东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TA48L033F(TE12L,F) 编号：C22385524

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

由固定正输出、低压差稳压器组成，输出电流为 0.15 A（最大值），输出级采用 V-PNP 晶体管。为了满足消费电子和工业设备对低压和低功耗器件的需求，该系列提供低输出电压器件：1.8 V、2 V、2.5 V、3 V、3.3 V、5 V。

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型号：TLP182(BL-TPL,E 编号：C7495066

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联红外LED光耦合组成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP291(V4B-TP,SE 编号：C22813837

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合而成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用。

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型号：TK6A65D(STA4,X,M) 编号：C2840181

封装：SC-67-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.95Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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型号：TTA006B,Q 编号：C6340373

封装：TO-126N

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：V_CBE = -230V (min)。小集电极输出电容：C_ob = 30 pF (typ.)。高过渡频率：f_T = 70 MHz (typ.)。与TTC011B互补。应用：功率放大器。音频放大器

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型号：TTC014,L1NV 编号：C7403922

封装：2-7J1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。高集电极击穿电压：VCEO = 800V，VCBO = 900V。高速开关：Δtr = 0.2μs（典型值），tf = 0.4 μs（典型值）(IC = 0.3A)。应用：高速高压开关。开关稳压器

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型号：TK58E06N1,S1X(S 编号：C5555030

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.4 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器

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型号：TK8A65D(STA4,Q,M) 编号：C2990817

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。高正向转移导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 650V）。增强模式：Vth = 2.0±0.4V（VDS = 10V，ID = 1mA）

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型号：TLP2761(D4-TP,E 编号：C5798523

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

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型号：TMP86FS49BFG(CZHZ) 编号：C1342661

封装：QFP-64(14x14)

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TBD62502AFNG,EL 编号：C2150132

封装：SSOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62502A 系列和 TBD62503A 系列是 7 路 DMOS 晶体管阵列。使用时请留意散热条件。

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型号：TLP240J(TP1,F 编号：C2835182

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP525G-2(F) 编号：C141569

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光控三端双向可控硅组成。TLP525G-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道，而 TLP525G-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。

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型号：XPH4R714MC,L1XHQ 编号：C7397254

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP2710(TP4,E 编号：C5346752

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款5-Mbps低功耗光电耦合器，采用小型SO6L封装，厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.3mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。

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型号：2SC5200N(S1,E,S) 编号：C5362566

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：ΔVCEO = 230 V（最小值）。与2SA1943N互补。推荐用于100W高保真音频放大器输出级。应用：功率放大器

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型号：TLP292-4(4LGBTRE 编号：C17309043

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：2SA1943-O(S1,F,S) 编号：C2929212

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TK160F10N1L,LQ 编号：C5370535

封装：TO-220SM(W)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.5至3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：汽车。开关稳压器

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型号：TPH2R506PL,L1Q 编号：C2758656

封装：SOPAdvance-8(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Qsw = 19 nC (典型值)。小输出电荷：QBS = 51 nC (典型值)。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ (典型值)(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA (最大值)(VDS = 60 V)。增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

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￥10.29
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￥8.85

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型号：TPH2R408QM,L1Q 编号：C5802574

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 28 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 90 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_RSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。增强模式：V_th = 2.5 至 3.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥15.7
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型号：TBD62083APG 编号：C114143

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2803APG(C5252)升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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型号：TB67S109AFNG(O,EL) 编号：C840442

封装：HTSSOP-48-EP-6.1mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67S109A是一款采用PWM斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造，额定值为50 V/4.0 A。

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￥14.58
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型号：TLP190B(TPL,U,C,F) 编号：C4153841

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOSFET栅极驱动器。

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￥17.52
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型号：TB67S109AFNG,EL 编号：C2150624

封装：HTSSOP-48-EP-6.1mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥18.74
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￥15.91
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型号：TB6560AFTG(O,C8,EL 编号：C5370590

封装：QFN-48(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6560AFTG是一款PWM斩波型步进电机驱动IC，专为双极步进电机的正弦输入微步控制而设计。TB6560AFTG可用于需要2相、1 - 2相、2W1 - 2相和4W1 - 2相励磁模式的应用。仅需一个时钟信号，TB6560AFTG就能实现两相双极步进电机的低振动、高性能正反转驱动。

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￥22.08
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￥20.9
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￥20.2
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型号：TB67S109AFNAG 编号：C89325

封装：HSSOP-36

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67S109AFNAG步进电机驱动器

数据手册

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￥30.54
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￥26.52
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￥21.04
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￥18.62

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型号：THB6064AH 编号：C19935

封装：HZIP-25-P-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

42V/4.5A大电流步进电机驱动IC

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￥44.49
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型号：SSM3J35AFS,LF 编号：C7320707

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值），@VGS = -1.2V。RDS(ON) = 2.3Ω（典型值），@VGS = -1.5V。RDS(ON) = 2.0Ω（典型值），@VGS = -1.8V。RDS(ON) = 1.5Ω（典型值），@VGS = -2.5V。RDS(ON) = 1.1Ω（典型值），@VGS = -4.5V。应用：模拟开关

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