东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TB67H450FNG,EL 编号：C545417

封装：HSOP-8-EP

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H450FNG是一款PWM斩波式直流有刷电机驱动器，内置一个电机输出通道。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50 V，最大电流为3。

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1+
￥3.81
10+
￥3.04
30+
￥2.66
100+
￥2.28
500+
￥2.05
1000+
￥1.93

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型号：TLP293-4(GB-TP,E 编号：C112623

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 4光电耦合器采用超小型薄型SO16封装。由于TLP293 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C，且具有较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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1+
￥4.22
10+
￥3.39
30+
￥2.97
100+
￥2.56
500+
￥2.26
1000+
￥2.13

有货

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型号：TK7A90E,S4X(S 编号：C5331584

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。低漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)。应用：开关稳压器

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1+
￥5.54
10+
￥4.42
50+
￥3.86
100+
￥3.3
500+
￥2.97
1000+
￥2.79

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型号：TPH2R608NH,L1Q(M 编号：C5379811

封装：SOP-8-Advance(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 28 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 75 V)。增强模式：VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥7.45
10+
￥6.1
30+
￥5.36
100+
￥4.52
500+
￥4.15
1000+
￥3.98

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型号：T2N7002BK,LM 编号：C146372

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ESD(HBM) 等级：2 kV。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

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50+
￥0.0954
500+
￥0.0738
3000+
￥0.0618
6000+
￥0.0546
24000+
￥0.0484
51000+
￥0.045

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型号：2SC2712-GR,LF 编号：C83447

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于音频频率的通用放大器应用。具有高电压和高电流、出色的hFE线性度、高hFE、低噪声等特点，采用小封装。

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20+
￥0.1844
200+
￥0.1446
600+
￥0.1225
3000+
￥0.0825
9000+
￥0.071
21000+
￥0.0649

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型号：SSM3J328R,LF 编号：C396016

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用：电源管理开关应用

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10+
￥0.3801
100+
￥0.2985
300+
￥0.2578
3000+
￥0.2188
6000+
￥0.1943
9000+
￥0.182

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型号：SSM3K56ACT,L3F 编号：C146308

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 235 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 300 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 480 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 840 mΩ（最大值）(@VGS = 1.5V)。应用：高速开关

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10+
￥0.2909
100+
￥0.228
300+
￥0.1966
1000+
￥0.173
5000+
￥0.1542
10000+
￥0.1447

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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C99494

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE) 由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO4 封装。由于 TLP290(SE) 保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 110°C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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5+
￥1.0796
50+
￥0.8394
150+
￥0.7364
500+
￥0.608
2500+
￥0.5508
5000+
￥0.5164

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型号：TLP172AM(TPL,E 编号：C2152276

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP172AM由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SO6封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通断控制。

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1+
￥5.33
10+
￥4.24
30+
￥3.7
100+
￥3.16
500+
￥2.69
1000+
￥2.53

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型号：TLP5754(TP,E 编号：C331357

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

IGBT驱动光耦

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.34
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥2.47
1500+
￥2.32

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型号：TLP250H(TP1,F) 编号：C3002258

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

数据手册

1+
￥7.5
10+
￥6.16
30+
￥5.43
100+
￥4.61
500+
￥4.24
1500+
￥4.07

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型号：TB6600HG 编号：C66042

封装：HZIP-25-P-1mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

大功率、高细分，两相混合式步进电机驱动芯片

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1+
￥25.82
10+
￥21.91
34+
￥19.59
102+
￥17.24
493+
￥16.16
1020+
￥15.67

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型号：74VHC14FT(BJ) 编号：C80863

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与74VHC04FT相同，但输入具有滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

数据手册

5+
￥0.7301
50+
￥0.5565
150+
￥0.4697
500+
￥0.4046
2500+
￥0.3525
5000+
￥0.3265

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型号：TLP185(GR-TPL,SE 编号：C128776

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥0.7764
50+
￥0.6083
150+
￥0.5242
500+
￥0.4611
3000+
￥0.4107
6000+
￥0.3854

