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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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  • 5+

    ¥0.418752 ¥0.6543
  • 50+

    ¥0.33504 ¥0.5235
  • 150+

    ¥0.293248 ¥0.4582
  • 500+

    ¥0.261824 ¥0.4091
  • 2500+

    ¥0.236736 ¥0.3699
  • 5000+

    ¥0.224192 ¥0.3503
  • 有货
  • 特性:峰值正向电压:VTM = 0.45V(最大值)@ ITM = 1A。 平均正向电流:IF(AV) = 1A。 重复峰值反向电压:VRRM = 40V。 小型薄封装,适用于高密度电路板组装。应用:开关稳压器的二次整流。 移动设备的反向电流保护
    数据手册
    • 1+

      ¥0.492752 ¥1.0712
    • 10+

      ¥0.306864 ¥0.8524
    • 30+

      ¥0.197236 ¥0.7586
    • 100+

      ¥0.166816 ¥0.6416
    • 500+

      ¥0.15327 ¥0.5895
    • 1000+

      ¥0.145158 ¥0.5583
  • 有货
  • TC7S66F/FU是一款高速C2MOS双边开关,采用硅栅C2MOS技术制造。它能够控制数字或模拟信号,并保持低功耗。
    • 5+

      ¥0.507
    • 50+

      ¥0.449
    • 150+

      ¥0.42
    • 500+

      ¥0.3983
    • 3000+

      ¥0.3809
  • 有货
  • TC75S54F/TC75S54FU/TC75S54FE 是一款集成了相位补偿电路的 CMOS 单运算放大器。它专为低压、低电流电源应用而设计,这使其有别于传统的通用双极型运算放大器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.517041 ¥1.7829
    • 50+

      ¥0.410379 ¥1.4151
    • 150+

      ¥0.364646 ¥1.2574
    • 500+

      ¥0.307603 ¥1.0607
    • 3000+

      ¥0.282199 ¥0.9731
    • 6000+

      ¥0.266974 ¥0.9206
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 200 至 500 (IC =-0.5A)。 低集电极发射极饱和电压:VCE(sat) =-0.2V max。 高速开关:tf = 90 ns (典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC转换器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥0.517536 ¥1.4376
    • 10+

      ¥0.456408 ¥1.2678
    • 30+

      ¥0.430236 ¥1.1951
    • 100+

      ¥0.397548 ¥1.1043
    • 500+

      ¥0.383004 ¥1.0639
    • 1000+

      ¥0.374256 ¥1.0396
  • 有货
  • 多路复用器/多路分解器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5337
    • 50+

      ¥0.4181
    • 150+

      ¥0.3603
    • 500+

      ¥0.3169
  • 有货
  • 特性:高电容比:C₁V / C₄V = 4.3(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.4Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器
    • 5+

      ¥0.5489
    • 50+

      ¥0.429
    • 150+

      ¥0.3691
    • 500+

      ¥0.3241
  • 有货
  • N沟道 20V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.549
    • 50+

      ¥0.429
    • 150+

      ¥0.369
    • 500+

      ¥0.324
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围:Topr = -40 至 125°C。高输出电流:在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA(最小值)。超高速运行:在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时,tpd = 3.7ns(典型值)。工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5V。5.5V 耐受输入。5.5V 掉电保护输出。在 3.3VVCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列匹配
    • 5+

      ¥0.6192
    • 50+

      ¥0.4848
    • 150+

      ¥0.4176
    • 500+

      ¥0.3672
  • 有货
  • 特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 95 mΩ (最大值) (@VGS = 10 V);RDS(ON) = 140 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6589
    • 50+

      ¥0.5149
    • 150+

      ¥0.4429
    • 500+

      ¥0.3889
  • 有货
  • 特性:适合高密度安装,封装紧凑。 低导通电阻:Ron = 3.0Ω 最大 (@VGS = 4V);Ron = 4.0Ω 最大 (@VGS = 2.5V);Ron = 15Ω 最大 (@VGS = 1.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥0.6619
    • 50+

      ¥0.5179
    • 150+

      ¥0.4459
    • 500+

      ¥0.3919
  • 有货
  • 特性:紧凑型封装,适合高密度安装。 低导通电阻:RDS(ON) = 4.0Ω 最大 (VGS = 4V);RDS(ON) = 7.0Ω 最大 (VGS = 2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7428
    • 50+

      ¥0.5988
    • 150+

      ¥0.5268
  • 有货
  • 八进制总线缓冲器 74VHC240FT:反相三态输出 74VHC244FT:同相三态输出 74VHC240FT 和 74VHC244FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。
    • 5+

      ¥0.7685
    • 50+

      ¥0.7527
    • 150+

      ¥0.7421
    • 500+

      ¥0.7315
  • 有货
  • 反相器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7752
    • 50+

