东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 77.5 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥14.73
10+
￥12.38
30+
￥10.91
100+
￥9.4
500+
￥8.72
1000+
￥8.43

有货

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型号：TB6560AHQ(O,8) 编号：C19386

封装：HZIP-25-P-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于步进电机控制的PWM斩波式双极驱动IC

数据手册

1+
￥20.25
10+
￥17.03
28+
￥16.19
98+
￥14.26
420+
￥13.37

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型号：TPCA8123,L1Q 编号：C180399

封装：SOP

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小型,薄型実装面積小。振抗低：Rps(ON)=8.5mΩ(標) (VGS = -10V)。漏電流低：IDS = -10μA (最大) (VDS = -60V)。操作简单，增强型，Vth = -2.0-3.0V(VDS = -10V, ID = -1.0mA)

数据手册

1+
￥30.02
10+
￥25.6
30+
￥22.97
100+
￥20.32
500+
￥18.05
1000+
￥17.49

有货

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型号：1SS181,LF 编号：C2762666

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装：SC-59。低正向电压：VF(3) = 0.92V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 2.2pF（典型值）

数据手册

20+
￥0.1427
200+
￥0.1225
600+
￥0.1112
3000+
￥0.1045
9000+
￥0.0986
21000+
￥0.0955

有货

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型号：DF2S16FS,L3M 编号：C2847405

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

10+
￥0.2126
100+
￥0.1851
300+
￥0.1713
1000+
￥0.161
5000+
￥0.1527
10000+
￥0.1486

有货

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型号：1SS404,H3F 编号：C2847422

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速开关应用双引脚小封装适用于更高的安装密度低正向电压：VF(3) = 0.38V（典型值）低反向电流：IR = 50μA（最大值）小总电容：CT = 46 pF（典型值）

10+
￥0.313
100+
￥0.273
300+
￥0.253
3000+
￥0.238
6000+
￥0.226

有货

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型号：1SS302A,LF 编号：C603066

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：快速反向恢复时间 tₕ = 1.6 ns（典型值）。 AEC-Q101认证。应用：超高速开关

数据手册

10+
￥0.3433
100+
￥0.2676
300+
￥0.2298
3000+
￥0.179246 ￥0.2014
6000+
￥0.158954 ￥0.1786
9000+
￥0.148897 ￥0.1673

有货

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型号：SSM3K16CT,L3F 编号：C2880447

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：适合高密度安装，采用紧凑型封装。低导通电阻：RDS(ON) = 3.0Ω 最大值 (@VGS = 4V)。RDS(ON) = 4.0Ω 最大值 (@VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 15Ω 最大值 (@VGS = 1.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

10+
￥0.3858
100+
￥0.3086
300+
￥0.27
1000+
￥0.2411
5000+
￥0.2179
10000+
￥0.2064

有货

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型号：1SS396(TE85L,F) 编号：C4153755

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-59。低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。低反向电流：IF = 5μA（最大值）

数据手册

5+
￥0.4068
50+
￥0.3548
150+
￥0.3288
500+
￥0.3093
3000+
￥0.2937
6000+
￥0.2858

有货

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型号：RN2402,LF 编号：C17444589

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1401至RN1406互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.4182
100+
￥0.329
300+
￥0.2844
3000+
￥0.251

有货

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型号：CUS10S40.H3F 编号：C2762697

封装：SOD-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低正向电压：VF(2) = 0.45 V（典型值）。应用：高速开关

数据手册

10+
￥0.4433
100+
￥0.3473
300+
￥0.2993
3000+
￥0.2633
6000+
￥0.2345

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型号：1SS196(TE85L,F) 编号：C7527496

封装：SC-59-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装：SC-59。低正向电压：VF(2) = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：trF = 1.6 ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9pF（典型值）

5+
￥0.5366
50+
￥0.4287
150+
￥0.3748
500+
￥0.3344
3000+
￥0.302
6000+
￥0.2858

有货

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型号：DF2B5M4SL,L3F 编号：C1973305

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B5M4SL是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，可防止静电和噪声干扰。DF2B5M4SL利用回滞特性，具有低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2B5M4SL采用超紧凑型封装（0.32 mm×0.62 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

数据手册

5+
￥0.619
50+
￥0.4819
150+
￥0.4133
500+
￥0.3618
2500+
￥0.3207
5000+
￥0.3001

有货

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型号：TCK107AG,LF 编号：C146305

封装：WCSPD-4(0.8x0.8)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AG、TCK107AG 和 TCK108AG 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，具有低导通电阻和 1.1 至 5.5 V 的宽输入电压工作范围。在 5.0 V、-0.5 A 条件下，典型导通电阻仅为 34 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AG 和 TCK108AG 具备输出自动放电功能

数据手册

5+
￥0.73602 ￥0.8178
50+
￥0.58473 ￥0.6497
150+
￥0.50904 ￥0.5656
500+
￥0.45225 ￥0.5025
2500+
￥0.40689 ￥0.4521
5000+
￥0.38421 ￥0.4269

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型号：TLP291(GR-TP,SE 编号：C58160

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

5+
￥0.8341
50+
￥0.6517
150+
￥0.5605
500+
￥0.4921
2500+
￥0.4374
5000+
￥0.41

有货

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型号：74VHC05FT(BE) 编号：C7421273

