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首页 > 热门关键词 > ST模拟芯片
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低压快速切换PNP功率晶体管
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    ¥2.06
  • 100+

    ¥1.74
  • 有货
  • 器件采用平面基岛技术制造,具有单片达林顿结构。
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    • 10+

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    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.72
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      ¥1.56
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  • 有货
  • N沟道30 V、0.021 Ohm、6 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,SOT23-6L封装
    数据手册
    • 1+

      ¥3.04
    • 10+

      ¥2.36
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.54
    • 1000+

      ¥1.45
  • 有货
  • 互补功率晶体管
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    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥2.42
    • 30+

      ¥2.14
    • 100+

      ¥1.8
    • 500+

      ¥1.64
  • 有货
  • TL064、TL064A 和 TL064B 是高速 JFET 输入单运算放大器。这些 JFET 输入运算放大器在单片集成电路中集成了匹配良好的高压 JFET 和双极型晶体管。这些器件具有高摆率、低输入偏置电流和失调电流以及低失调电压温度系数。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.18
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      ¥2.59
    • 30+

      ¥2.34
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      ¥2.03
    • 500+

      ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.81
  • 有货
  • 是一款低压降稳压器,有 SO-8、DPAK、PPAK 和 TO-92 等封装形式,输出电压范围广。极低的压降(0.4 V)和极低的静态电流,使其特别适用于低噪声、低功耗应用,尤其是电池供电系统。PPAK 和 SO-8 封装具备 TTL 兼容的关断逻辑控制功能,作为本地稳压器使用时,可使电路板部分进入待机模式,降低总功耗。仅需 2.2 μF 电容即可保证稳定性,节省空间和成本。仅 SO-8 封装有汽车级版本,该器件符合汽车市场 AEC-Q100 规范,工作温度范围为-40℃ 至 125℃,并进行了 PAT、SYL、SBL 统计测试。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.18
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.54
    • 100+

      ¥2.33
    • 500+

      ¥2.21
    • 1000+

      ¥2.14
  • 有货
  • TL084I、TL084AI、TL084BI、TL084C、TL084AC 和 TL084BC 是高速 JFET 输入四通道运算放大器,采用匹配良好的高压 JFET 和双极型晶体管集成在单片集成电路中。这些器件具有高摆率、低输入偏置和失调电流、输出短路保护以及高输入阻抗。
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    • 1+

      ¥3.21
    • 10+

      ¥2.49
    • 50+

      ¥2.18
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      ¥1.79
    • 500+

      ¥1.62
    • 1000+

      ¥1.51
  • 有货
  • STM1061 低功耗电压检测器可对电池、电源和稳压系统电压进行监测。一个精密电压基准源和比较器对 VCC 输入进行监测,并将其与指定的电压阈值条件进行比较。当 VCC 降至指定的跳变点阈值以下时,输出(OUT(overline))被拉低,只要 VCC 输入保持在 VTH- + 迟滞电压(VHYS)以下,输出就会一直保持有效
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    • 1+

      ¥3.31
    • 10+

      ¥2.52
    • 30+

      ¥2.18
    • 100+

      ¥1.75
    • 500+

      ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.45
  • 有货
  • 是一款快速超低压降线性稳压器,可在2.5V至6V的输入电源下工作。提供多种输出选项。低压降、低噪声和超低静态电流使其适用于低压微处理器和存储器应用。该器件采用BiCMOS工艺,可独立于输出负载电流实现低静态电流运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.43
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.43
    • 100+

      ¥2.09
    • 500+

      ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.79
  • 有货
  • STM1061 低功耗电压检测器可对电池、电源和稳压系统电压进行监测。精密电压基准和比较器对 VCC 输入进行监测,并将其与指定的电压阈值条件进行比较。当 VCC 降至指定跳变点阈值以下时,输出 (OUT) 被拉低,只要 VCC 输入保持在 VTH- + 迟滞 (VHYS T) 以下,输出就会保持有效。STM1061 器件可确保 VCC 低至 0.7V 时输出正确的逻辑状态。该器件还设计为可忽略 VCC 上的快速瞬变。 这款小型低功耗器件非常适合便携式应用,提供节省空间的 SOT23-3 和 SOT323-3 (SC70-3) 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.55
    • 10+

      ¥2.71
    • 30+

      ¥2.35
    • 100+

      ¥1.9
    • 500+

      ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.58
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  • 互补功率达林顿晶体管
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    • 1+

      ¥3.7
    • 10+

      ¥2.93
    • 30+

      ¥2.6
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    • 500+

      ¥2.01
    • 1000+

      ¥1.89
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  • 64 Kbit串行I2C总线EEPROM
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    • 1+

      ¥3.76
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.68
    • 100+

      ¥2.33
    • 500+

      ¥2.11
    • 1000+

      ¥2
  • 有货
  • 这些电路是高速JFET输入单运算放大器,集成了良好匹配的高电压JFET和双极型晶体管于单片集成电路中。该器件具有高摆率、低输入偏置和失调电流以及低温漂失调电压的特点。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.93
    • 10+

      ¥3.27
    • 30+

      ¥2.99
    • 100+

      ¥2.64
    • 500+

      ¥2.48
    • 1000+

      ¥2.39
  • 有货
  • STM70x 电压监控器是具备微处理器监控功能的独立器件。精密电压基准和比较器会监测 VCC 输入,以判断其是否超出容差范围。当 VCC 出现异常状况时,复位输出(RST)会被强制拉低(对于 RST 型号则为拉高)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.5
    • 10+

