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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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高侧电源开关阵列(8通道)适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC,它可以由CMOS或TTL逻辑电路(如MPU)直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET(最大1.2 Ω)和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压:40 V。低导通电阻:最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A(每通道))。支持并行操作。低电源电流:最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装(300 mil),带压纹带包装。
数据手册
  • 1+

    ¥15.62
  • 10+

    ¥13.15
  • 30+

    ¥11.6
  • 100+

    ¥10.02
  • 500+

    ¥9.31
  • 有货
  • 光MOSFET与红外LED光耦合,采用4引脚DIP封装。低导通电阻和高允许导通电流,适用于电力线控制应用。
    • 1+

      ¥19.22
    • 10+

      ¥16.29
    • 30+

      ¥14.54
    • 100+

      ¥12.78
    • 500+

      ¥11.97
    • 1500+

      ¥11.6
  • 有货
  • 特性:低正向电压:0.54V(典型值)。 低反向电流:5μA(最大值)。 小封装:SC-70。 重量:0.004g(典型值)
    • 10+

      ¥0.4086
    • 100+

      ¥0.322
    • 300+

      ¥0.2788
    • 3000+

      ¥0.2463
    • 6000+

      ¥0.2204
    • 9000+

      ¥0.2074
  • 有货
  • 磁性传感器
    数据手册
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      ¥0.525
    • 50+

      ¥0.4198
    • 150+

      ¥0.3672
    • 500+

      ¥0.3278
    • 3000+

      ¥0.2962
    • 6000+

      ¥0.2805
  • 有货
  • 特性:高速:在VCC = 5V时,tpd = 7ns(典型值)。 低功耗:在Ta = 25℃时,ICC = 1μA(最大值)。 高抗噪性:VNH = VNL = 28%VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个低功耗肖特基TTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ≡ tpH。 宽工作电压范围:VCC = 2至6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6163
    • 50+

      ¥0.4819
    • 150+

      ¥0.4147
    • 500+

      ¥0.3643
    • 3000+

      ¥0.324
  • 有货
  • 特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 1.5Ω(最大值)(@ VGS = 1.5V)。RDS(ON) = 1.14Ω(最大值)(@ VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 0.85Ω(最大值)(@ VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 0.66Ω(最大值)(@ VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 0.63Ω(最大值)(@ VGS = 5.0V)
    • 5+

      ¥0.7225
    • 50+

      ¥0.628
    • 150+

      ¥0.5875
    • 500+

      ¥0.5369
    • 3000+

      ¥0.5144
    • 6000+

      ¥0.5009
  • 有货
  • 八进制 D 型触发器,带三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,可将 0 至 5.5V 电压施加到输入引脚。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及双电源系统(如备用电池)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9516
    • 50+

      ¥0.8246
    • 150+

      ¥0.7701
    • 500+

      ¥0.7021
    • 2500+

      ¥0.6719
  • 有货
  • 74VHC573FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的、具有三态输出的先进高速 CMOS 八进制锁存器。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。
    • 5+

      ¥1.0934
    • 50+

      ¥0.9674
    • 150+

      ¥0.9134
    • 500+

      ¥0.846
    • 2500+

      ¥0.816
  • 有货
  • 2-输入与门
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2835
    • 50+

      ¥1.006
    • 150+

      ¥0.8871
    • 500+

      ¥0.7057
    • 3000+

      ¥0.6397
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双路双向开关。它由四个独立的高速开关组成,能够控制数字或模拟信号,同时保持CMOS低功耗特性。提供控制输入(C)来控制开关,C输入为高电平时开关导通,为低电平时开关关断。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5047
    • 50+

      ¥1.171
    • 150+

      ¥1.028
    • 500+

      ¥0.8496
    • 3000+

      ¥0.7701
    • 6000+

      ¥0.7225
  • 有货
  • 该电压比较器器件设计为可在宽电压范围内由单电源供电运行。 在±1 V至±18 V的电压范围内,也能保证双电源的正常运行。 VCC至少要比输入共模电压高1.5 V。 输出端可与其他集电极开路输出端相连,以实现线或关系。
    • 5+

      ¥1.6999
    • 50+

      ¥1.3219
    • 150+

      ¥1.1599
    • 500+

      ¥0.9578
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 8.1 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 20.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.51
  • 有货
  • DMOS晶体管阵列有8个电路。每个输出端内置了用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请注意热条件。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.35
    • 10+

      ¥4.27
    • 30+

      ¥3.73
    • 100+

      ¥3.2
    • 500+

      ¥2.88
    • 1000+

      ¥2.72
  • 有货
  • TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.63
    • 10+

      ¥5.44
    • 30+

      ¥4.79
    • 100+

      ¥4.06
    • 500+

      ¥3.73
    • 1500+

      ¥3.59
  • 有货
  • TLP2161由一个高输出红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片耦合而成。它采用SO8封装。单个SO8封装内集成了两个电路,可减小安装面积
    数据手册
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥5.55
    • 30+

