ST模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：STW9NK90Z 编号：C115287

封装：TO-247AC-3

品牌：ST(意法半导体)

SuperMESH™系列是通过对成熟的基于条形结构的PowerMESH™布局进行优化而得。除了显著降低电阻外，它还能为要求最严苛的应用提供出色的dv/dt性能。该系列完善了高压功率MOSFET的全产品线

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型号：STM32G031K6T6 编号：C432202

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围：1.7 V至3.6 V

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型号：L6362ATR 编号：C2671324

封装：VFDFPN-12(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

IO-Link通信收发器器件IC

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型号：STB14NK50ZT4 编号：C116183

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

N沟道

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型号：L6981NDR 编号：C3192320

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

具有低静态电流的 38V、1.5A 同步降压转换器

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型号：STFW4N150 编号：C457486

封装：TO-3PF-3

品牌：ST(意法半导体)

采用成熟的高压MESH OVERLAY™工艺，设计了一系列性能卓越的超高压功率MOSFET。强化的版图设计与专有的边缘终端结构相结合，使单位面积的 $\mathsf{R}_{\mathsf{D S}(\mathsf{o n})}$ 达到最低，同时具备无可匹敌的栅极电荷和开关特性。

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型号：STM8L152R8T6 编号：C33100

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

8位超低功耗微控制器，高达64KB闪存 + 2KB数据EEPROM，具备RTC、LCD、定时器、USART、I²C、SPI、ADC、DAC、比较器。

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型号：STW20N95K5 编号：C501078

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

N沟道950 V、0.275 Ohm典型值、17.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

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型号：STW48N60M2 编号：C145126

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、0.06 Ohm典型值、42 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-247封装

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￥16.41
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型号：STM32L071KBU6 编号：C911078

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。运行模式低至 93μA/MHz

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型号：TSV994IPT 编号：C503311

封装：TSSOP-14

品牌：ST(意法半导体)

单、双和四运算放大器系列提供低电压运行以及轨到轨输入和输出。这些器件具有出色的速度/功耗比，提供20 MHz增益带宽，在增益大于4（100 pF容性负载）时稳定，而在5 V时最大仅消耗1.1 mA。它们还具有超低输入偏置电流。这些特性使该系列非常适合传感器接口、电池供电和便携式应用以及有源滤波。

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￥16.8
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型号：STM32F071CBT6TR 编号：C2053369

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位 (POR/PDR)；可编程电压检测器 (PVD)；低功耗模式：睡眠、停止、待机；V BAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，可选x6 PLL；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个I/O具有5V容限能力，19个具有独立电源VDDIO2

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￥18.27
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型号：STW12N120K5 编号：C457468

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

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型号：VNQ5160KTR-E 编号：C2680353

封装：PowerSSO-24

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：STM32G491VET6 编号：C3209873

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz，带 512 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成

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￥19.95
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型号：STSPIN32G4 编号：C7434864

封装：VFQFPN-64(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

STSPIN32G4是一款高度集成且灵活的电机控制器，用于驱动三相无刷电机，可帮助设计人员选择最合适的驱动模式，减少PCB面积和总体物料清单。它内置一个三半桥栅极驱动器，能够驱动电流能力为1 A（灌电流和拉电流）的功率MOSFET，同时还集成了三个自举二极管。由于具备集成互锁功能，同一半桥的高端和低端开关无法同时被驱动至高电平

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￥21.56
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￥18.34
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型号：STM32L412KBU6 编号：C529439

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/125℃温度范围。V_BAT模式下300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。16nA关机模式（4个唤醒引脚）。32nA待机模式（4个唤醒引脚）。RTC待机模式下245nA。停止2模式下0.7μA，带RTC时0.95μA

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￥22.4
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型号：STM32F303VBT6 编号：C1338563

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 并配备 FPU（最高 72 MHz），具备单周期乘法和硬件除法功能，90 DMIPS（来自 CCM），支持 DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；程序加速：指令和数据总线上 8 Kbytes 的 SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，具备校准功能；内部 8 MHz RC，可选 x 16 PLL；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：均可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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￥24.77
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型号：STM32L433RCT6TR 编号：C2053519