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

六反相器（开漏）。采用硅栅 C2MOS 技术制造，能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗。引脚配置和功能与 74VHC04FT 相同，但具有高性能 MOS N 沟道晶体管（开漏输出）。该器件可通过合适的上拉电阻用于线与、LED 驱动等应用。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受 0 至 5.5V 的电压。可用于 5V 到 3V 系统以及双电源系统（如电池备份）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。

5+
￥1.0501
50+
￥1.0253
150+
￥1.0087
500+
￥0.9922

有货

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型号：1SV323(TPH3,F) 编号：C2847421

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

5+
￥1.0837
50+
￥0.8603
150+
￥0.7646
500+
￥0.6452
2500+
￥0.592
4000+
￥0.5601

有货

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型号：SSM3K361R,LF 编号：C5444678

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1233
50+
￥0.8713
150+
￥0.7633
500+
￥0.6286
3000+
￥0.5686
6000+
￥0.5325

有货

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型号：TC7WH08FU,LJ(CT 编号：C2880450

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与门

数据手册

5+
￥1.2326
50+
￥0.9226
150+
￥0.7897
500+
￥0.6239
3000+
￥0.55

有货

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型号：TC7WH14FU,LXGJ(CT 编号：C7421350

封装：SM8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。高速运行：tsp = 5.5 ns（典型值）(VCC = 5.0 V, CL = 15 pF)。低功耗：ICC = 2.0 μA（最大值）(Ta = 25℃)。高抗噪性：VNI H = VNI L = 28%VCC（最小值）。 5.5V 耐受输入。平衡传播延迟：tPLH = tPHL。宽工作电压范围：VCC = 2.0 至 5.5V。引脚分配和功能与 TC7w14 相同

5+
￥1.3668
50+
￥1.2093
150+
￥1.1418
500+
￥1.0575

有货

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型号：2SC3324-BL(TE85L,F 编号：C2999171

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频频率低噪声放大器应用。

数据手册

5+
￥1.3811
50+
￥1.0684
150+
￥0.9344
500+
￥0.7672

有货

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型号：74VHC153FT(BJ) 编号：C150159

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC153FT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS双4通道多路复用器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

5+
￥1.5165 ￥1.685
50+
￥1.197 ￥1.33
150+
￥1.06002 ￥1.1778
500+
￥0.88911 ￥0.9879
2500+
￥0.81306 ￥0.9034
5000+
￥0.76734 ￥0.8526

有货

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型号：74VHCT244AFT(BE) 编号：C7421307

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

1+
￥1.71
10+
￥1.5
30+
￥1.41
100+
￥1.29
500+
￥1.24
1000+
￥1.21

有货

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型号：74VHC373FT 编号：C20247070

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC373FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制锁存器，具有三态输出。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。

1+
￥1.73
10+
￥1.5
30+
￥1.4
100+
￥1.28
500+
￥1.22
1000+
￥1.19

有货

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型号：74VHC32FT(BE) 编号：C7421285

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四2输入或门 74VHC32FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或门。

1+
￥1.78
10+
￥1.54
30+
￥1.44
100+
￥1.32
500+
￥1.26
1000+
￥1.23

有货

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型号：TLP183(GR-TPL,E 编号：C80194

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

数据手册

5+
￥1.998656 ￥2.2712
50+
￥1.378494 ￥1.7673
150+
￥1.054884 ￥1.5513
500+
￥0.871692 ￥1.2819
3000+
￥0.790092 ￥1.1619
6000+
￥0.741132 ￥1.0899

有货

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型号：TLP265J(TPL,E 编号：C5798515

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

5+
￥2.0627
50+
￥1.5989
150+
￥1.4001
500+
￥1.1521
3000+
￥1.0417

有货

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型号：74LCX573FT(AJ) 编号：C2652969

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压八进制 D 型锁存器，具有 5V 容限输入和输出。为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但可用于输入和输出端与 5V 电源环境接口。这个 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻态。所有输入均配备防静电放电保护电路。

数据手册

1+
￥2.1294 ￥2.34
10+
￥1.6686 ￥2.06
30+
￥1.3774 ￥1.94
100+
￥1.2709 ￥1.79
500+
￥1.2283 ￥1.73
1000+
￥1.1999 ￥1.69

有货

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型号：74HC574D(BJ,K) 编号：C435813

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC574D是一款高速CMOS八进制触发器，采用硅栅C2MOS技术制造，具备三态输出。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。这些8位D型触发器由时钟输入（CK）和输出使能输入（OE(上划线)）控制

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥1.87
30+
￥1.65
100+
￥1.36
500+
￥1.24
1000+
￥1.16

有货

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型号：TC4052BFT(EL,N) 编号：C5221831

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是多路复用器，具备选择和混合模拟信号与数字信号的能力。有8通道配置、4通道×2配置和2通道×3配置。控制端子的数字信号可使各通道对应的开关“导通”，大振幅（VDD-VEE）可由小逻辑振幅（VDD-VSS）的控制信号进行切换。例如，在VDD = 5V、VSS = 0V和VEE = -5V的情况下，可通过5V单电源逻辑电路切换 -5V至 +5V之间的信号。由于每个开关的导通电阻较低，可连接到低输入阻抗的电路。

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.56
30+
￥2.4
100+
￥2.13
500+
￥2.03
1000+
￥1.98

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