东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共5180件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

1个N沟道耐压:30V 电流:43A

型号：TPN6R303NC,LQ(S 编号：C396051

封装：TSON-8(3.1x3.1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）(VDS = 30V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关

数据手册

5+
￥0.8813
50+
￥0.7763
150+
￥0.7313
500+
￥0.6751
3000+
￥0.5401
6000+
￥0.5251

有货

立即购买

1个N沟道耐压:40V

型号：TPHR8504PL,L1Q(M 编号：C5331611

封装：SOP-8Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥5.31
10+
￥4.76
30+
￥4.45
100+
￥4.11
500+
￥3.96
1000+
￥3.89

有货

立即购买

DC输入隔离电压(rms):5000V 停产

型号：TLP627(F) 编号：C96253

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接光电晶体管光耦合组成，该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻，以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料双列直插式封装（DIP），提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥5.37
10+
￥4.29
30+
￥3.75
100+
￥3.21
500+
￥2.89
1000+
￥2.73

有货

立即购买

TLP3122A(TPL,E(O

型号：TLP3122A(TPL,E 编号：C4153843

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

隔离电压:3750Vrms 导通电流:1.4A off状态输出端电压:60V

1+
￥7.94
10+
￥6.54
30+
￥5.77
100+
￥4.9
500+
￥4.51
1000+
￥4.33

有货

立即购买

600V 50A

型号：GT50JR22(S1WLD,E,S 编号：C2880445

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。增强模式。高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用

1+
￥11.01
10+
￥9.34
25+
￥7.29
100+
￥6.25
500+
￥5.78

有货

立即购买

NPN 电流:15A 电压:230V

型号：2SC5200-O(Q) 编号：C559174

封装：TO-3PL

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高击穿电压：VCEO = 230 V (min)。与2SA1943互补。适用于100W高保真音频放大器的输出级

数据手册

1+
￥12.4
10+
￥10.34
30+
￥9.06
100+
￥7.46
500+
￥6.86
1000+
￥6.6

有货

立即购买

用于电机、螺线管、灯驱动器的高端功率开关阵列

型号：TPD2015FN,L1F(S 编号：C5353808

封装：SSOP-30-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TPD2015FN是一款带有MOSFET输出的高端开关阵列（8通道）。这是一款单片功率IC，可直接由CMOS、TTL逻辑电路（如MCU等）驱动，具备过流和过温保护功能。

1+
￥14.54
10+
￥12.2
30+
￥10.73
100+
￥9.23
500+
￥8.55
1000+
￥8.26

有货

立即购买

停产光电耦合器，砷化镓红外发光二极管和光电晶体管

型号：TLP521-4(GB,F) 编号：C2848504

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521-2 在八引脚塑料 DIP 封装中提供两个隔离通道，而 TLP521-4 在十六引脚塑料 DIP 封装中提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥15.88
10+
￥13.53
25+
￥10.97
100+
￥9.46
500+
￥8.78
1000+
￥8.49

有货

立即购买

NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC4116-Y,LF 编号：C6802847

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至700。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA） = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

20+
￥0.2098
200+
￥0.1612
600+
￥0.1342
3000+
￥0.118
9000+
￥0.1039

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SSM3K333R,LF 编号：C395454

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 42mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 28mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关应用。高速开关应用

数据手册

10+
￥0.3039
100+
￥0.2375
300+
￥0.2043
3000+
￥0.1794
6000+
￥0.1595
9000+
￥0.1495

有货

立即购买

N沟道MOS管

型号：SSM3K324R,LF(B 编号：C29268018

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 56mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 72mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。 -RDS(ON) = 109mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

10+
￥0.3061
100+
￥0.2393
300+
￥0.206

有货

立即购买

80V 100mA

型号：1SS272(TE85L,F) 编号：C24566

封装：SC-61B

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VF(3) = 0.92V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9pF（典型值）

数据手册

5+
￥0.4914
50+
￥0.373
150+
￥0.3138
500+
￥0.2694
3000+
￥0.2338
6000+
￥0.2161

有货

立即购买

10V 400mΩ 电容比4.3

型号：1SV323,H3F 编号：C516856

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

数据手册

5+
￥0.6962
50+
￥0.5447
150+
￥0.469
500+
￥0.4122
2500+
￥0.3667
4000+
￥0.344

有货

立即购买

DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP785(GR-TP6,F 编号：C146376

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC:5 kVRMS (min))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

数据手册

5+
￥0.8558
50+
￥0.683
150+
￥0.5966
500+
￥0.5318
2000+
￥0.416
4000+
￥0.39

有货

立即购买

低电压八进制总线缓冲器，输入输出具备5V容限

型号：74LCX244FT 编号：C2675684

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74LCX244FT是一款高性能CMOS八进制总线缓冲器。它专为3.3V系统设计，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行

数据手册

5+
￥1.2425
50+
￥1.0744
150+
￥1.0024
500+
￥0.9125
2500+
￥0.8725
5000+
￥0.8485

有货

立即购买

硅NPN外延型（PCT工艺）内置偏置电阻晶体管

型号：RN1426(TE85L,F) 编号：C5186058

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用。

5+
￥1.2439
50+
￥0.9667
150+
￥0.8479
500+
￥0.6997
2500+
￥0.6337

有货

立即购买

1个N沟道耐压:50V

型号：2SK209-Y(TE85L,F) 编号：C2880444

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高正向传输导纳：|Yfs| = 15 mS（典型值），VDS = 10 V，VGS = 0。高击穿电压：VGD_S =-30 V。低噪声：NF = 1.0 dB（典型值），VDS = 10 V，ID = 0.5 mA，f = 1 kHz，RG = 1 kΩ。高输入阻抗：IGSS =-1 nA（最大值），VGS =-30 V。小封装。应用：音频频率低噪声放大器应用