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型号：TLP293(GR-TPL,E 编号：C2832665

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥0.863
50+
￥0.7445
150+
￥0.6937
500+
￥0.6303
2500+
￥0.6202
5000+
￥0.6033

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型号：TLP292(GB-TPL,E 编号：C74225

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流输入型低电平光耦合器，在 SO4 封装中，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 125 °C），因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.4463
50+
￥1.1338
150+
￥0.9999
500+
￥0.8328
2500+
￥0.7147
5000+
￥0.6701

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型号：TBD62083AFNG(Z,EL) 编号：C4153827

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

1+
￥4.52
10+
￥3.61
30+
￥3.16
100+
￥2.71
500+
￥2.44
1000+
￥2.3

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型号：TBD62083AFG,EL 编号：C163228

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，本芯片用场效应管作输出管，相比传统的ULN2803（三极管做输出管）管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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1+
￥5.18
10+
￥4.14
30+
￥3.62
100+
￥3.11
500+
￥2.8
1000+
￥2.64

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型号：TPH4R50ANH1,LQ(MW 编号：C31837493

封装：SOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小型薄封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥5.35
10+
￥4.27
30+
￥3.73
100+
￥3.19
500+
￥2.87
1000+
￥2.7

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型号：TCD1304DG(8Z,K) 编号：C5348961

封装：CDIP-22

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高灵敏度、低暗电流的3648像元CCD线性图像传感器，由高灵敏度CCD芯片组成，具有电子快门功能（ICG），该功能可使输出电压不受光强变化影响而保持恒定。

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1+
￥309
30+
￥293.22

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型号：1SS226(TE85L,F) 编号：C165923

封装：S-Mini

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。应用：超高速开关

数据手册

10+
￥0.239
100+
￥0.1836
300+
￥0.1558
3000+
￥0.135
6000+
￥0.1184
9000+
￥0.11

有货

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型号：SSM3K324R,LF 编号：C395455

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

10+
￥0.3481
100+
￥0.2713
300+
￥0.2329
3000+
￥0.2041
6000+
￥0.1811
9000+
￥0.1696

有货

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型号：TC7SH08FU,LJ(CT 编号：C5156525

封装：USV

品牌：TOSHIBA(东芝)

2输入与门

数据手册

10+
￥0.435
100+
￥0.3486
300+
￥0.3054
3000+
￥0.273
6000+
￥0.247

有货

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型号：1SS315TPH3F 编号：C146374

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：UHF 波段混频器应用

数据手册

5+
￥0.7121
50+
￥0.5448
150+
￥0.4611
500+
￥0.3984
3000+
￥0.3086
6000+
￥0.2835

有货

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型号：TC7WH157FU,LJ(CT 编号：C128633

封装：SSOP-8-3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

双通道多路复用器。

数据手册

5+
￥0.95364 ￥1.3245
50+
￥0.84024 ￥1.167
150+
￥0.79164 ￥1.0995
500+
￥0.731016 ￥1.0153
3000+
￥0.704016 ￥0.9778
6000+
￥0.687816 ￥0.9553

有货

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型号：TPN2R703NL,L1Q(M 编号：C5307666

封装：TSON-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥3.42
30+
￥2.99
100+
￥2.56
500+
￥2.31
1000+
￥2.18

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型号：TLP291-4(TP,E) 编号：C516180

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291-4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP291-4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP291-4可在较宽的工作温度范围（Ta = -55至110 °C）内保证性能，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥5.89
10+
￥4.64
30+
￥4.01
100+
￥3.39
500+
￥3.02
1000+
￥2.83

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型号：TPHR8504PL,LQ(M1W 编号：C22388172

封装：DFN-8(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥5.91
10+
￥4.73
30+
￥4.13
100+
￥3.55
500+
￥3.2
1000+
￥3.02

有货

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥6.09
10+
￥4.94
30+
￥4.37
100+
￥3.8
500+
￥2.99
1500+
￥2.81

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