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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
型号：TLP5701(TP,E 编号：C74960
封装：SOIC-6-300mil
品牌：TOSHIBA(东芝)
TLP5701是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个GaAlAs红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片通过光耦合组成。它能在高达110 °C的温度下保证性能和规格。与采用8引脚DIP封装的产品相比，TLP5701在尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准
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  • 665+

    ￥2.593351

  • 1000+

    ￥2.222873
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TC7SZ07F,LJ(CT
型号：TC7SZ07F,LJ(CT 编号：C2675571
封装：SOT-23-5
品牌：TOSHIBA(东芝)
非反相器（开漏）
数据手册

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    ￥3.0972 ￥3.48

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    ￥2.2436 ￥2.84

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    DC 3.75kV
    型号：TLP2309(TPL,E 编号：C7527971
    封装：SOIC-6-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

    • 1+

      ￥3.23

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    三态输出，8位移位寄存器/锁存器
    型号：74VHC595FT 编号：C3304543
    封装：TSSOP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    8位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器，在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作。包含一个8位静态移位寄存器，为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成，输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容

    • 1+

      ￥3.24

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      ￥2.58

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      ￥2.26
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    CMOS数字集成电路，模拟多路复用器/解复用器
    型号：74HC4052D 编号：C2673121
    封装：SOIC-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    74HC4051D：8通道模拟多路复用器/解复用器 74HC4052D：双4通道模拟多路复用器/解复用器
    数据手册

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      ￥3.36

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    TC74HC4050AFTEL
    型号：TC74HC4050AFTEL 编号：C3755193
    封装：TSSOP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)

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      ￥3.45

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    MT3S111TU,LF(T
    型号：MT3S111TU,LF 编号：C5174755
    封装：UFM
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    适用于甚高频-超高频的低噪声、低失真放大器应用。
    数据手册

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      ￥3.48

    • 10+

      ￥2.8

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    1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
    型号：TK8A50D(STA4,X,M) 编号：C2848496
    封装：TO-220
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)=0.7Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册

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      ￥3.6556 ￥9.88

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      ￥2.2302 ￥8.26

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      ￥1.2529 ￥7.37

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      ￥1.0064 ￥5.92

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      ￥0.9724 ￥5.72
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    CMOS数字集成电路双总线缓冲器，三态输出
    型号：TC7WH125FK,LJ(CT 编号：C2676198
    封装：US-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    双总线缓冲器，具有三态输出
    数据手册

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      ￥3.9609 ￥4.89

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      ￥2.8258 ￥3.98

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      ￥2.1472 ￥3.52

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      ￥1.8727 ￥3.07

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      ￥1.6226 ￥2.66
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：TLP266J(T7-TPL,E 编号：C146295
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP266J 由一个过零光控双向晶闸管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成。TLP266J 采用 SO6 封装，保证爬电距离为 5.0 mm（最小值），电气间隙为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。因此，TLP266J 符合国际安全标准的增强绝缘等级要求。
    数据手册

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      ￥3.9984 ￥7.84

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      ￥3.3354 ￥6.54

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    1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
    型号：TK10A60D(STA4,X,M) 编号：C2936833
    封装：SC-67
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用
    数据手册

    • 1+

      ￥4.12

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    HN4A06J(TE85L,F)
    型号：HN4A06J(TE85L,F) 编号：C22443435
    封装：-
    品牌：TOSHIBA(东芝)

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      ￥4.15

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      ￥3
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    CMOS 数字模拟多路复用器/解复用器
    型号：TC74HC4051AFT(EL) 编号：C5348958
    封装：TSSOP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器，采用硅栅C²MOS技术制造。它们实现了与等效LSSTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。具有不同的通道配置，控制终端的数字信号可打开相应通道的开关，能通过小逻辑幅度控制信号切换大幅度信号。由于每个开关的导通电阻低，可连接到低输入阻抗的电路。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
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    • 1+

      ￥4.44

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    TC7S04F,LF(T
    型号：TC7S04F,LF 编号：C7473284
    封装：SSOP
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS反相器。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持C2MOS的低功耗。内部电路由3级组成，包括缓冲输出，具有高抗噪性和稳定的输出。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。输出电流是TC74HC系列型号的1/2。

    • 1+

      ￥4.65

    • 10+

      ￥3.79

    • 30+

      ￥3.35
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    1个N沟道 耐压:100V
    型号：TPH4R50ANH,L1Q(M 编号：C516864
    封装：SOP-8-EP-5.0mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：小而薄的封装。 高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 22 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。 增强模式：V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥4.8972 ￥6.36

    • 10+

      ￥3.4706 ￥5.18

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      ￥2.2857 ￥4.01

    • 500+

      ￥2.0862 ￥3.66

    • 1000+

      ￥1.9836 ￥3.48
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    N沟道 耐压:600V 电流:7.5A
    型号：TK8A60DA(STA4,X,S) 编号：C471289
    封装：TO-220F-3
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.8Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

