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首页 > 热门关键词 > ST模拟芯片
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是一款快速超低压降线性稳压器,可在2.5V至6V的输入电源下工作。提供多种输出选项。低压降、低噪声和超低静态电流使其适用于低压微处理器和存储器应用。该器件采用BiCMOS工艺,可独立于输出负载电流实现低静态电流运行。
数据手册
  • 1+

    ¥3.52
  • 10+

    ¥2.82
  • 30+

    ¥2.46
  • 100+

    ¥2.11
  • 500+

    ¥1.91
  • 1000+

    ¥1.8
  • 有货
  • MC3x174系列是四通道双极运算放大器,兼具低功耗(200μA)和良好的速度(2.1MHz、2V/μs)。此外,输入共模范围可低至负电源轨,允许在+4V至+44V的单电源下工作。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.52
    • 10+

      ¥2.82
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.91
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • VIPER222器件是一款高性能高压转换器,它将耐压730 V的耐用功率MOSFET与PWM控制相结合。该器件集成了高压启动和电流检测电路,避免了在物料清单中使用额外的元件。频率抖动可分散电磁干扰(EMI),并允许使用小型滤波器。突发模式技术可在轻载时实现极低的输入功耗。VIPER222是一款针对反激式和降压拓扑优化的730 V高压转换器,其开关频率为60 kHz(L型)或30 kHz(X型),并集成了抖动功能以降低EMI水平。低IC功耗与突发模式技术相结合,可在空载时实现极低的输入功率,并在轻载时实现良好的效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.5234 ¥4.46
    • 10+

      ¥2.7531 ¥3.99
    • 30+

      ¥2.2066 ¥3.74
    • 100+

      ¥2.0355 ¥3.45
    • 500+

      ¥1.9647 ¥3.33
    • 1000+

      ¥1.9293 ¥3.27
  • 有货
  • 600 V、8 A超快升压二极管 600 V、8 A超快升压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.71
    • 10+

      ¥2.94
    • 50+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.01
    • 500+

      ¥1.83
  • 有货
  • LM134/LM234/LM334 是三端可调电流源,其特点如下:工作电流范围为 10000:1;具有出色的电流调节能力;动态电压范围宽,为 1V 至 10V。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.04
    • 10+

      ¥3.23
    • 30+

      ¥2.82
    • 100+

      ¥2.42
    • 500+

      ¥2.18
    • 1000+

      ¥2.05
  • 有货
  • LFXX是一款极低压差稳压器,提供TO - 220、TO - 220FP、DPAK和PPAK封装,输出电压范围广泛。其低压差(0.45 V)和低静态电流特性使其特别适用于低噪声、低功耗应用,尤其适用于电池供电系统。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.25
    • 10+

      ¥3.7
    • 30+

      ¥3.42
    • 100+

      ¥3.15
    • 500+

      ¥2.99
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • L6726A 是一个单相 PWM 控制器,具有嵌入式高电流驱动器,提供完整的控制逻辑和保护功能,适用于简单的通用 DC-DC 降压转换器。设计用于驱动 N 通道 MOSFET 在同步降压拓扑中。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.41
    • 10+

      ¥3.52
    • 30+

      ¥3.07
    • 100+

      ¥2.63
    • 500+

      ¥2.36
    • 1000+

      ¥2.23
  • 有货
  • 提供高达 300 mA 的电流,输入电压范围为 2.5V 至 6V。使用陶瓷和高质量钽电容时性能稳定。超低的压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。具备关断逻辑控制功能,当该器件用作局部稳压器时,可以使电路板的一部分进入待机状态,从而降低总功耗。典型应用包括手机和类似的电池供电无线系统、便携式信息设备。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.43
    • 10+

      ¥3.54
    • 30+

      ¥3.1
    • 100+

      ¥2.66
    • 500+

      ¥2.4
    • 1000+

      ¥2.26
  • 有货
  • STMPS2242/2252/2262/2272电源分配开关适用于可能遇到大电容负载和短路情况的应用。这些器件集成了100 mΩ的MOSFET高端电源开关,适用于需要在单个封装中集成多个电源开关的电源分配系统。每个开关由独立的逻辑使能输入控制
    数据手册
    • 1+

