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首页 > 热门关键词 > ST模拟芯片
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SMA6J瞬态抑制二极管(Transil)系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计,符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准,同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W(10/1000 μs)以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源(SMPS),这些应用需要低漏电流和高结温,以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度,可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装,可最大限度减少印刷电路板(PCB)的空间占用(SMA封装尺寸符合IPC 7531标准)。
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  • 128 Kbit串行I2C总线EEPROM
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  • 汽车级超低电容ESD保护
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  • 有货
  • 512 Kbit串行I2C总线EEPROM
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  • DRAM模块的4 Kbit I2C/SMBus总线串行EEPROM和SPD(DDR4)
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  • 四路2输入与非门施密特触发器
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      ¥1.2253
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  • 这些器件是采用意法半导体(STMicroelectronics)的SuperMESH™技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET,该技术通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。除了显著降低导通电阻外,这款器件还旨在确保在要求最苛刻的应用中具备高水平的dv/dt能力。
    数据手册
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  • 1000 V,3 A超高速二极管
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  • 60 V、5 A低压降功率肖特基整流器
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      ¥1.44
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  • TSV91x运算放大器提供低电压操作、轨到轨输入和输出,以及出色的速度/功耗比,在5V电压下最大仅消耗1.1mA电流,同时提供8MHz的增益带宽积。该运算放大器具有单位增益稳定性,且输入偏置电流极低。这些器件非常适合用于传感器接口、电池供电和便携式应用以及有源滤波。
    数据手册
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  • 4A Snubberless 三端双向可控硅
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  • 有货
  • 与STM32WB55相匹配的2.4 GHz低通滤波器
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      ¥1.29
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      ¥1.21
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  • 这种功率MOSFET是独特的“单特征尺寸”条形工艺的最新发展成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性,且关键对准步骤较少,因此具有出色的制造重复性。
    数据手册
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  • 低压快速切换NPN功率晶体管
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    • 1000+

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      ¥1.3163
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  • STM6315微处理器复位电路是一款低功耗监控器件,用于监测电源。它仅执行一项功能:当VCC电源电压降至预设值以下时,发出复位信号,并保持该信号有效,直至VCC升至预设值以上。漏极开路的RST输出可上拉至高于VCC但低于6V的电压
    数据手册
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  • ST232是一款2驱动器,2接收器设备,符合EIA/TIA-232和V.28通信标准。它特别适用于没有±12 V电源的应用。
    数据手册
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      ¥2.71
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      ¥2.11
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      ¥1.54
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      ¥1.39
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • STM6315微处理器复位电路是一款低功耗监控器件,用于监测电源。它仅执行一项功能:当VCC电源电压降至预设值以下时,发出复位信号,并保持该信号有效,直至VCC升至预设值以上。漏极开路的RST输出可上拉至高于VCC但低于6V的电压
    数据手册
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      ¥2.71
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  • 高电流高性能低压PNP晶体管
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    • 1000+

      ¥1.49
  • 有货
  • 128Kbit (16K x 8 bit) EEPROM,支持I2C协议,具有4百万次写周期寿命和200年数据保留时间。工作电压范围为1.7V至5.5V,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    • 单价:

      ¥1.311013 / 个
    4-Kbit动态NFC/RFID标签NFC Forum type V,具有I2C接口、快速传输模式和能量捕获
    数据手册
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      ¥3.12
    • 10+

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    • 30+

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    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.51
  • 有货
  • 低功耗双路CMOS电压比较器
    数据手册
    • 945+

      ¥2.02884
    • 1890+

      ¥1.99386
    • 2835+

      ¥1.9239
    高精度数字温度传感器和热监测器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.32
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    • 30+

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    • 500+

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    • 1000+

      ¥1.72
  • 有货
  • 该产品为非常低压差稳压器,有SO-8和DPAK封装,输出电压范围广。非常低的压差电压(0.4 V)和极低的静态电流使其特别适用于低噪声、低功耗应用,尤其是电池供电系统。具备关断逻辑控制功能(5引脚,TTL兼容),这意味着当该器件用作局部稳压器时,可以使部分电路板进入待机状态,降低总功耗。仅需一个2.2 μF的电容来保证稳定性,节省空间和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.44
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      ¥2.72
    • 30+

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    • 100+

      ¥2.03
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.52
  • 有货
  • 这些器件是采用先进的PowerMESH技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.6
    • 10+

      ¥2.87
    • 30+

      ¥2.5
    • 100+

      ¥2.14
    • 500+

      ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.81
  • 有货
  • 该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻(RDS(on))。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.75
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.17
    • 500+

      ¥1.98
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
  • N沟道,100V,35A,38mΩ@10V
    数据手册
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      ¥3.77
    • 10+

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    • 50+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.21
    • 500+

      ¥1.98
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
  • 150 V、20 A双路功率肖特基整流器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.8
    • 10+

      ¥3.07
    • 50+

      ¥2.71
    • 100+

      ¥2.35
    • 500+

      ¥2.14
    • 1000+

      ¥2.03
  • 有货
  • 这些器件是采用第二代MDmesh™技术实现的N沟道功率MOSFET。它将多漏极工艺的优势应用于意法半导体(STMicroelectronics)著名的PowerMESH™横向布局结构。由此生产的产品具有更低的导通电阻、较低的栅极电荷、高dv/dt能力和出色的雪崩特性
    数据手册
    • 1+

      ¥3.91
    • 10+

      ¥3.15
    • 30+

      ¥2.77
    • 100+

      ¥2.39
    • 500+

      ¥2.16
    • 1000+

      ¥2.05
  • 有货
  • 512 Kbit SPI总线EEPROM,带高速时钟
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.51
    • 500+

      ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.12
  • 有货
  • VIPerPlus系列:固定频率12W高性能离线高压转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.29
    • 10+

      ¥3.43
    • 50+

      ¥2.99
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