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首页 > 热门关键词 > ST模拟芯片
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N沟道950 V、0.41 Ohm典型值、12 A SuperMESH(TM) 5功率MOSFET,TO-247封装
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  • 1+

    ¥21.34
  • 10+

    ¥18.06
  • 30+

    ¥16.12
  • 100+

    ¥14.15
  • 500+

    ¥13.24
  • 1000+

    ¥12.84
  • 有货
  • N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-220封装
    数据手册
    • 1+

      ¥21.64
    • 10+

      ¥18.39
    • 50+

      ¥16.46
    • 100+

      ¥14.51
  • 有货
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    • 10+

      ¥18.95
    • 30+

      ¥17.15
    • 100+

      ¥15.31
    • 500+

      ¥14.47
  • 有货
  • 特性:核心:带FPU的ARM Cortex-M4 32位CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,DSP指令和MPU(内存保护单元)。工作条件:VDD、VDA电压范围:2.0 V至3.6 V。存储器:128至256 KB的闪存。高达40 KB的SRAM,前16 KB实现硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR)
    数据手册
    • 1+

      ¥22.14
    • 10+

      ¥19.12
    • 30+

      ¥17.32
    • 100+

      ¥15.5
  • 有货
  • Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz,具有 128 KB 闪存、48 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.92
    • 10+

      ¥20.7
    • 30+

      ¥18.79
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU,最高频率 24 MHz,1.25 DMIPS/MHz(Dhystone 2.1)性能。 单周期乘法和硬件除法。 16 至 128 Kbytes 的闪存。 4 至 8 Kbytes 的 SRAM。 2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O。 POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD)
    数据手册
    • 1+

      ¥25.43
    • 10+

      ¥22.27
    • 30+

      ¥20.38
    • 100+

      ¥17.29
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator,允许从闪存中实现零等待状态执行性能),MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存;512 字节的 OTP 存储器;高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM;支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器;LCD 并行接口,8080/6800 模式。 时钟、复位和电源管理:1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O;POR、PDR、PVD 和 BOR;4 至 26 MHz 晶体振荡器;内部 16 MHz 工厂校准 RC;带校准的 32 kHz RTC 振荡器;带校准的内部 32 kHz RC。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.95
    • 10+

      ¥22.26
    • 30+

      ¥20.06
    • 100+

      ¥17.84
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器零等待状态执行。 4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Dyrystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达512 Kbyte的嵌入式闪存,带ECC,双存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具有高循环能力(100 K周期)
    • 1+

      ¥26.37
    • 10+

      ¥22.56
    • 30+

      ¥20.29
    • 100+

      ¥18
  • 有货
  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达256KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥27.38
    • 10+

      ¥24.48
    • 30+

      ¥22.76
    • 90+

      ¥21.02
    • 540+

      ¥20.21
    • 990+

      ¥19.85
  • 有货
  • N沟道950 V、0.41 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP封装
    数据手册
    • 1+

      ¥27.54
    • 10+

      ¥23.75
    • 30+

      ¥21.5
    • 100+

      ¥19.22
  • 有货
  • VN808 - E是一款采用VIPower M0 - 3技术实现的单片器件,旨在驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合,可保护器件免受过载影响。在过载条件下,通道会自动关断并再次开启,以使结温保持在TTSD和TR之间
    数据手册
    • 1+

      ¥28.34
    • 10+

      ¥24.32
    • 30+

      ¥21.93
    • 100+

      ¥19.51
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 频率范围:150 MHz至960 MHz。 调制方式:LoRa、(G)FSK、(G)MSK和BPSK。 接收灵敏度:2-FSK(1.2 Kbit/s时)为-123 dBm,LoRa(10.4 kHz,扩频因子12时)为-148 dBm。 发射机高输出功率,可编程至 + 22 dBm。 发射机低输出功率,可编程至 + 15 dBm。 有集成无源器件(IPD)配套芯片,用于优化匹配、滤波和平衡-不平衡转换,采用非常紧凑的解决方案,涵盖每个封装和每个主要用例(915 MHz时22 dBm,868 MHz时14 dBm,490 MHz时17 dBm)。 符合以下射频法规,如ETSI EN 300 220、EN 300 113、EN 301 166、FCC CFR 47 Part 15、24、90以及日本ARIB STD-T30、T-67、T-108
    • 1+

      ¥28.49
    • 10+

      ¥24.1
    • 30+

      ¥21.49
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带有FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:用于三角函数加速的CORDIC,过滤数学加速器FMAC。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.64
    • 10+