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

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￥28.23
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￥24.15
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￥21.73
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￥19.27
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型号：STM32F407ZGT6 编号：C19156

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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1+
￥29.71
10+
￥25.74
60+
￥23.71
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￥21
360+
￥20.02
1080+
￥19.6

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型号：STM32L496RET6 编号：C2969768

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围：1.71 V至3.6 V。温度范围：-40℃至85/125℃。 VBAT模式下电流为320 nA，用于RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式电流为25 nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为108 nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为426 nA

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1+
￥31.74
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￥27.18
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￥23.45
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￥20.72

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型号：L6234PD013TR 编号：C77581

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

三相电机驱动器

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￥32.87
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￥27.96
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￥25.05
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￥22.1
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￥20.74
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￥20.13

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型号：STM32H723ZET6 编号：C730144

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 512 KB 闪存、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集的 Arm Cortex-M7 MCU

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1+
￥34.91
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￥29.84
60+
￥26.75
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￥24.16

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型号：STM32F405VGT6 编号：C56621

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，有内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。高达 1 Mbyte 的闪存。高达 192 + 4 Kbytes 的 SRAM，包括 64-Kbyte 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM。灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，8080/6800 模式。 1.8 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O。 PCR、PDR、PVD 和 BOR。 4 至 26 MHz 晶体振荡器

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1+
￥37.12
10+
￥31.8
30+
￥28.64

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型号：STM32L471VET6 编号：C2969810

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式下1.1μA，带RTC时1.4μA

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1+
￥37.86
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￥33.06
30+
￥30.13
90+
￥27.68

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型号：STM32F429ZET6 编号：C84456

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有 FPU 的 ARM 32 位 Cortex M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存中零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU 和 DSP 指令。高达 2 MB 的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行。高达 256 + 4 KB 的 SRAM，包括 64 KB 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM。灵活的外部内存控制器，具有高达 32 位的数据总线：支持 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND 内存。LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。LCD-TFT 控制器，高达 KGA 分辨率，带有专用的 Chrom-ART Accelerator（DMA2D）用于增强图形内容创建。时钟、复位和电源管理:1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O。POR、PDR、PVD 和 BOR

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1+
￥40.53
10+
￥33.98
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￥30.66
100+
￥27.88

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型号：STM32F415RGT6 编号：C124726

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，内存保护单元，210 DMIPS / 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 1 M 字节的闪存；高达 192 + 4 K 字节的 SRAM，包括 64 K 字节的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。

数据手册

1+
￥42.06
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￥36.14
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￥32.53
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￥29.51

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型号：L6203 编号：C34306

封装：Multiwatt-11-V

品牌：ST(意法半导体)

DMOS全桥驱动器

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1+
￥43.79
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￥39.17
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￥36.36
100+
￥34

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型号：STM32F103RGT6 编号：C8317

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

数据手册

1+
￥44.95
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￥39.22
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￥32.7
100+
￥29.77

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型号：STM32H723ZGT6TR 编号：C7089881

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32-bit Arm Cortex-M7 CPU with DP-FPU, L1 cache: 32-Kbyte data cache and 32-Kbyte instruction cache allowing 0-wait state execution from embedded Flash memory and external memories, frequency up to 550 MHz, MPU, 1177 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1), and DSP instructions。Up to 1 Mbyte of embedded Flash memory with ECC。SRAM: total 564 Kbytes all with ECC, including 128 Kbytes of data TCM RAM for critical real-time data + 432 Kbytes of system RAM (up to 256 Kbytes can remap on instruction TCM RAM for critical real time instructions) + 4 Kbytes of backup SRAM (available in the lowest-power modes)。Flexible external memory controller with up to 16-bit data bus: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND memories。2 x Octo-SPI interface with XiP。2 x SD/SDIO/MMC interface。Bootloader。Chrom-ART Accelerator graphical hardware accelerator enabling enhanced graphical user interface to reduce CPU load

1+
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