5+
￥1.2649
50+
￥0.96
150+
￥0.8293
500+
￥0.6662
3000+
￥0.5936
6000+
￥0.5501

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:3.6A

型号：SSM6J214FE(TE85L,F 编号：C516172

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V驱动。低导通电阻：RDS(ON) = 146.6mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)；RDS(ON) = 77.6mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)；RDS(ON) = 57.0mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)；RDS(ON) = 50.0mΩ（最大值）(VGS =-10V)

数据手册

5+
￥1.3883
50+
￥1.0796
150+
￥0.9473
500+
￥0.7822
2500+
￥0.7087
4000+
￥0.6646

有货

立即购买

CMOS数字集成电路，2位总线开关

型号：TC7WB66CFK,LF 编号：C516178

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WB66CFK/L8X 和 TC7WB67CFK/L8X 是低导通电阻、高速 CMOS 2 位总线开关。这些总线开关能够以极小的传播延迟实现连接或断开，同时保持 CMOS 的低功耗特性

数据手册

5+
￥1.4321
50+
￥1.1144
150+
￥0.9782
500+
￥0.8083
3000+
￥0.7326

有货

立即购买

六施密特触发器

型号：TC74HC14AF(EL,F) 编号：C2929217

封装：SOIC-14-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款高速CMOS施密特反相器，采用硅栅C²MOS技术制造。它实现了与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗特性。引脚配置和功能与TC74HC04A相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防止静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

5+
￥2.2334
50+
￥1.7798
150+
￥1.5854
500+
￥1.3429
2000+
￥1.2349

有货

立即购买

带有3状态输出的双总线缓冲器

型号：TC7WZ126FK,LJ(CT 编号：C5331576

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双路三态输出总线缓冲器

数据手册

5+
￥2.25
50+
￥1.74
150+
￥1.53
500+
￥1.26
3000+
￥1.14

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:45A

型号：TPN2R203NC,L1Q(M 编号：C471286

封装：TSON-8(3.1x3.1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低漏电流：IDD = 10 μA（最大值）(VDS = 30V)。增强模式：VHA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V，ID = 0.5mA)。应用：电源管理开关

数据手册

1+
￥2.72
10+
￥2.11
30+
￥1.85
100+
￥1.52
500+
￥1.37
1000+
￥1.29

有货

立即购买

1个N沟道耐压:40V 电流:150A

型号：TPH1R204PL1,LQ 编号：C7401598

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 17 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 56 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：VTH = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥3.74
10+
￥2.99
30+
￥2.61
100+
￥2.23
500+
￥2.01
1000+
￥1.89

有货

立即购买

N沟道MOS（π-MOSVII）MOSFET

型号：TK6A80E,S4X(S 编号：C22413233

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用：开关稳压器

1+
￥4.04
10+
￥3.23
30+
￥2.82
100+
￥2.42
500+
￥2.18
1000+
￥2.05

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:60A

型号：TPHR9003NL,L1Q 编号：C129784

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道

数据手册

1+
￥4.46
10+
￥3.56
30+
￥3.1
100+
￥2.65
500+
￥2.38
1000+
￥2.24

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V

型号：TPH8R80ANH,L1Q(M 编号：C5328892

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 13 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.4 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥4.7641 ￥6.71
10+
￥3.8766 ￥5.46
30+
￥3.4364 ￥4.84
100+
￥2.9962 ￥4.22
500+
￥2.6128 ￥3.68
1000+
￥2.4708 ￥3.48

有货

立即购买

DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP124(BV-TPR,F) 编号：C99475

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP124是一种小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

数据手册

1+
￥5.77
10+
￥4.61
30+
￥4.03
100+
￥3.46
500+
￥2.69
1000+
￥2.51

有货

立即购买

1个N沟道耐压:900V 电流:5A

型号：2SK3565(STA4,Q,M) 编号：C396031

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（VDS = 720V）。增强模式：Vth = 2.0-4.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）

数据手册

1+
￥6.55
10+
￥5.17
50+
￥4.48
100+
￥3.8
500+
￥3.39
1000+
￥3.18

有货

立即购买

PNP 电流:15A 电压:230V

型号：2SA1943-O(Q) 编号：C545244

封装：TO-3PL

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于功率放大器应用，与2SC5200互补，推荐用于100W高保真音频放大器输出级。

数据手册

1+
￥9.56
10+
￥8.06
30+
￥7.11
100+
￥5.93
500+
￥5.49

有货

立即购买

1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V

型号：TLP172A(TP,F) 编号：C99477

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP172A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通/断控制。

数据手册

1+
￥13.42
10+
￥11.28
30+
￥9.94
100+
￥8.56
500+
￥7.94
1000+
￥7.67

有货

立即购买

共173页，5180条记录到页

<上一页
1
2
3
4
5
6
...
173
下一页

立创商城为您提供东芝模拟芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买东芝模拟芯片提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB
立创ERP

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content