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TLP2303(TPL,E(T

型号：TLP2303(TPL,E 编号：C4153842

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合组成，采用 SO6 封装。使用高速、高增益检测元件，电流传输比在 -40 至 125℃ 范围内最小为 900%（IF = 0.5 mA），适用于需要低输入电流和高速数据传输的应用。传输速率为 100 kbps，填补了通用晶体管耦合器和对应 1 Mbps 的 IC 耦合器之间的空白。

1+
￥3.22
10+
￥2.57
30+
￥2.25
100+
￥1.93
500+
￥1.73
1000+
￥1.63

有货

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光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP290(GB,SE 编号：C5121287

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.84
30+
￥2.48
100+
￥2.13

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:11.1A

型号：TK11A65W,S5X(M 编号：C396036

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.5至3.5V，VDS = 10V，ID = 0.45mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥4.0685 ￥5.15
10+
￥3.2292 ￥4.68
50+
￥2.6137 ￥4.43
100+
￥2.4426 ￥4.14
500+
￥2.3659 ￥4.01
1000+
￥2.3305 ￥3.95

有货

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四路2输入与非门

型号：TC4011BF(EL,N,F) 编号：C66920

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4011B 分别为 2 输入正逻辑与非门。由于这些门电路的所有输出端均配备反相器作为缓冲器，因此改善了输入/输出特性，并将负载电容增加导致的传播延迟时间变化降至最低。

1+
￥4.21
10+
￥3.37
30+
￥2.95
100+
￥2.53

有货

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2SC5198-O(Q)

型号：2SC5198-O(Q) 编号：C4153789

封装：TO-3PN

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥6.19
10+
￥4.9
30+
￥4.25
100+
￥3.61

有货

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7通道灌电流型DMos晶体管阵列

型号：TBD62503APG 编号：C1556736

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：7 电路内置。高电压：VDUT = 50V（最大值）。高电流：IOUT = 300mA/ch（最大值）。输入电压（输出开启）：TBD62502A 系列 14V（最小值），TBD62503A 系列 2.5V（最小值）。输入电压（输出关闭）：TBD62502A 系列 7.0V（最大值），TBD62503A 系列 0.6V（最大值）。封装：PG 型 DIP16-P-300-2.54A；FG 型 SOP16-P-225-1.27；FNG 型 SSOP16-P-225-0.65B；FWG 型 P-SOP16-0410-1.27-002

数据手册

1+
￥6.29
10+
￥5.11
30+
￥4.51
100+
￥3.92
500+
￥3.57

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:60A

型号：TJ60S06M3L(T6L1,NQ 编号：C7068953

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.6 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。低漏电流：ILS = -10 μA（最大值）(VDS = -60 V)。增强模式：VDM = -2.0 至 -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)。应用：汽车。电机驱动器

1+
￥7.16
10+
￥5.87
30+
￥5.16

有货

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8位微控制器

型号：TMP89FM42UG(C,JZ) 编号：C412446

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥7.5872 ￥47.42
10+
￥6.5472 ￥40.92
30+
￥5.912 ￥36.95
100+
￥5.3808 ￥33.63

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:207A

型号：TK100E10N1,S1X(S 编号：C396029

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V，ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.88
10+
￥6.54
50+
￥5.42
100+
￥4.59

有货

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TLP700F(ABB-TP,F)

型号：TLP700F(ABB-TP,F) 编号：C50214854

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥9.02
10+
￥7.4
30+
￥6.51
100+
￥5.5
500+
￥5.06
1000+
￥4.85

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP2770(TP,E 编号：C150160

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款20Mbps的低功耗光耦合器，采用小型SO6L封装。封装厚度最大为2.3mm，保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40℃至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.4mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

数据手册

1+
￥10.72
10+
￥9.06
30+
￥8.03
100+
￥6.72
500+
￥6.24

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：TK160F10N1L,LQ 编号：C5370535

封装：TO-220SM(W)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.5至3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：汽车。开关稳压器

数据手册

1+
￥13.13
10+
￥12.43
30+
￥12.01
100+
￥11.59
500+
￥11.39
1000+
￥11.3

有货

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TLP7820(B-TP4,E(O

型号：TLP7820(B-TP4,E 编号：C2936835

封装：SOP-8L

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥13.41
10+
￥13.07
30+
￥12.84

有货

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TLP2270(TP4,E

型号：TLP2270(TP4,E 编号：C5943071

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2270由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。它采用厚度最大为2.35 mm的薄型SO8L封装。

1+
￥13.79
10+
￥11.61
30+
￥10.25
100+
￥8.85

有货

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1.2kV 40A

型号：GT40QR21(STA1,E,D 编号：C4153791

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。增强模式。高速开关 IGBT：tf = 0.20 μs（典型值）（IC = 40 A） FWD：trr = 0.60 μs（典型值）（IF = 15 A）。低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V（典型值）（IC = 40A）。高结温：TJ = 175℃（最大值）。应用：专用于电压谐振逆变器开关应用