      ¥4.46
    • 10+

      ¥3.55
    • 30+

      ¥3.1
    • 100+

      ¥2.65
    • 500+

      ¥2.12
    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • NPN中等功率晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥4.48
    • 10+

      ¥3.64
    • 50+

      ¥3.22
    • 100+

      ¥2.81
    • 500+

      ¥2.56
  • 有货
  • 12A - Snubberless Triac in D2PAK
    数据手册
    • 1+

      ¥4.5045 ¥4.55
    • 10+

      ¥3.6401 ¥4.09
    • 30+

      ¥3.0257 ¥3.83
    • 100+

      ¥2.7966 ¥3.54
    • 500+

      ¥2.6939 ¥3.41
    • 1000+

      ¥2.6465 ¥3.35
  • 有货
  • Smart ResetTM 器件具备一项实用功能,可确保意外短暂按下复位按钮不会导致系统复位。这是通过实现延长的智能复位输入延迟时间(tSRC)来实现的,该延迟时间可确保安全复位,并且无需使用特定的专用复位按钮。这种复位配置具有灵活性,使应用程序能够区分软件生成的中断和硬系统复位
    数据手册
    • 1+

      ¥4.63
    • 10+

      ¥3.7
    • 30+

      ¥3.24
    • 100+

      ¥2.77
    • 500+

      ¥2.5
    • 1000+

      ¥2.36
  • 有货
  • VIPerPlus系列:固定频率6W高性能离线高压转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.73
    • 10+

      ¥3.78
    • 30+

      ¥3.3
    • 100+

      ¥2.83
    • 500+

      ¥2.55
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • L79xxC 系列三端负电压稳压器采用 TO-220、TO-220FP 和 D²PAK 封装,并提供多种固定输出电压,适用于各种应用。这些稳压器可提供本地卡上稳压,从而消除了单点稳压带来的分配问题;此外,由于具有与 L78xx 正电压标准系列相同的电压选项,它们尤其适用于分离式电源。如果提供足够的散热,它们可以提供超过 1.5 A 的输出电流。虽然这些器件主要设计为固定电压稳压器,但它们也可以与外部元件配合使用,以获得可调电压和电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.74
    • 10+

      ¥3.84
    • 50+

      ¥3.39
    • 100+

      ¥2.94
    • 500+

      ¥2.67
  • 有货
  • 这些高压器件是采用SuperMESH™技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET,是成熟的PowerMESH™的优化版本。除了显著降低导通电阻外,这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.8
    • 10+

      ¥3.9
    • 30+

      ¥3.44
    • 100+

      ¥2.99
    • 500+

      ¥2.72
  • 有货
  • 这款功率MOSFET采用独特的单特征尺寸条形工艺,晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性,减少关键对准步骤,因此具有出色的制造再现性。
    • 1+

      ¥5.38
    • 10+

      ¥4.3
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      ¥3.76
    • 100+

      ¥3.23
    • 500+

      ¥2.91
  • 有货
  • 这款双N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关操作。
    • 1+

      ¥5.44
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.57
    • 100+

      ¥4.22
    • 500+

      ¥4.07
  • 有货
  • 带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.9631 ¥15.29
    • 10+

      ¥5.6784 ¥14.56
    • 30+

      ¥5.5107 ¥14.13
    • 100+

      ¥5.343 ¥13.7
    • 500+

      ¥5.2611 ¥13.49
    • 1000+

      ¥5.226 ¥13.4
  • 有货
  • 特性:100%雪崩测试。 低输入电容和栅极电荷。 低栅极输入电阻。应用:开关应用
    数据手册
    • 1+

      ¥6.0816 ¥10.86
    • 10+

      ¥4.5724 ¥9.94
    • 30+

      ¥3.3732 ¥9.37
    • 100+

      ¥3.1608 ¥8.78
    • 500+

      ¥3.0636 ¥8.51
    • 1000+

      ¥3.024 ¥8.4
  • 有货
  • LD29300是一款高电流、高精度、低压差稳压器。该稳压器的压差电压为400 mV,接地电流极低。这款器件专为高电流负载而设计,也可用于低电流、对超低压差要求严格的系统,其极小的压差电压和接地电流值是重要特性
    数据手册
    • 1+

