53
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￥32

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型号：MT25QU512ABB1EW9-0SIT 编号：C2060949

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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￥79.21
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￥75.39
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￥68.78
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￥63

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型号：K4A4G165WF-BCTD 编号：C2803249

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥128.11
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￥124.09
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型号：MKDN256GCL-ZA 编号：C2913169

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，采用LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商业级应用。Nano SD NAND 包含NAND闪存和高性能控制器，支持SD3.0接口，工作电压为3.3V。

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￥162.925 ￥171.5
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￥148.6655 ￥156.49

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJ 编号：C2842431

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥440.44
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型号：AT24C16 编号：C7507361

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款EEPROM元器件采用I2C接口，提供16Kbit存储容量，适应400kHz至1MHz的时钟频率。其工作电压范围为1.8V至5.5V，确保了良好的兼容性和稳定性。适用于多种设备，如通信设备、医疗设备，满足数据存储与管理的需求。

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￥0.4546
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￥0.3639
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￥0.2363
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型号：BL24C64A-PARC 编号：C89291

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C64A 是一款64Kbits (8Kbytes)的串行低功耗、低电压EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，可实现部分页写入。提供多种封装形式，包括8-lead PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。

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￥0.5924
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￥0.4195
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￥0.3762
2500+
￥0.3416
5000+
￥0.3243

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型号：FM24C16D-SO-T-G 编号：C285241

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C16D是一款16K位2线串行EEPROM，具有128位唯一ID和16字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为40年。

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￥0.6106
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￥0.4241
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￥0.3216

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型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

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5+
￥1.9331
50+
￥1.5063
150+
￥1.3233
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￥1.095
3000+
￥0.9462
6000+
￥0.8852

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型号：24AA02T-I/OT 编号：C478090

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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￥2.0128
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￥1.5642
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￥1.372
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￥1.1321
3000+
￥1.0253

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型号：ZD25WQ32CEIGR 编号：C5258281

封装：USON-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,32Mbit,1.65~3.6V,USON2x3x0.45mm，Tape&Reel

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￥2.2682
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￥1.7965
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￥1.5944
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￥1.2673
3000+
￥1.1549
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￥1.0876

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型号：M24256-BFDW6TP 编号：C222109

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

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1+
￥2.47
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￥1.92
30+
￥1.68
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￥1.38
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￥1.25
1000+
￥1.17

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型号：GD25Q80CTIGR 编号：C395464

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

C版本是8寸的晶元，65纳米的工艺

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1+
￥3.37
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￥2.66
30+
￥2.36
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￥1.98
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￥1.82
1000+
￥1.71

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型号：GD25Q32ESIGR 编号：C2832998

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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1+
￥4.34
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￥3.64
30+
￥3.3
100+
￥2.96

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型号：W25X20CLUXIG-TR 编号：C164121

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了远超普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于代码下载应用以及存储语音、文本和数据。器件在2.3V至3.6V单电源下工作，工作电流低至1mA，掉电电流低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由1024个可编程页面组成，每个页面256字节，每次最多可编程256字节。具有64个可擦除扇区、2/4/8个可擦除32KB块和4个可擦除64KB块

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1+
￥4.78
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￥4.01
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￥3.68
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￥3.2274 ￥3.26
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￥2.8908 ￥2.92
1000+
￥2.7819 ￥2.81

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型号：W25Q80DVUXIE 编号：C401667

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q80DV（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥5.16
10+
￥4.32
30+
￥3.9
100+
￥3.48
500+
￥3.02
1000+
￥2.89

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型号：MX25V1635FZUI 编号：C6330274

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。支持唯一ID和安全OTP。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口模式0和模式3。具有16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或64K字节，任何块都可单独擦除。单电源供电，读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护电流为100mA

1+
￥6.69
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￥5.5
30+
￥4.85
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￥4.12
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￥3.79
1000+
￥3.64

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型号：MB85RC64VPNF-G-JNERE1 编号：C8740

封装：SOIC-8-150mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V

数据手册

1+
￥8.32
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￥6.94
30+
￥6.18
100+
￥5.32
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￥4.93
1500+
￥4.76

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型号：W25Q64JWUUIQ 编号：C6604692

封装：USON-8(3x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

1+
￥10.8
10+
￥9.59
30+
￥8.92
100+
￥8.17
500+
￥7.83
1000+
￥7.68

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型号：W25Q64JVZEIQ 编号：C571262

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥11.23
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￥10.04
30+
￥9.39
100+
￥8.65
500+
￥8.32
1000+
￥8.17

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型号：W9812G6KH-6 编号：C62379

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥19.85
10+
￥17.8
30+
￥16.51
108+
￥14.22
540+
￥13.63
864+
￥13.37

有货

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型号：W9864G6KH-6 编号：C62378

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问

数据手册

1+
￥25.12
10+
￥23.19
30+
￥21.98
108+
￥20.08
540+
￥19.53
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￥19.28

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