      ¥4.04
    • 30+

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      ¥3.49
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      ¥3.36
    • 1000+

      ¥3.3
  • 有货
  • 45 V、10 A PowerFLAT功率肖特基整流器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.796 ¥5.45
    • 10+

      ¥3.8688 ¥4.96
    • 30+

      ¥3.1892 ¥4.69
    • 100+

      ¥2.9784 ¥4.38
    • 500+

      ¥2.89 ¥4.25
    • 1000+

      ¥2.8424 ¥4.18
  • 有货
  • 300 mA、28 V低压降稳压器,5 μA静态电流
    数据手册
    • 1+

      ¥5.16
    • 10+

      ¥4.1
    • 30+

      ¥3.58
    • 100+

      ¥3.06
    • 500+

      ¥2.75
    • 1000+

      ¥2.58
  • 有货
  • 高压快速切换NPN功率晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥5.21
    • 10+

      ¥4.19
    • 50+

      ¥3.68
    • 100+

      ¥3.18
    • 500+

      ¥2.87
  • 有货
  • 这款双N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关操作。
    • 1+

      ¥5.44
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.57
    • 100+

      ¥4.22
    • 500+

      ¥4.07
  • 有货
  • 是一款低压降稳压器,有 SO-8、DPAK、PPAK 和 TO-92 等封装形式,输出电压范围广。极低的压降(0.4 V)和极低的静态电流,使其特别适用于低噪声、低功耗应用,尤其是电池供电系统。PPAK 和 SO-8 封装具备 TTL 兼容的关断逻辑控制功能,作为本地稳压器使用时,可使电路板部分进入待机模式,降低总功耗。仅需 2.2 μF 电容即可保证稳定性,节省空间和成本。仅 SO-8 封装有汽车级版本,该器件符合汽车市场 AEC-Q100 规范,工作温度范围为-40℃ 至 125℃,并进行了 PAT、SYL、SBL 统计测试。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.51
    • 10+

      ¥4.44
    • 30+

      ¥3.51 ¥3.9
    • 100+

      ¥3.033 ¥3.37
    • 500+

      ¥2.745 ¥3.05
    • 1000+

      ¥2.601 ¥2.89
  • 有货
  • N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,DPAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥5.62
    • 10+

      ¥4.74
    • 30+

      ¥4.3
    • 100+

      ¥3.86
    • 500+

      ¥3.6
  • 有货
  • 600 V、12 A Turbo 2超高速升压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥5.74
    • 10+

      ¥4.64
    • 30+

      ¥4.09
    • 100+

      ¥3.55
    • 500+

      ¥3.22
  • 有货
  • LD39100可提供最高1 A的电流,输入电压范围为1.5 V至5.5 V,典型压差为200 mV。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.04
    • 10+

      ¥4.81
    • 30+

      ¥4.19
    • 100+

      ¥3.58
    • 500+

      ¥3.22
  • 有货
  • 瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低压供电的集成电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.26
    • 10+

      ¥5.02
    • 30+

      ¥4.4
    • 100+

      ¥3.78
    • 600+

      ¥3.41
  • 有货
  • 1.5KE瞬态电压抑制(TVS)系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响,并抵御如IEC 61000 - 4 - 4和5所述的电气过应力。它们适用于1500 W、10/1000 µs以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关模式电源(SMPS),这些应用需要低漏电流和高结温,以长期提供可靠性和稳定性。
    • 1+

      ¥6.27
    • 10+

      ¥5.02
    • 30+

      ¥4.4
    • 100+

      ¥3.78
    • 600+

      ¥3.41
  • 有货
  • 是一款非常低压差稳压器,有TO-220、TO-220FP、DPAK和PPAK封装,输出电压范围广泛。低电压降(0.45 V)和低静态电流使其特别适用于低噪声、低功耗应用,尤其是电池供电系统。在5引脚配置(PPAK)中,有一个关断逻辑控制功能(引脚2,与TTL兼容),这意味着当该器件用作本地稳压器时,电路板的一部分可以进入待机状态,从而降低总功耗。在三端配置中,器件具有相同的电气性能,但处于固定开启状态
    数据手册
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.64
    • 30+

      ¥5.29
    • 100+

      ¥4.89
    • 500+

      ¥4.71
    • 1000+

      ¥4.63
  • 有货
  • 6A标准和Snubberless 三端双向可控硅
    数据手册
    • 1+

      ¥6.37
    • 10+

      ¥5.1
    • 50+

      ¥4.47
    • 100+

      ¥3.85
    • 500+

      ¥3.47
  • 有货
  • 汽车级N沟道500 V、0.7 Ohm典型值、7.5 A MDmesh功率MOSFET,DPAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥6.53
    • 10+

      ¥5.82
    • 30+

      ¥5.15
    • 100+

      ¥4.72
    • 500+

      ¥4.52
  • 有货
  • 采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.65
    • 10+

      ¥5.49
    • 30+

      ¥4.86
    • 90+

      ¥4.15
    • 510+

      ¥3.83
  • 有货
  • 特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和 3 级流水线,指令集扩展。 程序存储器:高达 32 Kbyte Flash;在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM;耐久性 300 k 周期。 RAM:高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥6.73
    • 10+

      ¥5.59
    • 30+

      ¥4.97
    • 100+

      ¥4.26
  • 有货
  • 这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新型功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求最为严苛的高效转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.12
    • 10+

      ¥5.75
    • 50+

      ¥4.99
    • 100+

      ¥4.14
    • 500+

      ¥3.76
  • 有货
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