    • 1+

      ￥4.96

    • 10+

      ￥4.17

    • 50+

      ￥3.78
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
    型号：XPH6R30ANB,L1XHQ 编号：C5838013
    封装：SOIC-8-5mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 小型、薄型封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.3 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VDM = 2.5至3.5V (VDS = 10V, ID = 0.5 mA)。应用：汽车。 电机驱动器

    • 1+

      ￥5.18

    • 10+

      ￥5.05

    • 30+

      ￥4.97
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
    型号：TK10A60D(STA4,Q,M) 编号：C192040
    封装：TO-220F-3
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册

    • 1+

      ￥5.35

    • 10+

      ￥4.27

    • 50+

      ￥3.73
  • 有货
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    CMOS数字集成电路
    型号：TC7SZ07FU,LJ(CT 编号：C388848
    封装：SOT-353
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    非反相器（开漏）
    数据手册

    • 1+

      ￥5.5048 ￥9.83

    • 10+

      ￥3.7766 ￥8.21

    • 30+

      ￥2.6352 ￥7.32

    • 100+

      ￥2.2716 ￥6.31

    • 500+

      ￥2.1096 ￥5.86

    • 1000+

      ￥2.0376 ￥5.66
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    N沟道 耐压:600V 电流:15A
    型号：TK15A60U(S4PHI,Q) 编号：C3011029
    封装：TO-220F-3
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：无载流子存储效应；卓越的频率和开关特性。坚固耐用，无电流集中现象。电压控制型器件，驱动功率低。易于并联连接。保证雪崩能力，可简化吸收电路。内置二极管性能改善，增强电路设计灵活性。应用：手机。笔记本电脑
    数据手册

    • 1+

      ￥5.6589 ￥14.51

    • 10+

      ￥3.596 ￥12.4

    • 50+

      ￥2.1052 ￥11.08

    • 100+

      ￥1.8487 ￥9.73

    • 500+

      ￥1.7328 ￥9.12

    • 1000+

      ￥1.6815 ￥8.85
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    带5V容限输入输出的低压四路总线缓冲器
    型号：74LCX126FT 编号：C2676039
    封装：TSSOP-14
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    低电压四总线缓冲器，具有5V容限输入和输出。设计用于3.3V系统，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件设计用于低电压（3.3V）VCC应用，但可用于输入连接到5V电源环境。该器件需要将三态控制输入（OE）设置为低电平，以使输出进入高阻抗状态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.6952 ￥10.17

    • 10+

      ￥3.933 ￥8.55

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      ￥2.7576 ￥7.66

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      ￥2.394 ￥6.65

    • 500+

      ￥2.1384 ￥5.94

    • 1000+

      ￥2.0628 ￥5.73
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    光耦合器，红外LED与光控双向可控硅
    型号：TLP3052A(D4TP1,F 编号：C28260533
    封装：SMD-6P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

    • 1+

      ￥5.87

    • 10+

      ￥5.32

    • 30+

      ￥5.01

    • 100+

      ￥4.67
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    停产 光电耦合器
    型号：TLP701H(TP,F) 编号：C4153777
    封装：SOIC-6-6.8mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    该产品是一款采用SDIP6封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125°C的温度下保证性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，该光耦合器体积更小，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。它具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，拥有图腾柱输出，能够吸收和提供电流，非常适合用于IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

    • 1+

      ￥6.11

    • 10+

      ￥5.03

    • 30+

      ￥4.43

    • 100+

      ￥3.76
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    8通道源型DMOS晶体管阵列
    型号：TBD62783APG 编号：C146380
    封装：DIP-18
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.38

    • 10+

      ￥5.3

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    • 100+

      ￥4.04
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    电压:60V 电流:3A
    型号：CMS15(TE12L,Q,M) 编号：C5599368
    封装：SOD-128
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    适用于开关稳压器、DC-DC转换器中的射频整流。由于采用小型封装，适合高密度电路板组装。

    • 1+

      ￥6.78

    • 10+

      ￥5.57

    • 30+

      ￥4.91

    • 100+

      ￥4.17
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    PNP 电流:10A 电压:140V
    型号：2SA1941-O(S1,E,S) 编号：C261917
    封装：TO-3P-3
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    适用于70W高保真音频放大器输出级
    数据手册

    • 1+

      ￥6.86

    • 10+

      ￥5.63

    • 25+

      ￥4.67
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    DC输入 1通道
    型号：TLP2962(F) 编号：C146458
    封装：DIP-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用DIP8封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为20kV/μs。
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:13A
    型号：TK13A65U 编号：C556316
    封装：SC-67
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.32Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 650V)。 增强模式：Vth = 5.0 至 5.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用
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    600V 30A
    型号：GT30J122A(STA1,E,D 编号：C435817
    封装：TO-3PN
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：第四代。 增强模式。 高速开关：U = 0.20 μs（典型值）(IC = 50 A)。 低饱和电压：VCE(sat) = 1.7V（典型值）(IC = 50 A)。应用：专用电流谐振逆变器开关应用。 专用部分开关功率因数校正（PFC）应用
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    时钟控制的双极步进电机驱动器
    型号：TB67S109AFTG(O,EL) 编号：C18186215
    封装：QFN-48
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用PWM斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造，额定值为50V/4.0A。

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