东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SSM3K333R,LF 编号：C395454

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 42mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 28mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关应用。高速开关应用

数据手册

10+
￥0.3057
100+
￥0.2395
300+
￥0.2064
3000+
￥0.1816
6000+
￥0.1617
9000+
￥0.1518

有货

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型号：TC7SH08FU,LJ(CT 编号：C5156525

封装：USV

品牌：TOSHIBA(东芝)

2输入与门

数据手册

10+
￥0.3926
100+
￥0.3062
300+
￥0.263
3000+
￥0.2306
6000+
￥0.2047
9000+
￥0.1917

有货

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型号：2SC3326-B,LF 编号：C27829

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高发射极-基极电压：VEBO = 25 V。高反向hFE。反向hFE = 150（典型值）(VCE = -2V, IC = -4mA)。低导通电阻：RON = 1 Ω（典型值）(IB = 5mA)。高直流电流增益：hFE = 200至1200。应用：静音和开关应用

数据手册

5+
￥0.5767
50+
￥0.4495
150+
￥0.3859
500+
￥0.3382
3000+
￥0.3
6000+
￥0.2809

有货

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型号：2SK209-GR(TE85L,F) 编号：C61792

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,10V,0.014A,150mW

数据手册

5+
￥0.8444
50+
￥0.6595
150+
￥0.567
500+
￥0.4977
3000+
￥0.4515
6000+
￥0.4238

有货

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型号：TLP2301(TPL,E 编号：C261927

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由基于光电晶体管的高速探测器与GaAs红外发光二极管光耦合组成，采用SO6封装。通过几个kΩ电阻实现了早期开关特性，对应20 kbps的传输速率，填补了通用晶体管耦合器和对应1 Mbps的IC耦合器之间的空白。

数据手册

5+
￥1.6482
50+
￥1.2853
150+
￥1.1298
500+
￥0.9358
3000+
￥0.8494
6000+
￥0.7975

有货

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型号：TPN2R703NL,L1Q(M 编号：C5307666

封装：TSON-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥3.24
10+
￥2.53
30+
￥2.22
100+
￥1.84
500+
￥1.67
1000+
￥1.57

有货

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型号：TLP293-4(GB-TP,E 编号：C112623

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 4光电耦合器采用超小型薄型SO16封装。由于TLP293 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C，且具有较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥4.37
10+
￥3.51
30+
￥3.08
100+
￥2.65
500+
￥2.34
1000+
￥2.21

有货

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型号：TLP291-4(TP,E) 编号：C516180

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291-4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP291-4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP291-4可在较宽的工作温度范围（Ta = -55至110 °C）内保证性能，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥5.19
10+
￥4.15
30+
￥3.62
100+
￥3.11
500+
￥2.8
1000+
￥2.64

有货

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型号：TBD62783AFG,EL 编号：C97745

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

ICLOADSWITCH8CH0.5A18SOP

数据手册

1+
￥6.06
10+
￥4.98
30+
￥4.39
100+
￥3.72
500+
￥3.42
1000+
￥3.28

有货

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型号：2SA1943-O(Q) 编号：C545244

封装：TO-3PL

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于功率放大器应用，与2SC5200互补，推荐用于100W高保真音频放大器输出级。

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1+
￥10.22
10+
￥8.6
30+
￥7.71
100+
￥6.5
500+
￥6.06
1000+
￥5.85

有货

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型号：2SC5200-O(Q) 编号：C559174

封装：TO-3PL

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高击穿电压：VCEO = 230 V (min)。与2SA1943互补。适用于100W高保真音频放大器的输出级

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1+
￥10.62
10+
￥8.95
30+
￥7.9
100+
￥6.6
500+
￥6.11
1000+
￥5.9

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型号：2SC2712-Y(TE85L,F) 编号：C4153761

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至700。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA）= 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

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20+
￥0.1479
200+
￥0.1182
600+
￥0.1017
3000+
￥0.0918
9000+
￥0.0832
21000+
￥0.0786

有货

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型号：SSM3K324R,LF 编号：C395455

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

10+
￥0.238
100+
￥0.2068
300+
￥0.1912
3000+
￥0.1795
6000+
￥0.1702
9000+
￥0.1655

有货

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型号：1SS294,LF 编号：C261914

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压高速开关。符合AEC Q101标准。低正向电压Δ:VF(3) = 0.54V（典型值）

数据手册

10+
￥0.3233
100+
￥0.2544
300+
￥0.22
3000+
￥0.1942
6000+
￥0.1735
9000+
￥0.1632

有货

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型号：TC7WH157FU,LJ(CT 编号：C128633

封装：SSOP-8-3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

双通道多路复用器。

数据手册

5+
￥0.966885 ￥1.3245
50+
￥0.73521 ￥1.167
150+
￥0.582735 ￥1.0995
500+
￥0.538109 ￥1.0153
3000+
￥0.518234 ￥0.9778
6000+
￥0.506309 ￥0.9553

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型号：SSM3K361R,LF 编号：C5444678

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1233
50+
￥0.8713
150+
￥0.7633
500+
￥0.6286
3000+
￥0.5686
6000+
￥0.5326

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型号：TLP5701(D4-TP,E 编号：C2892104

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，它在物理尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.78
30+
￥2.43
100+
￥2.07
500+
￥1.86
1500+
￥1.75

有货

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型号：TLP627M(TP1,E 编号：C39286670

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

1+
￥4.21
10+
￥3.36
30+
￥2.94
100+
￥2.52
500+
￥2.27
1500+
￥2.14

有货

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型号：TBD62083AFNG,EL 编号：C163229

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，超小体积，ULN2803升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥4.3
10+
￥3.44
30+
￥3.01
100+
￥2.58
500+
￥2.32
1000+
￥2.19

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型号：TK6A80E,S4X(S 编号：C22413233

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用：开关稳压器

1+
￥4.34
10+
￥3.54
50+
￥3.14
100+
￥2.74
500+
￥2.5
1000+
￥2.38

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型号：TLP2168(TP,F) 编号：C99480

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

20MBd 双路高速光耦，CMR@15KV/uS

数据手册

1+
￥6.7
10+
￥5.92
30+
￥5.19
100+
￥4.64

有货

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型号：TLP3122A(TPL,E 编号：C4153843

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

隔离电压:3750Vrms 导通电流:1.4A off状态输出端电压:60V

1+
￥7.94
10+
￥6.54
30+
￥5.77
100+
￥4.9
500+
￥4.51
1000+
￥4.33

有货

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型号：TLP5214A(TP,E 编号：C396025

封装：SOP-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

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