ST模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：STO36N60M6 编号：C2978937

封装：TOLL

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-LL封装

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型号：VND5160J-E 编号：C1556614

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

VND5160J-E是一款采用VIPower M0 - 5技术制造的单片器件。它用于驱动一侧接地的阻性或感性负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响

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型号：STTH30M06SPF 编号：C5456177

封装：TO-3PF

品牌：ST(意法半导体)

是超快恢复功率整流器，特别适用于在重载应用（如空调设备或电信电源）中以高开关频率工作的升压或 LLC 钳位电路。采用最新超快技术设计，具有强大的抗静电放电性能和高过流能力。

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型号：STTH3010D 编号：C73865

封装：TO-220AC

品牌：ST(意法半导体)

1000 V，30 A超高速二极管

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型号：STM32F411CEU6TR 编号：C2054095

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备批量采集模式（BAM）。供电电压范围为1.7V至3.6V。工作温度范围为 -40°C至85/105/125°C。核心：带有浮点单元（FPU）的32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存无等待状态执行，频率高达100MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。高达512KB的闪存。 128KB的SRAM。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V的应用电源和I/O。具备上电复位（POR）、掉电复位（PDR）、可编程电压检测器（PVD）和欠压复位（BOR）

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型号：STM32F401CBU6 编号：C118825

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带批量采集模式（BAM）。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心：带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR、PVD和BOR，4至26 MHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，带校准的32 kHz RTC振荡器，带校准的内部32 kHz RC

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型号：BTA26-800CWRG 编号：C2688700

封装：TOP-3

品牌：ST(意法半导体)

25A标准和Snubberless 三端双向可控硅

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型号：STP4N150 编号：C457448

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,1500V,4A,5Ω@10V

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型号：STM32G431K6U6 编号：C1236625

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：采用带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU，具备自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存的零等待状态执行，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS，配备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速。FMAC：滤波数学加速器。存储器:128 Kbytes闪存，支持ECC，具备专有代码读取保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。22 Kbytes SRAM，前16 Kbytes实现硬件奇偶校验。程序加速：指令和数据总线上有10 Kbytes SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）

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型号：STM32L431VCT6 编号：C455384

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：TDA7851L 编号：C2936502

封装：Flexiwatt25

品牌：ST(意法半导体)

四路BTL输出，支持待机和静音输入以及片段检测

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型号：M41T94MH6F 编号：C221460

封装：SOP-28-8.9mm

品牌：ST(意法半导体)

串行实时时钟（RTC），具有44字节NVRAM和复位功能

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型号：STB21N90K5 编号：C455170

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

N沟道900 V、0.25 Ohm典型值、18.5 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装

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型号：STM32L496RET6 编号：C2969768

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围：1.71 V至3.6 V。温度范围：-40℃至85/125℃。 VBAT模式下电流为320 nA，用于RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式电流为25 nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为108 nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为426 nA

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型号：TM8050H-8D3-TR 编号：C2970866

封装：TO-268-3

品牌：ST(意法半导体)

80 A 800 V高温晶闸管（SCR），D3PAK封装

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型号：STM32L071RZT6 编号：C169182

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。 0.43μA停止模式（16个唤醒线）。 0.86μA停止模式 + RTC + 20KB RAM保留。运行模式下低至93μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32H723VGT6 编号：C730142

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 1 MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集

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型号：STM32F437IIT6 编号：C1337315

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

32位Arm Cortex-M4 MCU+FPU，225DMIPS，高达2MB闪存/256 + 4KB RAM，加密功能，USB OTG HS/FS，以太网，17个定时器，3个ADC，20个通信接口，摄像头和LCD-TFT

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型号：ST7FMC1K2T6 编号：C1342121

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：8K 至 60K 双电压闪存程序存储器或带读出保护功能的 ROM，支持应用内编程和在线编程。 384 至 1.5K RAM。 HDFlash 耐久性：100 个周期，在 85℃ 下数据保留 40 年。增强型复位系统。用于主电源的增强型低压监控器 (LVD) 和带中断功能的辅助电压检测器 (AVD)。时钟源：晶体/陶瓷谐振器振荡器和外部时钟旁路，时钟安全系统

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型号：VN808CM-E 编号：C1556555

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

VN808CM - E和VN808CM - 32 - E是采用意法半导体（STMicroelectronics）VIPower M0 - 3技术设计的单片器件，旨在驱动一侧接地的任何类型负载。它可以使用3.3 V逻辑电源驱动。有源电流限制与热关断和自动重启功能相结合，可保护器件免受过载影响

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型号：STM32F427IGT6 编号：C117817

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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￥61.65
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型号：STM32H742ZIT6 编号：C730178

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

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￥72.7
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￥62.32
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￥50.69

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型号：STM32F722VET6 编号：C132372

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位ARM Cortex M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器和8KB数据缓存与8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达512KB的闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护）。 528字节的OTP内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM。灵活的外部存储器控制器，具备高达32位数据总线：支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。双模式Quad-SPI。时钟、复位和电源管理。 1.7V至3.6V应用电源和I/O

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￥58.69
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￥53.96

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型号：STM32F427IIH6 编号：C503072

封装：UFBGA-176

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，有MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达2 MB闪存，分两个存储体，支持边读边写；高达256 + 4 KB SRAM，包括64 KB CCM（核心耦合内存）数据RAM；灵活的外部存储器控制器，数据总线高达32位，支持SRAM、PSRAM、SDRAM、LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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型号：STM32L4P5VET6 编号：C3209414

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，配备 FPU Arm Cortex-M4 MCU 120 MHz，具有 512 KB 闪存、USB OTG、DFSDM、CHROM-ART

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￥67.3
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￥60.6

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型号：PD55015-E 编号：C2971463

封装：PowerSO-10RF

品牌：ST(意法半导体)

15W 12.5V 500MHz LDMOS，PowerSO-10RF塑料封装

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￥79.37
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￥74.02
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型号：STM32F413ZHT6 编号：C1337238

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器，具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口

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