东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CMS04(TE12L,Q,M) 编号：C603062

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

近年来，从计算机、家用电器到汽车和工业设备等众多产品，都对减小尺寸和重量的有效解决方案提出了需求。不同应用场景对半导体的要求也有所不同。以电源为例，要求在更小的尺寸内容纳更高的容量，这会提高系统的运行温度

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￥1.1561
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￥0.9396
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￥0.8468
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￥0.731
3000+
￥0.611
6000+
￥0.58

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型号：TLP292(GB-TPL,E 编号：C74225

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流输入型低电平光耦合器，在 SO4 封装中，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 125 °C），因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.4583
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￥1.1458
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￥1.0118
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￥0.8448
2500+
￥0.7267
5000+
￥0.6821

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型号：2SC6124(TE12L,ZC) 编号：C5340733

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥1.5295
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￥1.1887
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￥1.0426
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￥0.8603
2000+
￥0.7792
5000+
￥0.7305

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型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥2.85
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￥2.51
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￥2.35
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￥2.18
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￥2.08
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￥2.02

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型号：TB67H451AFNG,EL 编号：C5349076

封装：HSOP-8_EP

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H451AFNG 是一款 PWM 斩波式直流有刷电机驱动器，内置一个电机输出通道。该器件采用 BiCD 工艺制造，额定输出电压为 50 V，最大电流为 3 A。

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￥3.28
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￥2.63
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￥2.3
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￥1.97
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￥1.78
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￥1.68

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型号：TBD62083AFNG(Z,EL) 编号：C4153827

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

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￥4.36
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￥3.49
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￥3.06
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￥2.63
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￥2.38
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￥2.25

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型号：TPH3R704PL,L1Q 编号：C141553

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 8.1 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 20.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.0 mΩ（典型值） (V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值） (V_DS = 40 V)。增强模式：V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥4.51
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￥3.65
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￥3.22
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￥2.8
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￥2.55
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￥2.42

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型号：TBD62783AFNG(Z,EL) 编号：C4153829

封装：SSOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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￥4.71
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￥3.77
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￥3.3
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￥2.83
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￥2.55
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￥2.4

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型号：TLP627(F) 编号：C96253

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接光电晶体管光耦合组成，该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻，以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料双列直插式封装（DIP），提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

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￥5.37
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￥4.29
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￥3.75
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￥3.21
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￥2.89
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￥2.73

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型号：TPHR8504PL,LQ(M1W 编号：C22388172

封装：DFN-8(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥6.04
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￥4.84
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￥4.24
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￥3.64
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￥3.29
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￥3.1

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型号：GT50JR22(S1WLD,E,S 编号：C2880445

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。增强模式。高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用

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￥10.27
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￥8.58
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￥6.52
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￥5.48
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￥5.01
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￥4.8

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型号：DF2S6.8FS,L3M 编号：C1972978

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

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20+
￥0.1546
200+
￥0.1157
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￥0.094
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￥0.0811
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￥0.0698
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￥0.0638

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型号：1SS302TE85LF 编号：C150148

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-70。低正向电压：0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：1.6ns（典型值）。小总电容：0.9pF（典型值）。重量：0.006g（典型值）

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10+
￥0.246
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￥0.1932
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￥0.1668
3000+
￥0.147
6000+
￥0.1312
9000+
￥0.1232

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型号：CUS05S40,H3F 编号：C442418

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低正向电压：VF(2) = 0.56 V（典型值）(@IF = 500mA)。应用：高速开关

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￥0.3959
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￥0.3095
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￥0.2663
3000+
￥0.2339
6000+
￥0.208
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￥0.195

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型号：1SV325,H3F 编号：C4153758

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

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￥0.5465
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￥0.4265
150+
￥0.3665
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￥0.3215
2500+
￥0.2855
4000+
￥0.2675

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型号：1SV281(TPH3,F) 编号：C146317

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于小型调谐器

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5+
￥1.0846
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￥0.9565
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￥0.9016
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￥0.741548 ￥0.8332
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￥0.714403 ￥0.8027
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￥0.698116 ￥0.7844