      ¥26.55
    • 30+

      ¥23.19
    • 90+

      ¥20.73
  • 有货
  • 带稳压器的微型KNX收发器
    数据手册
    • 1+

      ¥31.05
    • 10+

      ¥26.31
    • 30+

      ¥23.49
    • 100+

      ¥20.65
  • 有货
  • 具有多目标检测功能的飞行时间测距传感器
    数据手册
    • 1+

      ¥31.52
    • 10+

      ¥26.92
    • 30+

      ¥24.19
    • 100+

      ¥20.1
  • 有货
  • 具有报警功能的低功耗串行实时时钟(RTC)
    数据手册
    • 1+

      ¥32.77
    • 10+

      ¥28.16
    • 30+

      ¥25.42
    • 100+

      ¥22.65
  • 有货
  • 双H桥
    数据手册
    • 1+

      ¥33.08
    • 10+

      ¥31.47
    • 30+

      ¥30.48
    • 100+

      ¥29.66
  • 有货
  • 特性:动态效率线与批量采集模式(BAM)。 内核:32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存无等待状态执行,频率高达100MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1MB的闪存;256KB的SRAM;灵活的外部静态存储器控制器,数据总线高达16位,支持SRAM、PSRAM、NOR闪存;双模式Quad-SPI接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.72
    • 10+

      ¥31.06
    • 60+

      ¥28.22
    • 120+

      ¥25.84
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用 FlexPowerControl:电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA,为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA(5 个唤醒引脚)。待机模式为 120nA(5 个唤醒引脚)。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA,带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥35.93
    • 10+

      ¥30.53
    • 30+

      ¥26.03
    • 100+

      ¥22.78
  • 有货
  • N沟道650 V、0.061 Ohm典型值、22.5 A MDmesh M5功率MOSFET,PowerFLAT 8x8 HV封装
    数据手册
    • 1+

      ¥35.96
    • 10+

      ¥30.64
    • 30+

      ¥27.39
    • 100+

      ¥24.68
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存,两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具有高循环能力(100 K周期)
    • 1+

      ¥38.04
    • 10+

      ¥32.59
    • 30+

      ¥29.35
    • 100+

      ¥26.07
  • 有货
  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达512KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥38.09
    • 10+

      ¥32.81
    • 30+

      ¥29.58
    • 100+

      ¥26.88
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器零等待状态执行。 4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Dyrystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达512 Kbyte的嵌入式闪存,带ECC,双存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具有高循环能力(100 K周期)
    • 1+

      ¥38.31
    • 10+

      ¥33.16
    • 30+

      ¥30.03
    • 100+

      ¥27.4
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65V 至 3.6V 电源。40°C 至 105°C 温度范围。0.28μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.11μA 待机模式 + RTC。0.44μA 停止模式(16 个唤醒线)
    数据手册
    • 1+

      ¥38.9
    • 10+

      ¥34.62
    • 30+

      ¥32.07
    • 90+

      ¥29.49
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围:1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存,支持ECC,双存储体可读写,有专有代码读出保护(PCROP)和可安全存储区域,1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM,前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上,有硬件奇偶校验(CCM SRAM)。外部静态存储器接口FSMC,支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口
    数据手册
    • 1+

      ¥43.26
    • 10+

      ¥37.3
    • 30+

      ¥33.67
    • 100+

      ¥30.62
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备增强批量采集模式(eBAM),1.7至3.6V电源,-40℃至85/105/125℃温度范围。 内核:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存零等待状态执行,频率高达100MHz,内存保护单元,125 DMiPS/1.25 DMiPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1.5MB闪存,320KB SRAM,灵活的外部静态存储器控制器,数据总线高达16位,支持SRAM、PSRAM、NOR闪存;双模式Quad-SPI接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥45.44
    • 10+

      ¥39.73
    • 30+

      ¥36.24
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU和自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:用于三角函数加速的CORDIC和过滤数学加速器FMAC。 存储器:512 KB的闪存,支持ECC,双存储体可读写,具备专有代码读取保护(PCROP)和可安全存储区域,1 KB OTP;96 KB SRAM,前32 KB实现硬件奇偶校验;指令和数据总线上32 KB SRAM(CCM SRAM),带硬件奇偶校验;支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的外部静态存储器接口FSMC;Quad-SPI存储器接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥46.69
    • 10+

      ¥38.61
    • 30+

      ¥33.68
  • 有货
  • 汽车级全集成H桥电机驱动
    • 1+

      ¥53.62
    • 10+

      ¥45.89
    • 30+

      ¥41.17
    • 100+

      ¥37.23
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。供电电压:1.65V至3.6V。温度范围:-40℃至105℃。待机模式:290nA(3个唤醒引脚)。待机模式+实时时钟:1.11μA。停止模式:560nA(16个唤醒线)
    数据手册
    • 1+

      ¥55.48
    • 10+

      ¥49.72
    • 30+

      ¥46.2
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,有MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达2 MB闪存,分两个存储体,支持边读边写;高达256 + 4 KB SRAM,包括64 KB CCM(核心耦合内存)数据RAM;灵活的外部存储器控制器,数据总线高达32位,支持SRAM、PSRAM、SDRAM、LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥63.32
    • 10+

      ¥54.13
    • 30+

      ¥48.54
  • 有货
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