东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP151A(TPR,E) 编号：C143953

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管（LED）与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

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1+
￥8.22
10+
￥6.75
30+
￥5.95
100+
￥5.03
500+
￥4.53
1000+
￥4.34

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型号：TK9J90E,S1E 编号：C695269

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 720 V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.9 mA)。应用：开关稳压器

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1+
￥8.61
10+
￥7.17
25+
￥6.28

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型号：TLP5214(TP,E 编号：C17414166

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5214是一款高度集成的输出电流为4.0A的IGBT栅极驱动光耦，采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。TLP5214是一款智能栅极驱动光耦，具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位以及欠压锁定（UVLO）等功能。

1+
￥13.38
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￥12.13
30+
￥11.34
100+
￥10.54
500+
￥10.17

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型号：TLP250(F) 编号：C4078

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

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1+
￥16.17
10+
￥13.61
50+
￥12.02

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型号：TLP3412(TP,F 编号：C2653904

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外LED光耦合，采用VSON4封装。具有低CR乘积和低导通电阻，因此可提供高导通电流。

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1+
￥29.31
10+
￥24.89
30+
￥22.26
100+
￥19.6

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型号：TBAT54S,LM 编号：C5331537

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：超高速开关

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20+
￥0.1406
200+
￥0.1109
600+
￥0.0944

有货

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型号：1SS427,L3M 编号：C2847399

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：超高速开关

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10+
￥0.142424 ￥0.3748
100+
￥0.083972 ￥0.2999
300+
￥0.047232 ￥0.2624
1000+
￥0.042192 ￥0.2344
5000+
￥0.038142 ￥0.2119
10000+
￥0.036126 ￥0.2007

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型号：TBAV99,LM 编号：C145146

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

开关二极管

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20+
￥0.1684
200+
￥0.1333
600+
￥0.1138

有货

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型号：1SS387,H3F 编号：C5381786

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。紧凑型 2 引脚封装。适合高密度安装。低正向电压：Vr v = 0.98V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6 ns（典型值）。小总电容：CT = 0.5pF（典型值）

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20+
￥0.1854
200+
￥0.1391
600+
￥0.1133

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型号：1SS187(LF,T) 编号：C165921

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。小封装：SC-59。低正向电压 Vf(3) = 0.92V (典型值)。快速反向恢复时间：trF = 1.6ns (典型值)。小总电容：CT = 2.2pF (典型值)

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10+
￥0.187542 ￥0.4077
100+
￥0.119088 ￥0.3308
300+
￥0.076024 ￥0.2924
3000+
￥0.06604 ￥0.254
6000+
￥0.060034 ￥0.2309
9000+
￥0.057018 ￥0.2193

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型号：2SA1587-GR,LF 编号：C2762671

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于音频通用放大应用。

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5+
￥0.219526 ￥0.5777
50+
￥0.129416 ￥0.4622
150+
￥0.07281 ￥0.4045
500+
￥0.065016 ￥0.3612
3000+
￥0.058788 ￥0.3266
6000+
￥0.055674 ￥0.3093

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型号：RN1403,LF 编号：C17524141

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2401至RN2406互补。应用：开关。逆变器电路

20+
￥0.2447
200+
￥0.1967
600+
￥0.1727

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型号：1SS314,H3F 编号：C5200232

封装：SOD-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于VHF调谐器频段开关应用。小封装。总电容小：CT = 1.2pF（最大值），低串联电阻：rs = 0.5Ω（典型值）

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10+
￥0.2652
100+
￥0.2073
300+
￥0.1783
3000+
￥0.1565
6000+
￥0.1392
9000+
￥0.1305

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型号：SSM3K15AFS,LF 编号：C150117

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,30V,0.1A,3.6Ω@4V

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10+
￥0.2671
100+
￥0.2092
300+
￥0.1803

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型号：DF2S16FS,L3M 编号：C1972990

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

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10+
￥0.2927
100+
￥0.2293
300+
￥0.1976
1000+
￥0.1738
5000+
￥0.1548

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型号：RN2303,LF 编号：C5381791

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1301至RN1306互补。应用：开关。逆变器电路

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10+
￥0.3089
100+
￥0.2417
300+
￥0.2081

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型号：DF2B26M4SL,L3F 编号：C1974529

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B26M4SL是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B26M4SL利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B26M4SL采用超紧凑封装（0.62 mm×0.32 mm），满足对空间要求较小的应用需求。

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5+
￥0.314712 ￥0.3384
50+
￥0.274896 ￥0.3312
150+
￥0.238272 ￥0.3264
500+
￥0.234768 ￥0.3216

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型号：CUS357,H3F 编号：C2929511

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低正向电压：VF(3) = 0.54V (典型值)。低反向电流：IR(1) = 1μA (最大值)。通用USC封装，相当于SOD-323和SC-76封装。应用：高速开关

10+
￥0.3295
100+
￥0.2575
300+
￥0.2215

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型号：CES520,L3F 编号：C5618940

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低反向电流：I_REF = 5μA（最大值）。小型紧凑的ESC封装，相当于SOD-523和SC-79封装。应用：高速开关

10+
￥0.331
100+
￥0.259
300+
￥0.223
1000+
￥0.196

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型号：SSM3K15AFU,LF 编号：C146302

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动。低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (max) (VGS = 4V)；RDS(ON) = 6.0Ω (max) (VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用

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10+
￥0.3629
100+
￥0.2878
300+
￥0.2502

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型号：CRS10I40B(TE85L.QM) 编号：C2762663

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：峰值正向电压：VTM = 0.45V（最大值）@ ITM = 1A。平均正向电流：IF(AV) = 1A。重复峰值反向电压：VRRM = 40V。小型薄封装，适用于高密度电路板组装。应用：开关稳压器的二次整流。移动设备的反向电流保护

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1+
￥0.417768 ￥1.0712
10+
￥0.247196 ￥0.8524
30+
￥0.144134 ￥0.7586
100+
￥0.121904 ￥0.6416
500+
￥0.112005 ￥0.5895
1000+
￥0.106077 ￥0.5583

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型号：CUS551V30,H3F(B 编号：C4153787

封装：SOD-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：Vr(3) = 0.38V（典型值）。通用USC封装，相当于SOD-323和SC-76封装。应用：高速开关

10+
￥0.4178
100+
￥0.3266
300+
￥0.281

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型号：1SS362(TE85L,F) 编号：C3002938

封装：SC-75

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于超高速开关应用，小封装，正向电流和正向电压特性出色，反向恢复时间快，总电容小。

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10+
￥0.4242
100+
￥0.3297
300+
￥0.2824

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型号：1SS387CT,L3F 编号：C146341

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低正向电压：VF(3) = 0.98V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6 ns（典型值）。小总电容：Ct = 0.5pF（典型值）。应用：超高速开关

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5+
￥0.4587
50+
￥0.3615
150+
￥0.3129

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型号：HN1A01FU-GR,LF 编号：C6631774

封装：TSSOP-6(SC-88)SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装（双类型）。高电压：VCEO = -60 V。高集电极电流：IC = -150 mA (max)。高hFE：hFE = 120 to 400。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.)。应用：低频放大器