东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP2745(TP,E 编号：C146330

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2745由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

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1+
￥4.52
10+
￥3.68
30+
￥3.25
100+
￥2.84
500+
￥2.26
1500+
￥2.14

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型号：TLP627(TP1,F) 编号：C30336

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管带有一个集成基极 - 发射极电阻，用于优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道，而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

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1+
￥6.49
10+
￥5.41
30+
￥4.82
100+
￥4.15
500+
￥3.39
1500+
￥3.25

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型号：TLP785(GB,F 编号：C193694

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5 kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

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5+
￥0.7858
50+
￥0.6229
200+
￥0.4987
500+
￥0.4377
2000+
￥0.3888
4000+
￥0.3644

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型号：1SV281(TPH3,F) 编号：C146317

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于小型调谐器

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5+
￥0.965294 ￥1.0846
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￥0.851285 ￥0.9565
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￥0.802424 ￥0.9016
500+
￥0.741548 ￥0.8332
2500+
￥0.714403 ￥0.8027
4000+
￥0.698116 ￥0.7844

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型号：CMS04(TE12L,Q,M) 编号：C603062

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

近年来，从计算机、家用电器到汽车和工业设备等众多产品，都对减小尺寸和重量的有效解决方案提出了需求。不同应用场景对半导体的要求也有所不同。以电源为例，要求在更小的尺寸内容纳更高的容量，这会提高系统的运行温度

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5+
￥1.0234
50+
￥0.8026
150+
￥0.6923
500+
￥0.6095
3000+
￥0.47
6000+
￥0.4369

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型号：74VHC74FT(BJ) 编号：C7421300

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

双 D 型触发器，具有预置和清除功能。采用硅栅 C2MOS 技术制造，实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗特性。在 CK 脉冲的正跳变期间，施加到 D 输入的信号电平被传输到 Q 输出。CLR 和 PR 独立于 CK，通过将相应输入设置为低电平来完成操作。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，0 至 5.5V 可以施加到输入引脚。该器件可用于 5V 至 3V 系统和双电源系统（如备用电池）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

5+
￥1.4434
50+
￥1.1332
150+
￥1.0003
500+
￥0.8344
2500+
￥0.7605

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型号：TC7SU04F,LF 编号：C6944

封装：SOT-25-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7SUO4是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS反相器。它在保持C2MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL相近的高速运行。内部电路由单级反相器组成，可应用于晶体振荡

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5+
￥1.4688
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￥1.1386
150+
￥0.997
500+
￥0.648116 ￥0.8204
3000+
￥0.586022 ￥0.7418
6000+
￥0.548734 ￥0.6946

有货

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型号：TC7W74FU,LF 编号：C128631

封装：SSOP-8-3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7W74是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C²MOS D触发器。它在保持C²MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。在时钟脉冲的上升沿，施加到D输入端的信号电平会传输到Q输出端

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5+
￥1.7733
50+
￥1.3795
150+
￥1.2107
500+
￥1.0001
3000+
￥0.9063
6000+
￥0.85

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型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥2.85
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￥2.51
30+
￥2.35
100+
￥2.18
500+
￥2.08
1500+
￥2.02

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型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

1+
￥3.17
10+
￥2.83
30+
￥2.66
100+
￥2.49
500+
￥2.05
1500+
￥2

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型号：TPH1R403NL 编号：C83440

封装：DFN-8(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N-MOS管 30V150A

数据手册

1+
￥3.29
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￥2.63
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￥2.3
100+
￥1.97
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

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型号：TK11A65D(STA4,X,M) 编号：C396042

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥4.41
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￥3.52
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￥3.08
100+
￥2.64
500+
￥2.37
1000+
￥2.24

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型号：TCKE812NA,RF 编号：C1880271

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是18V高输入电压单输入-单输出电子保险丝IC。可作为可重复使用的保险丝，具备多种保护功能，如通过外部电阻调节过流限制、短路保护、过压钳位、通过外部电容调节压摆率控制、欠压保护、热关断以及通过外部MOSFET控制电路实现反向电流阻断。导通电阻仅28mΩ（典型值），高输出电流可达5.0A，宽输入电压工作特性使其适用于硬盘驱动器电源电路和电池充电等电源管理应用。采用0.4mm间距的小型封装WsON10B（3.0mm x 3.0mm，厚度：0.7mm（典型值）），适用于需要高密度焊接的便携式电子设备等各种应用。

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1+
￥4.85
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￥3.86
30+
￥3.36
100+
￥2.87
500+
￥2.57
1000+
￥2.42

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型号：TLP3906(TPL,E 编号：C146278

封装：SOP-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。

数据手册

1+
￥6.51
10+
￥5.33
30+
￥4.68
100+
￥3.94
500+
￥3.61
1000+
￥3.46

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型号：TLP241A(TP1,F 编号：C2152214

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP241A和TLP241AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

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1+
￥8.95
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￥7.44
30+
￥6.61
100+
￥5.67
500+
￥4.77
1500+
￥4.58

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型号：TPH3R70APL,L1Q(M 编号：C471285

封装：SOP-8-Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 21 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 74 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

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1+
￥9.53
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￥7.8
30+
￥6.85
100+
￥5.77
500+
￥5.3
1000+
￥5.08