      ¥0.6058
    • 150+

      ¥0.5211
    • 500+

      ¥0.4575
  • 有货
  • 特性:1.5V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 51mΩ(典型值)(@VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 63mΩ(典型值)(@VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 81mΩ(典型值)(@VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 102mΩ(典型值)(@VGS = 1.5V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8273
    • 50+

      ¥0.6486
    • 150+

      ¥0.5593
    • 500+

      ¥0.4923
  • 有货
  • 是小外形耦合器,适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 5+

      ¥0.8955
    • 50+

      ¥0.7905
    • 150+

      ¥0.7455
    • 500+

      ¥0.6894
    • 3000+

      ¥0.5599
  • 有货
  • 由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    • 5+

      ¥0.9909
    • 50+

      ¥0.7701
    • 150+

      ¥0.6754
    • 500+

      ¥0.5574
    • 2500+

      ¥0.5048
  • 有货
  • 特性:高电压和高电流:VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。高电压和高电流:VCEO = -50V,IC = -150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = -0.1mA) / hFE(IC = -2mA) = 0.95(典型值)。应用:音频通用放大器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.09072 ¥1.2832
    • 50+

      ¥0.765825 ¥1.0211
    • 150+

      ¥0.59072 ¥0.9088
    • 500+

      ¥0.49959 ¥0.7686
    • 2500+

      ¥0.45903 ¥0.7062
    • 4000+

      ¥0.43472 ¥0.6688
  • 有货
  • 特性:低饱和电压:VCE (sat) =-0.5V (最大值) (IC =-1.5A)。 高速开关时间:tSTG = 0.2 μs (典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0 W (安装在陶瓷基板上)。 与2SC4541互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1122
    • 50+

      ¥0.883
    • 150+

      ¥0.7847
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2151
    • 50+

      ¥0.9536
    • 150+

      ¥0.8416
    • 500+

      ¥0.7018
    • 2000+

      ¥0.5872
  • 有货
  • 低压、低电容双总线开关。
    • 5+

      ¥1.3322
    • 50+

      ¥1.1537
    • 150+

      ¥1.0772
    • 500+

      ¥0.9818
  • 有货
  • 东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.357
    • 50+

      ¥1.0546
    • 150+

      ¥0.925
    • 500+

      ¥0.7633
    • 2000+

      ¥0.6913
    • 4000+

      ¥0.648
  • 有货
  • 是低电压/低电容CMOS 2位4选1复用器/解复用器。开关的低导通电阻允许以最小的传播延迟时间进行连接。该器件由两个独立的四输入复用器/解复用器组成,具有公共选择输入 (S1, S0) 和输出使能 (OE(overline))。A输入根据选择输入 (S1, S0) 和输出使能 (OE(overline)) 的组合连接到B1至B4输出。当输出使能 (OE(overline)) 输入保持在 “H” 电平时,无论选择输入的状态如何,开关均断开,并且开关之间存在高阻抗状态。所有输入均配备有防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.467 ¥3.26
    • 10+

      ¥1.314 ¥2.92
    • 30+

      ¥1.233 ¥2.74
    • 100+

      ¥1.1565 ¥2.57
    • 500+

      ¥1.1115 ¥2.47
    • 1000+

      ¥1.089 ¥2.42
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 400 至 1000(IC = 0.3A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE (sat) = 0.14V(最大值)。 高速开关:tf = 120 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    • 5+

      ¥1.5864
    • 50+

      ¥1.2487
    • 150+

      ¥1.104
  • 有货
  • 特性:4V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 20mΩ(最大值)(VGS = -10V)。 RDS(ON) = 28mΩ(最大值)(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) = 32mΩ(最大值)(VGS = -4.0V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8426
    • 50+

      ¥1.4653
    • 150+

      ¥1.3036
  • 有货
  • 由光电晶体管组成,与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合,可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO4封装,保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器和混合IC。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9729
    • 50+

      ¥1.5157
    • 150+

      ¥1.3197
    • 500+

      ¥1.0262
    • 2500+

      ¥0.9174
  • 有货
  • TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装,是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110°C)和较高的隔离电压(3750Vrms),因此适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0774
    • 50+

      ¥1.6237
    • 150+

      ¥1.4293
    • 500+

      ¥1.1558
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1113
    • 50+

      ¥1.6577
    • 150+

      ¥1.4633
    • 500+

      ¥1.1539
    • 2500+

      ¥1.0459
    • 5000+

      ¥0.9811
  • 有货
  • 74VHC86FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 四异或门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.27
    • 10+

      ¥1.76
    • 30+

      ¥1.55
    • 100+

      ¥1.28
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.3
    • 10+

      ¥2
    • 30+

      ¥1.87
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
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