      ¥4.88
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      ¥4.12
    • 500+

      ¥3.79
    • 1000+

      ¥3.63
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压(3750 Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.05
    • 10+

      ¥6.6
    • 30+

      ¥5.81
    • 100+

      ¥4.91
    • 500+

      ¥4.51
    • 1000+

      ¥4.33
  • 有货
    • 1+

      ¥9.07
    • 10+

      ¥7.63
    • 50+

      ¥6.6
    • 100+

      ¥5.7
    • 500+

      ¥5.3
    • 1000+

      ¥5.12
  • 有货
  • TCKE8xx系列是18V高输入电压的单输入单输出eFuse集成电路。它可用作可重复使用的保险丝,具备多种保护功能,如通过外部电阻实现可调过流限制、短路保护、过压钳位、通过外部电容实现可调压摆率控制、欠压保护、热关断以及通过外部MOSFET控制电路实现反向电流阻断。导通电阻仅为28mΩ(典型值),高输出电流可达5.0A,宽输入电压工作特性使该系列非常适合用于电源管理应用,如硬盘驱动器的电源电路和电池充电应用。该系列采用0.5mm间距的小型封装WSON10B(3.0mm×3.0mm,厚度:0.7mm(典型值))。因此,该系列非常适合各种需要高密度焊接的应用,如便携式电子产品。
    • 1+

      ¥9.41
    • 10+

      ¥7.72
    • 30+

      ¥6.79
    • 100+

      ¥5.74
    • 500+

      ¥5.27
    • 1000+

      ¥5.06
  • 有货
  • TLP3545A和TLP3545AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用6引脚DIP封装。TLP3545A和TLP3545AF的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用
    数据手册
    • 1+

      ¥26.77
    • 10+

      ¥22.74
    • 30+

      ¥20.35
    • 100+

      ¥17.93
    • 500+

      ¥16.81
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1448
    • 200+

      ¥0.1083
    • 600+

      ¥0.0881
    • 2000+

      ¥0.0759
    • 10000+

      ¥0.0654
    • 20000+

      ¥0.0597
  • 有货
    • 10+

      ¥0.1951
    • 100+

      ¥0.1725
    • 300+

      ¥0.1612
    • 3000+

      ¥0.1323
    • 6000+

      ¥0.1255
    • 9000+

      ¥0.1222
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 qualified。应用:超高速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2179
    • 100+

      ¥0.1699
    • 300+

      ¥0.1458
    • 3000+

      ¥0.1278
    • 6000+

      ¥0.1134
    • 9000+

      ¥0.1062
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。 高电压:VCEO = 120V。 出色的 hFE 线性度:hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 高 hFE:hFE = 200 至 700。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。 与 2SA1587 互补。应用:音频通用放大器应用
    • 10+

      ¥0.2548
    • 100+

      ¥0.2218
    • 300+

      ¥0.2053
    • 3000+

      ¥0.193
    • 6000+

      ¥0.1831
    • 9000+

      ¥0.1781
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@ VGS = 5.0V);RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)。应用:高速开关
    • 10+

      ¥0.3505
    • 100+

      ¥0.2737
    • 300+

      ¥0.2353
    • 3000+

      ¥0.2065
    • 6000+

      ¥0.1835
    • 9000+

      ¥0.1719
  • 有货
  • 适用于音频通用放大应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4353
    • 100+

      ¥0.3393
    • 300+

      ¥0.2913
    • 3000+

      ¥0.2553
    • 6000+

      ¥0.2265
  • 有货
    • 5+

      ¥0.4397
    • 50+

      ¥0.3828
    • 150+

      ¥0.3544
    • 500+

      ¥0.333
    • 3000+

      ¥0.3159
    • 6000+

      ¥0.3074
  • 有货
  • 特性:小封装。 低正向电压:VF(2) = 0.45 V(典型值)。应用:高速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4433
    • 100+

      ¥0.3473
    • 300+

      ¥0.2993
    • 3000+

      ¥0.2633
    • 6000+

      ¥0.2345
  • 有货
  • DF2S6M4CT是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性,具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外,其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装(1.0 mmx0.6 mm),可满足对占用空间要求较小的应用需求。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4877
    • 50+

      ¥0.3821
    • 150+

      ¥0.3292
    • 500+

      ¥0.2896
    • 2500+

      ¥0.258
    • 5000+

      ¥0.2421
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。高电压:VCEO = -120V。出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95(典型值)。高hFE:200至700。低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。与2SC2713互补。应用:音频通用放大器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5017
    • 50+

      ¥0.3935
    • 150+

      ¥0.3394
    • 500+

      ¥0.2989
    • 3000+

      ¥0.2664
  • 有货
  • 特性:推挽输出。 南极和北极检测。 重量:11.0mg(典型值)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5651
    • 50+

      ¥0.4427
    • 150+

      ¥0.3815
    • 500+

      ¥0.3356
    • 3000+

      ¥0.2989
    • 6000+

      ¥0.2805
  • 有货
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