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封装：SOIC-14-175mil

是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 相似的高速运行。内部电路由三级组成，包括缓冲输出，提供高抗噪性和稳定输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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型号：TLP385(BL-TPR,E 编号：C39707756

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP293(TPL,E 编号：C970960

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成，采用 SO4 封装。保证了高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽的工作温度 (-55 至 125℃)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：74HC125D 编号：C2675676

封装：SOIC-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP385(D4-TPL,E 编号：C39708496

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TPH8R008NH,L1Q(M 编号：C396040

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：74VHCT245AFT(BE) 编号：C5331518

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线收发器。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗。用于数据总线之间的双向异步通信。数据传输方向由DIR输入的电平决定。使能输入 (G(overline)) 可用于禁用该器件，以使总线有效隔离。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5.5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可向输入和输出引脚施加0V至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如备用电池等）而导致的器件损坏。

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C7421359

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C516863

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TC74HC4052AF(EL,F) 编号：C5156036

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

高开关速度、低功耗、高噪声免疫性、低导通电阻的双4通道模拟多路复用器/解复用器。

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型号：TLP385(D4GB-TL,E 编号：C17256801

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP291(SE 编号：C17530566

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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型号：TC74AC14FT(EL) 编号：C5381643

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

六施密特反相器 TC74AC14FT 是一款采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 施密特反相器。

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型号：TLP291(V4GBTP,E 编号：C5370552

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发光二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用。

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型号：TLP291(V4GBTP,E 编号：C5370572

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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型号：TLP387(TPL,E 编号：C7495072

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

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型号：TK6A65D(STA4,X,M) 编号：C2840181

封装：SC-67-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.95Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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型号：TLP2768A(D4-TP,E 编号：C5370532

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：TK8A65D(STA4,Q,M) 编号：C2990817

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。高正向转移导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 650V）。增强模式：Vth = 2.0±0.4V（VDS = 10V，ID = 1mA）

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型号：TLP290-4(V4GBTPE 编号：C2961982

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4保证能在较宽的工作温度范围ΔTa = -55至110 °C内正常工作，因此它适用于诸如可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP387(D4-TPL,E 编号：C17474491

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

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型号：TLP2748(TP,E 编号：C2848502

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2748由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

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型号：TK5A65D(STA4,Q,M) 编号：C435819

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 1.2Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 2.6S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 650V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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型号：TLP293-4(4LGBTPE 编号：C17297808

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：TLP352(F) 编号：C73968

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

场效应管驱动光耦

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型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TK15A60D(STA4,X,M) 编号：C5198102

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.31Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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型号：TB9102FNG,EL 编号：C2150484

封装：SSOP-24-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB9102FNG是一款集成了输出驱动器的电机控制IC，专为直接驱动汽车用有刷小型直流电机而设计。它可用作3通道H桥驱动器或6通道半桥驱动器。电机控制信号通过SPI接口从外部MCU输入

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型号：2SC5200N(S1,E,S) 编号：C5362566

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：ΔVCEO = 230 V（最小值）。与2SA1943N互补。推荐用于100W高保真音频放大器输出级。应用：功率放大器

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型号：TLP2710(TP4,E 编号：C5346752

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款5-Mbps低功耗光电耦合器，采用小型SO6L封装，厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.3mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。

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