1+
￥19.26
10+
￥16.32
25+
￥14.48
100+
￥12.59

有货

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TRS10A65F,S1Q(S

型号：TRS10A65F,S1Q(S 编号：C5331612

封装：TO-220F-2L

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥24.33
10+
￥20.84
50+
￥18.77
100+
￥16.68

有货

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PNP 150mA 50V

型号：2SA1162-GR(TE85LF 编号：C27228437

封装：S-Mini

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = -50V。高集电极电流：IC = -150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至400。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

20+
￥0.2207
200+
￥0.1727
600+
￥0.1487

有货

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电压:80V 电流:100mA

型号：1SS300(TE85L,F) 编号：C2880437

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。小封装：SC-70。低正向电压：Vₓ(3) = 0.92V（典型值）。快速反向恢复时间：tᵣᵣ = 1.6 ns（典型值）。小总电容：Cₜ = 2.2 pF（典型值）

10+
￥0.2427
100+
￥0.1899
300+
￥0.1635
3000+
￥0.1437

有货

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耐压:30V 电流:100mA

型号：SSM3K15AFS,LF 编号：C150117

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,30V,0.1A,3.6Ω@4V

数据手册

10+
￥0.2652
100+
￥0.2074
300+
￥0.1785

有货

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电压:30V 电流:200mA

型号：CES520,L3F 编号：C5618940

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低反向电流：I_REF = 5μA（最大值）。小型紧凑的ESC封装，相当于SOD-523和SC-79封装。应用：高速开关

10+
￥0.331
100+
￥0.259
300+
￥0.223
1000+
￥0.196

有货

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双极晶体管硅NPN外延型（带内置偏置电阻）

型号：RN1105MFV,L3F(CT 编号：C7421319

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。超小型封装，适合高密度安装。集成偏置电阻，减少外部部件数量，可减小系统尺寸并缩短组装时间。提供多种电阻值选择，以适应各种电路设计。与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.331
100+
￥0.259
300+
￥0.223

有货

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PNP 电流:100mA 电压:120V

型号：2SA1587-GR,LF 编号：C5331485

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。高电压：VCEO =-120V。出色的hFE线性度：hFE (IC =-0.1mA) / hFE (IC =-2mA) = 0.95（典型值）。高hFE：hFE = 200至700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与2SC4117互补。应用：音频通用放大器

数据手册

10+
￥0.338
100+
￥0.2636
300+
￥0.2264
3000+
￥0.1985
6000+
￥0.1762
9000+
￥0.165

有货

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80V 100mA

型号：1SS302A,LXGF 编号：C22391509

封装：USM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。快速反向恢复时间：trr = 1.6 ns（典型值）。应用：超高速开关

10+
￥0.3751
100+
￥0.2935
300+
￥0.2527

有货

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电压:10V 电流:100mA

型号：1SS374(TE85L,F) 编号：C2847393

封装：TO-236-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低正向电压：VP(2) = 0.23V（典型值）。小封装：SC-59。应用：高速开关应用

5+
￥0.400905 ￥0.8909
50+
￥0.353565 ￥0.7857
150+
￥0.33327 ￥0.7406
500+
￥0.30798 ￥0.6844
3000+
￥0.296685 ￥0.6593
6000+
￥0.289935 ￥0.6443

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC4116-BL(TE85L,F 编号：C27695127

封装：USM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至700。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA） = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

10+
￥0.4079
100+
￥0.3263
300+
￥0.2855

有货

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电压:40V 电流:500mA

型号：CTS05S40,L3F 编号：C396063

封装：CST-2

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.418752 ￥0.6543
50+
￥0.33504 ￥0.5235
150+
￥0.293248 ￥0.4582
500+
￥0.261824 ￥0.4091
2500+
￥0.236736 ￥0.3699
5000+
￥0.224192 ￥0.3503

有货

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用于静电放电保护的二极管

型号：DF5A6.8CJE.LM 编号：C2762689

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。低端子电容（阴极与阳极之间）：CT = 23 pF（典型值）

数据手册

10+
￥0.432
100+
￥0.3456
300+
￥0.3024
1000+
￥0.27

有货

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RN1402,LF(T

型号：RN1402,LF 编号：C7421322

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2401至RN2406互补。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.4356
50+
￥0.3396
150+
￥0.2916
500+
￥0.2556

有货

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80V 100mA

型号：1SS387CT,L3F 编号：C146341

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低正向电压：VF(3) = 0.98V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6 ns（典型值）。小总电容：Ct = 0.5pF（典型值）。应用：超高速开关

数据手册

5+
￥0.4474
50+
￥0.3502
150+
￥0.3016
500+
￥0.2652

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2A

型号：SSM3J325F,LF 编号：C146364

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 311mΩ(最大值)(VGS = 1.5V)。 RDS(ON) = 231mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 179mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 150mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)

数据手册

5+
￥0.452745 ￥1.0061
50+
￥0.360315 ￥0.8007
150+
￥0.32067 ￥0.7126
500+
￥0.271215 ￥0.6027
3000+
￥0.24921 ￥0.5538
6000+
￥0.23598 ￥0.5244

有货

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