      ¥6.18
    • 10+

      ¥5.08
    • 30+

      ¥4.48
    • 100+

      ¥3.8
    • 500+

      ¥3.5
    • 1000+

      ¥3.36
  • 有货
  • 特性:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和3级流水线,扩展指令集。程序存储器:8 Kbytes Flash,在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年。数据存储器:640 bytes真数据EEPROM,耐久性300 kcycles。RAM:1 Kbytes 。2.95至5.5V工作电压。灵活的时钟控制,4个主时钟源
    数据手册
    • 1+

      ¥6.22
    • 10+

      ¥5.05
    • 30+

      ¥4.47
    • 74+

      ¥3.88
  • 有货
  • N沟道800 V、3.7 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET,PowerFLAT 5x6 VHV封装
    数据手册
    • 1+

      ¥6.32
    • 10+

      ¥5.05
    • 30+

      ¥4.41
    • 100+

      ¥3.78
    • 500+

      ¥3.4
    • 1000+

      ¥3.21
  • 有货
  • 这些器件是采用 STripFET™ F6 技术开发的 P 沟道功率 MOSFET,具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中均表现出极低的 RDS(on)。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.3756 ¥9.66
    • 10+

      ¥4.9392 ¥8.82
    • 50+

      ¥3.8088 ¥8.28
    • 100+

      ¥3.5604 ¥7.74
    • 500+

      ¥3.4454 ¥7.49
    • 1000+

      ¥3.3994 ¥7.39
  • 有货
  • 是一款非常低压差稳压器,有TO-220、TO-220FP、DPAK和PPAK封装,输出电压范围广泛。低电压降(0.45 V)和低静态电流使其特别适用于低噪声、低功耗应用,尤其是电池供电系统。在5引脚配置(PPAK)中,有一个关断逻辑控制功能(引脚2,与TTL兼容),这意味着当该器件用作本地稳压器时,电路板的一部分可以进入待机状态,从而降低总功耗。在三端配置中,器件具有相同的电气性能,但处于固定开启状态
    数据手册
    • 1+

      ¥6.42
    • 10+

      ¥5.77
    • 30+

      ¥5.42
    • 100+

      ¥5.02
    • 500+

      ¥4.84
    • 1000+

      ¥4.76
  • 有货
  • 600 V、12 A Turbo 2超高速二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥6.45
    • 10+

      ¥5.24
    • 30+

      ¥4.63
    • 100+

      ¥4.03
  • 有货
  • STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心,工作频率高达 48 MHz,具有高速嵌入式存储器(高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM),以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口(一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART),一个 USB 全速设备(无晶体),一个 CAN,一个 12 位 ADC,四个 16 位定时器,一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.51
    • 10+

      ¥5.26
    • 30+

      ¥4.63
    • 100+

      ¥4.01
    • 500+

      ¥3.63
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达48 MHz。工作温度:-40℃至85℃ / 105℃ / 125℃。内存:高达32 KB带保护的闪存。6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围:2.0 V至3.6 V
    • 1+

      ¥6.7
    • 10+

      ¥5.48
    • 30+

      ¥4.81
    • 100+

      ¥4.05
  • 有货
  • 600 V、12 A Turbo 2超高速二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥6.89
    • 10+

      ¥5.6
    • 30+

      ¥4.96
    • 100+

      ¥4.32
    • 500+

      ¥3.94
    • 1000+

      ¥3.74
  • 有货
  • 此功率MOSFET是意法半导体独特的“单特征尺寸”条形工艺的最新发展成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的关键对准步骤,因此具有出色的制造重复性。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.05
    • 10+

      ¥5.89
    • 30+

      ¥5.25
    • 100+

      ¥4.52
    • 500+

      ¥4.2
    • 1000+

      ¥4.06
  • 有货
  • 基于 ARM Cortex-M0+ 的 32 位超低功耗微控制器,最高 16KB Flash,2KB SRAM,512B EEPROM,具备 ADC
    数据手册
    • 1+

      ¥7.42
    • 10+

      ¥6.77
    • 30+

      ¥6.42
    • 100+

      ¥5.71
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