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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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TCR3UG系列是带有开/关控制输入的CMOS通用单输出电压调节器,具有超低静态偏置电流和低压差电压的特点。 这些电压调节器提供0.8 V至5.0 V之间的固定输出电压,能够驱动高达300 mA的电流。它们具备过流保护、热关断功能和自动放电选项。 TCR3UG系列采用超小型塑料模塑封装WCSP4F(0.645 mm×0.645 mm(典型值);厚度0.33 mm(最大值)),压差电压低至155 mV(3.3 V输出,输出电流 = 300 mA)。由于TCR3UG系列可以使用1 μF的小型陶瓷输入和输出电容器,因此这些器件非常适合需要高密度电路板组装的便携式应用,如手机、物联网设备和可穿戴设备。 重量:0.26 mg(典型值)
  • 1+

    ¥2.84
  • 10+

    ¥2.78
  • 30+

    ¥2.73
  • 100+

    ¥0.9684 ¥2.69
  • 有货
  • 高开关速度、低功耗、高噪声免疫性、低导通电阻的双4通道模拟多路复用器/解复用器。
    • 1+

      ¥2.92
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      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.41
    • 100+

      ¥2.24
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      ¥2.13
  • 有货
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      ¥3.05
    • 10+

      ¥2.37
    • 30+

      ¥2.08
    • 125+

      ¥1.71
    • 500+

      ¥1.55
    • 1000+

      ¥1.45
  • 有货
  • 由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合组成,采用 SO6 封装。使用高速、高增益检测元件,电流传输比在 -40 至 125℃ 范围内最小为 900%(IF = 0.5 mA),适用于需要低输入电流和高速数据传输的应用。传输速率为 100 kbps,填补了通用晶体管耦合器和对应 1 Mbps 的 IC 耦合器之间的空白。
    • 1+

      ¥3.24
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      ¥2.59
    • 30+

      ¥2.27
    • 100+

      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.66
  • 有货
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      ¥3.47
    • 10+

      ¥2.83
    • 30+

      ¥2.5
    • 100+

      ¥1.1118 ¥2.18
    • 500+

      ¥1.0149 ¥1.99
    • 1000+

      ¥0.9639 ¥1.89
  • 有货
  • 双总线缓冲器,具有三态输出
    数据手册
    • 1+

      ¥3.5697 ¥4.89
    • 10+

      ¥2.5074 ¥3.98
    • 30+

      ¥1.8656 ¥3.52
    • 100+

      ¥1.6271 ¥3.07
    • 500+

      ¥1.484 ¥2.8
    • 1000+

      ¥1.4098 ¥2.66
  • 有货
  • TCK401G和TCK402G是28V高输入电压的外部FET驱动IC。它们具有较宽的输入电压范围,采用小尺寸封装WCSP6E(0.8mm x 1.2mm,厚度:0.55mm)的压摆率控制驱动器。此外,通过使用外部串联FET,在开关关闭时,它们可以阻断反向电流。因此,它们适用于如电池充电应用等电源管理选择器。
    • 1+

      ¥3.59
    • 10+

      ¥2.86
    • 30+

      ¥2.5
    • 100+

      ¥2.14
    • 500+

      ¥1.92
  • 有货
    • 1+

      ¥3.69
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.58
    • 100+

      ¥2.22
    • 500+

      ¥2
    • 1500+

      ¥1.88
  • 有货
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥3.1
    • 50+

      ¥2.75
    • 100+

      ¥2.4
  • 有货
  • TC4011B 分别为 2 输入正逻辑与非门。由于这些门电路的所有输出端均配备反相器作为缓冲器,因此改善了输入/输出特性,并将负载电容增加导致的传播延迟时间变化降至最低。
    • 1+

      ¥4.21
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.95
    • 100+

      ¥2.53
  • 有货
  • 由零交叉光控三端双向可控硅组成,与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装,保证爬电距离最小为 5.0mm,电气间隙最小为 5.0mm,绝缘厚度最小为 0.4mm。因此,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.3392 ¥13.56
    • 10+

      ¥2.5454 ¥11.57
    • 30+

      ¥1.2396 ¥10.33
    • 100+

      ¥1.086 ¥9.05
    • 500+

      ¥1.0176 ¥8.48
    • 1000+

      ¥0.9876 ¥8.23
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品,体积更小、更薄,并且符合加强绝缘的国际安全标准,为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.4
    • 10+

      ¥3.58
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.76
    • 500+

      ¥2.52
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.45Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.59
    • 10+