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型号：TLP291(GRL-TP,SE 编号：C248929

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

5+
￥1.2161
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￥0.9691
150+
￥0.8633
500+
￥0.6331
2500+
￥0.5743
5000+
￥0.539

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型号：74VHC21FT 编号：C4470883

封装：TSSOP-14-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC21FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四输入与门。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

5+
￥1.3991
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￥1.0866
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￥0.9527
500+
￥0.7856
2500+
￥0.7112
5000+
￥0.6665

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型号：SSM3J338R,LF 编号：C146352

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26.3mΩ（典型值）(@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 20.1mΩ（典型值）(@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 15.9mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

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5+
￥1.4317
50+
￥1.1113
150+
￥0.9739
500+
￥0.8026
3000+
￥0.7263
6000+
￥0.6805

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型号：TC7WB66CFK,LF 编号：C516178

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WB66CFK/L8X 和 TC7WB67CFK/L8X 是低导通电阻、高速 CMOS 2 位总线开关。这些总线开关能够以极小的传播延迟实现连接或断开，同时保持 CMOS 的低功耗特性

数据手册

5+
￥1.4849
50+
￥1.1671
150+
￥1.0309
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￥0.861
3000+
￥0.7854

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型号：TLP182(GB-TPL,E 编号：C96457

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合而成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.5566
50+
￥1.1836
150+
￥1.0238
500+
￥0.8243
3000+
￥0.7355
6000+
￥0.6822

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型号：2SC5886A(T6L1,NQ) 编号：C5156044

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000 (Ic = 0.5 A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.22 V (最大值)。高速开关：tf = 95 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC/DC 转换器应用

5+
￥2.3575
50+
￥1.8787
150+
￥1.6735
500+
￥1.4175
2000+
￥1.3035

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型号：TLP267J(TPL,E 编号：C393892

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，内部隔离厚度最小为0.4mm。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥3.0888 ￥7.02
10+
￥1.9924 ￥5.86
30+
￥1.2528 ￥5.22
100+
￥1.08 ￥4.5
500+
￥1.0032 ￥4.18
1000+
￥0.9696 ￥4.04

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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C5370545

封装：SOIC-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP2398由两个GaAℓAs发光二极管与一个高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用SO6封装。由于采用两个LED反并联结构，因此它可以处理灌电流和拉电流输入信号

数据手册

1+
￥3.43
10+
￥3.02
30+
￥2.81
100+
￥2.61
500+
￥2.48
1000+
￥2.42

有货

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型号：TC78H621FNG,EL 编号：C2150461

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC78H621FNG是一款双桥驱动IC，其输出晶体管采用了DMOS。该芯片能够驱动2个有刷直流电机或1个步进电机。

数据手册

1+
￥3.87
10+
￥3.14
30+
￥2.77
100+
￥2.41
500+
￥2.19
1000+
￥2.07

有货

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型号：TPH3R704PL,L1Q(M 编号：C22455092

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 8.1 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 20.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥4.42
10+
￥3.56
30+
￥3.13
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￥2.71
500+
￥2.46
1000+
￥2.32

有货

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型号：TBD62083AFG,EL 编号：C163228

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，本芯片用场效应管作输出管，相比传统的ULN2803（三极管做输出管）管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥5.35
10+
￥4.27
30+
￥3.73
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￥3.19
500+
￥2.87
1000+
￥2.71

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型号：TPH4R008NH,L1Q(M 编号：C396039

封装：SOP-8-Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小尺寸、薄封装。高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 18 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。增强模式：V_TH = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥5.46
10+
￥4.38
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￥3.84
100+
￥3.3
500+
￥2.98
1000+
￥2.82

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型号：2SK3565(STA4,Q,M) 编号：C396031

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（VDS = 720V）。增强模式：Vth = 2.0-4.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）

数据手册

1+
￥6.58
10+
￥5.4
50+
￥4.74
100+
￥4.01
500+
￥3.68
1000+
￥3.53

有货

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥6.76
10+
￥5.68
50+
￥4.31
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￥3.64
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￥3.34
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