东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SC5108-Y,LF 编号：C7174980

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.7112
50+
￥1.3332
150+
￥1.1712
500+
￥0.969

有货

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型号：2SA2206(TE12L,F) 编号：C5331489

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低集电极发射极饱和电压：VCE (sat) =-0.5V 最大 (IC =-1A)。高速开关：tstg = 300 ns（典型值）。与2SC6124互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

数据手册

5+
￥1.8338
50+
￥1.4558
150+
￥1.2938
1000+
￥1.0917
2000+
￥1.0017
5000+
￥0.9477

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型号：74VHC393FT(BJ) 编号：C5331508

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS 4位二进制计数器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。该器件在一个封装中包含两个独立的计数器电路，使用一个IC即可实现8位二进制的计数或分频。该器件在CK(overline)脉冲的负向转换时改变状态。无论其他输入如何，通过CLR输入的高电平可将计数器复位为“0”（QA至QD = “L”）。输入保护电路确保无论电源电压如何，都可向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及电池备用等双电源系统的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

数据手册

5+
￥1.9561
50+
￥1.5529
150+
￥1.3801
500+
￥1.1645

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型号：TLP293(GRH-TPL,E 编号：C5370538

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管与一个红外发光二极管在SO4封装中光耦合而成。保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（-55至125℃），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

5+
￥1.9772
50+
￥1.5731
150+
￥1.4
500+
￥1.1839
2500+
￥1.0877

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型号：2SC5886A(T6L1.NQ) 编号：C2762776

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000 (IC = 0.5A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.22V (最大值)。高速开关：tr = 95 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC/DC 转换器应用

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5+
￥2.0536
50+
￥1.6
150+
￥1.4055

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型号：74VHC139FT 编号：C2674460

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC139FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2线至4线译码器/多路分配器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

5+
￥2.0917
50+
￥1.6623
150+
￥1.4783
500+
￥1.2487

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型号：TLP293(Y-TPL,E 编号：C194122

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由一个与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（-55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥2.1142
50+
￥1.6404
150+
￥1.4374
500+
￥1.1841

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型号：TLP385(GRH-TPL,E 编号：C396052

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP385是一款高隔离型光电耦合器，采用4引脚SO6L封装，由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP385保证具有高隔离电压（5000 Vrms）。

数据手册

1+
￥2.1489 ￥2.47
10+
￥1.6786 ￥2.18
30+
￥1.3735 ￥2.05
100+
￥1.2663 ￥1.89
500+
￥1.2194 ￥1.82
1000+
￥1.1926 ￥1.78

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型号：TLP293(BLL-TPL,E 编号：C3008594

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥2.3003
50+
￥1.8467
150+
￥1.6523
500+
￥1.3429
2500+
￥1.2349
5000+
￥1.1701

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型号：TLP291(YH-TP,SE 编号：C2998441

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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5+
￥2.4052
50+
￥1.9012
150+
￥1.6852
500+
￥1.4158
2500+
￥1.2958

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型号：TLP385(D4-TPL,E 编号：C39708496

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

1+
￥2.47
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￥2.2
30+
￥2.06
100+
￥1.93
500+
￥1.66
1000+
￥1.62

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型号：TPH8R008NH,L1Q(M 编号：C396040

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥2.59
10+
￥2.28
30+
￥2.13
100+
￥1.98
500+
￥1.89

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型号：TLP290(BL-TP,SE 编号：C3008592

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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1+
￥2.63
10+
￥2.04
30+
￥1.78
100+
￥1.46
500+
￥1.32
1000+
￥1.24

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型号：TLP184(V4BLTL,SE 编号：C25715919

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE是AC输入型光电耦合器，由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于TLP184(SE比DIP封装小，适用于混合IC等高密度表面贴装应用。

1+
￥2.68
10+
￥2.39
30+
￥2.25
100+
￥2.1
500+
￥2.02
1000+
￥1.97

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型号：TBD62003APG(Z,HZ) 编号：C146373

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2003APG升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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1+
￥2.69
10+
￥2.09
25+
￥1.83
100+
￥1.51
500+
￥1.36

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型号：TLP183(TPL,E 编号：C5331592

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125 °C）。与DIP封装相比，TLP183体积更小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥2.72
10+
￥2.11
30+
￥1.85
100+
￥1.52
500+
￥1.37
1000+
￥1.29