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型号：TLP3122(TP,F) 编号：C393898

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3122由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用塑料SOP封装。TLP3122是一种双向开关，在许多应用中可替代机械继电器。其较高的导通电流最大额定值适用于控制电源线

数据手册

1+
￥13.96
10+
￥11.69
30+
￥10.28
100+
￥8.83
500+
￥8.17
1000+
￥7.89

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型号：TB67S128FTG(O,EL) 编号：C2150559

封装：VQFN-64-EP(9x9)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67S128FTG 是一款采用 PWM 斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。它采用 BiCD 工艺制造，输出额定值为 50 V/5。

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1+
￥19.76
10+
￥16.81
30+
￥15.06
100+
￥13.29
500+
￥12.47
1000+
￥12.1

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型号：TLP7820(TP4,E 编号：C2978064

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

隔离放大器用于电子电机驱动器中的电流感应。在典型应用中，电机电流流经外部电阻，产生的模拟电压降由隔离放大器感应。

数据手册

1+
￥24.7
10+
￥21.13
30+
￥19.01
100+
￥15.03
500+
￥14.04
1500+
￥13.59

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型号：1SS389,L3F 编号：C516855

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于高速开关应用，小封装，正向电压低。

数据手册

10+
￥0.3047
100+
￥0.2385
300+
￥0.2054
1000+
￥0.1805
5000+
￥0.1606
8000+
￥0.1507

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型号：SSM3J35CT,L3F 编号：C396019

封装：CST-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。模拟开关应用。 1.2V 驱动低导通电阻：Rₒₙ = 44Ω（最大值）（V₍GS₎ = -1.2V）。Rₒₙ = 22Ω（最大值）（V₍GS₎ = -1.5V）。Rₒₙ = 11Ω（最大值）（V₍GS₎ = -2.5V）。Rₒₙ = 8Ω（最大值）（V₍GS₎ = -4.0V）

数据手册

5+
￥0.413244 ￥0.7947
50+
￥0.294336 ￥0.7008
150+
￥0.211392 ￥0.6606
500+
￥0.195328 ￥0.6104
2500+
￥0.188192 ￥0.5881
5000+
￥0.183904 ￥0.5747

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型号：TC7SET08FU,LJ(CT 编号：C92250

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入与门

数据手册

5+
￥0.4243
50+
￥0.3693
150+
￥0.3419
500+
￥0.3213
3000+
￥0.3048
6000+
￥0.2966

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型号：CRS08(TE85L,Q,M) 编号：C141550

封装：SOD-123F

品牌：TOSHIBA(东芝)

正向电压：VFM = 0.36V（最大值）平均正向电流：IF(AV) = 1.5A 重复峰值反向电压：VRRM = 30V 采用小型表面贴装封装“S-FLATTM”，适合紧凑组装。

数据手册

5+
￥0.9136
50+
￥0.7166
150+
￥0.618
500+
￥0.4963
3000+
￥0.4372
6000+
￥0.4076

有货

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型号：SSM3K357R,LF 编号：C7369997

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 3.0V栅极驱动电压。内置齐纳二极管和电阻。应用：继电器驱动器

5+
￥1.483
50+
￥1.1554
150+
￥1.015
500+
￥0.8399
3000+
￥0.7619
6000+
￥0.715

有货

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型号：74VHC273FT 编号：C2677964

封装：TSSOPB-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC273FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八D型触发器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

5+
￥1.5171
50+
￥1.3282
150+
￥1.2473
500+
￥1.1463
2500+
￥1.1014

有货

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型号：TLP2301(TPL,E 编号：C261927

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由基于光电晶体管的高速探测器与GaAs红外发光二极管光耦合组成，采用SO6封装。通过几个kΩ电阻实现了早期开关特性，对应20 kbps的传输速率，填补了通用晶体管耦合器和对应1 Mbps的IC耦合器之间的空白。

数据手册

5+
￥1.6782
50+
￥1.2951
150+
￥1.1309
500+
￥0.926
3000+
￥0.8348
6000+
￥0.78

有货

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型号：74VHCT14AFT(BJ) 编号：C6423715

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗特性。引脚配置和功能与74VHC04FT相同，但输入具有迟滞特性，凭借其施密特触发器功能，可作为接收慢速输入信号的线路接收器。输入电压与TTL输出电压兼容。可作为3.3V至5.5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压，这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

1+
￥1.95
10+
￥1.72
30+
￥1.62
100+
￥1.5
500+
￥1.44
1000+
￥1.41

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型号：TLP267J(TPL,E 编号：C393892

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，内部隔离厚度最小为0.4mm。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥3.51 ￥7.02
10+
￥2.344 ￥5.86
30+
￥1.566 ￥5.22
100+
￥1.35 ￥4.5
500+
￥1.254 ￥4.18
1000+
￥1.212 ￥4.04

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型号：TPH4R008NH,L1Q(M 编号：C396039

封装：SOP-8-Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小尺寸、薄封装。高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 18 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。增强模式：V_TH = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥5.08
10+
￥4.05
30+
￥3.53
100+
￥3.02
500+
￥2.71
1000+
￥2.55

有货

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型号：TLP2704(TP,E 编号：C393893

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度，SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。

数据手册

1+
￥5.3
10+
￥4.2
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￥3.64
100+
￥3.09
500+
￥2.57
1500+
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