      ¥3.6
    • 50+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.47
  • 有货
  • 低电压四总线缓冲器,具有5V容限输入和输出。设计用于3.3V系统,在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件设计用于低电压(3.3V)VCC应用,但可用于输入连接到5V电源环境。该器件需要将三态控制输入(OE)设置为低电平,以使输出进入高阻抗状态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6201 ¥9.83
    • 10+

      ¥3.0377 ¥8.21
    • 30+

      ¥1.9764 ¥7.32
    • 100+

      ¥1.7037 ¥6.31
    • 500+

      ¥1.5822 ¥5.86
    • 1000+

      ¥1.5282 ¥5.66
  • 有货
  • 非反相器(开漏)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6201 ¥9.83
    • 10+

      ¥3.0377 ¥8.21
    • 30+

      ¥1.9764 ¥7.32
    • 100+

      ¥1.7037 ¥6.31
    • 500+

      ¥1.5822 ¥5.86
    • 1000+

      ¥1.5282 ¥5.66
  • 有货
  • TB67S109A是一款采用PWM斩波器的两相双极步进电机驱动器,内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造,额定值为50 V/4.0 A。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥4.67
    • 30+

      ¥4.59
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 7.5 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 24 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 9.8 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_KSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥4.91
    • 10+

      ¥4.79
    • 30+

      ¥4.72
    • 100+

      ¥4.64
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 26 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.18
    • 10+

      ¥4.14
    • 30+

      ¥3.63
  • 有货
  • 是一种光耦合器,由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L(4 引脚)封装,具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压,适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。
    • 1+

      ¥5.27
    • 10+

      ¥4.19
    • 30+

      ¥3.65
    • 100+

      ¥3.12
    • 500+

      ¥2.79
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm(最大)的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。具有内部法拉第屏蔽,可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥5.32
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥3.79
    • 100+

      ¥3.29
    • 500+

      ¥2.99
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。此外,它还具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥5.75
    • 10+

      ¥4.66
    • 30+

      ¥4.12
    • 100+

      ¥3.58
    • 500+

      ¥3.26
  • 有货
  • 光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装,保证绝缘厚度为0.4mm(最小值)。因此,该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    • 1+

      ¥5.87
    • 10+

      ¥5.32
    • 30+

      ¥5.01
    • 100+

      ¥4.67
  • 有货
  • 适用于70W高保真音频放大器输出级。
    • 1+

      ¥6.05
    • 10+

      ¥4.89
    • 30+

      ¥4.31
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压(3750 Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 1+

      ¥6.38
    • 10+

      ¥5.73
    • 30+

      ¥5.37
    • 100+

      ¥4.96
    • 500+

      ¥4.78
  • 有货
  • 由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用DIP6封装,保证绝缘厚度为0.4mm(最小值),因此符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.545 ¥8.5
    • 10+

      ¥5.2394 ¥7.82
    • 30+

      ¥4.218 ¥7.4
    • 100+

      ¥3.9729 ¥6.97
    • 500+

      ¥3.8646 ¥6.78
    • 1500+

      ¥3.8133 ¥6.69
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.32Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 8.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 650V)。 增强模式:Vth = 5.0 至 5.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关稳压器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥7.7264 ¥8.78
    • 10+

      ¥5.7252 ¥7.34
    • 50+

      ¥4.454 ¥6.55
    • 100+

      ¥3.8488 ¥5.66
    • 500+

      ¥3.5768 ¥5.26
    • 1000+

      ¥3.4544 ¥5.08
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.17 Ω(典型值),采用超级结结构:DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.5 至 3.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.9 mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.87
    • 10+

      ¥8.09
    • 50+

      ¥7.59
    • 100+

      ¥7.09
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 4.5 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IRSS = 10 μA(最大值)(VDS = 150 V)。 增强模式:VTM = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.3 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥9.126 ¥11.7
    • 10+

      ¥6.8 ¥10
    • 30+

      ¥5.1852 ¥8.94
    • 100+

      ¥4.553 ¥7.85
    • 500+

      ¥4.263 ¥7.35
    • 1000+

      ¥4.1412 ¥7.14
  • 有货
  • 特性:快速反向恢复时间:trr = 110 ns(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.15Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VCu = 3至4.5V,VDS = 10V,ID = 1mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥9.44
    • 10+

      ¥7.94
    • 50+

      ¥7
  • 有货
  • 由GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成,采用8引脚SO8封装。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证了±15 kV/μs的共模瞬态抗扰度,有逻辑缓冲输出,也有反相器输出版本。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.96
    • 10+

      ¥8.45
    • 30+

      ¥7.51
    • 100+

      ¥6.54
    • 500+

      ¥6.11
  • 有货
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