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型号：TLP291(BLL,SE 编号：C5349739

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度（-55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

1+
￥2.91
10+
￥2.27
30+
￥1.99
175+
￥1.65
525+
￥1.49

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型号：TLP291(V4GLTR,SE 编号：C5370578

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合而成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

1+
￥3.07
10+
￥2.71
30+
￥2.53
100+
￥2.35
500+
￥2.24
1000+
￥2.18

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型号：TLP266J(TPL,E 编号：C2848501

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅组成，与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0mm，电气间隙最小为 5.0mm，绝缘厚度最小为 0.4mm。因此，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥3.798 ￥12.66
10+
￥2.332 ￥11.66
30+
￥1.103 ￥11.03
100+
￥1.039 ￥10.39
500+
￥1.01 ￥10.1
1000+
￥0.997 ￥9.97

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型号：TLP5754(D4-TP4,E 编号：C38846771

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

1+
￥4.29
10+
￥3.79
30+
￥3.53
100+
￥3.28
500+
￥3.13

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型号：TLP2768A(D4-TP,E 编号：C5370532

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

数据手册

1+
￥4.67
10+
￥3.77
30+
￥3.31
100+
￥2.86
500+
￥2.59

有货

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型号：TC74HC165AF(EL,F) 编号：C7121109

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS 8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器，采用硅栅C²MOS技术制造。它能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。由带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时，串行数据输入启用，8个触发器随每个时钟脉冲进行串行移位。当SHIFT/LOAD输入为低电平时，并行数据在时钟脉冲的正跳变沿异步加载到寄存器中。CK-INH输入仅在CK输入为高电平时应置为高电平。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

1+
￥5.17
10+
￥4.64
30+
￥4.36
100+
￥4.03
500+
￥3.89

有货

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型号：TLP293-4(LGBTR,E 编号：C17639925

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥5.69
10+
￥5.16
30+
￥4.87
100+
￥4.55

有货

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型号：TBD62503APG 编号：C1556736

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：7 电路内置。高电压：VDUT = 50V（最大值）。高电流：IOUT = 300mA/ch（最大值）。输入电压（输出开启）：TBD62502A 系列 14V（最小值），TBD62503A 系列 2.5V（最小值）。输入电压（输出关闭）：TBD62502A 系列 7.0V（最大值），TBD62503A 系列 0.6V（最大值）。封装：PG 型 DIP16-P-300-2.54A；FG 型 SOP16-P-225-1.27；FNG 型 SSOP16-P-225-0.65B；FWG 型 P-SOP16-0410-1.27-002

数据手册

1+
￥6.29
10+
￥5.11
30+
￥4.51
100+
￥3.92
500+
￥3.57

有货

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型号：TK15J50D(F) 编号：C5361057

封装：SC-65

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.33Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

数据手册

1+
￥6.47
10+
￥5.81
30+
￥5.45
100+
￥5.03
500+
￥4.85

有货

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型号：TD62783APG(O.J.S) 编号：C2762706

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

是 DMOS 晶体管阵列，有 8 个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请留意热条件。

数据手册

1+
￥6.56
10+
￥5.48
40+
￥4.71
100+
￥4.04

有货

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型号：TB6674FG(Z,8,EL) 编号：C4153826

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款带有MOS输出晶体管的步进电机驱动IC。该IC可以通过双极驱动控制两相步进电机的正反转。包含一个节能电路和一个待机电路。

1+
￥6.69
10+
￥5.5
30+
￥4.85
100+
￥4.11
500+
￥3.78

有货

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型号：TBD62503AFNG(Z,EL) 编号：C5381640

封装：SSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

7通道灌电流型DMOS晶体管阵列是具有7个电路的DMOS晶体管阵列。使用时请留意热条件。

数据手册

1+
￥6.73
10+
￥5.46
30+
￥4.83
100+
￥4.2
500+
￥3.82
1000+
￥3.62

有货

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型号：TK6R7P06PL,RQ(S2 编号：C6553784

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 8.7 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 23 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 5.0 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 60 V)。增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥7.57
10+
￥7.38
30+
￥7.25
100+
￥7.12

有货

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型号：TK22E10N1,S1X(S 编号：C5360502

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 11.5 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.76
10+
￥6.42
50+
￥5.69
100+
￥4.85

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