ST模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：VNH7070ASTR 编号：C2150622

封装：SOIC-16

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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1+
￥22.74
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￥19.19
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型号：STM32G473VET6 编号：C730122

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，过滤数学加速器FMAC。

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￥23.11
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型号：STM32F302CBT6TR 编号：C2054997

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0 V 至 3.6 V。内存：128 至 256 KB 的闪存；高达 40 KB 的 SRAM，前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5 V 容忍。互连矩阵

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￥24.21
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￥20.56
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型号：STM32L471RGT6 编号：C124719

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用 FlexPowerControl：电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA，为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA（5 个唤醒引脚）。待机模式为 120nA（5 个唤醒引脚）。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA，带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz

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￥24.41
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￥23.11
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￥21.09
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型号：STM32L451VET6 编号：C1341459

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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￥25.04
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￥21.42
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￥19.27
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540+
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型号：STM32H563RGT6 编号：C22470894

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

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￥28.62
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型号：STM32H563RIT6 编号：C20619634

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

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￥33.45
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￥25.65
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型号：STM32F334K8T6 编号：C106758

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）的32位ARM Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，支持DSP指令。存储器：高达64 KB的闪存；高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM；4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM），用于指令和数据总线。 CRC计算单元。复位和电源管理：VDD、VDDA电压范围：2.0至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，可校准；内部8 MHz RC（通过PLL选项最高可达64 MHz）；内部40 kHz振荡器。多达51个快速I/O端口，均可映射到外部中断向量，部分可承受5 V电压。互连矩阵。 7通道DMA控制器

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￥33.71
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￥29.76
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￥27.42
250+
￥25.05
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型号：STM32F412RGT6 编号：C94351

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带BAM（批量采集模式）内核：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存；256 Kbyte SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口；LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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1+
￥35.7
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￥24.52
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￥22.48

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型号：STM32F413RGT6 编号：C468260

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器，具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口

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1+
￥37.97
10+
￥33.02
30+
￥28.33
100+
￥25.35

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型号：STM32G473RET6 编号：C730120

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，过滤数学加速器FMAC。

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1+
￥41.56
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￥35.33
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￥31.54
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型号：STM32F446VET6TR 编号：C2054064

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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1+
￥44.45
10+
￥39.83
30+
￥37.01
100+
￥34.65

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型号：STM32F207ZGT6 编号：C13542

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达128 + 4 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

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1+
￥50.37
10+
￥43.47
30+
￥39.26
100+
￥35.73

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型号：STM32F205VGT6 编号：C44390

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F205XX 和 STM32F207XX 系列基于高性能的 ARM CorteX-M3 32位RISC内核，工作频率可达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器（Flash 存储器最高达1 Mbyte，系统SRAM最高达128 Kbytes），备份SRAM最高达4 Kbytes，以及通过两个APB总线、两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵连接的广泛增强型I/O和外设。这些设备还具有自适应实时内存加速器（ART Accelerator），允许在CPU频率高达120 MHz时从Flash存储器执行程序达到相当于零等待状态的性能。这种性能已经使用CoreMark基准测试进行了验证。所有设备都提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器（包括两个用于电机控制的PWM定时器）、两个通用32位定时器、一个真随机数生成器（RNG）。它们还配备了标准和高级通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强型灵活静态存储控制器（FSMC）接口（适用于引脚数量为100及以上的设备封装）和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备也具备标准外设。最多可支持三个I2C、三个SPI、两个I2S、四个USART和两个UART、一个USB OTG全速接口和一个带有高速能力的USB OTG全速接口（带ULPI）、两个CAN、一个SDIO接口、以太网接口以及仅在STM32F207XX设备上可用的摄像头接口。STM32F205XX 和 STM32F207XX 系列的工作温度范围为-40至+105℃，供电电压范围为1.8 V至3.6 V。当设备在降低的温度范围内运行时，供电电压可以降至1.65 V。一套全面的节能模式使得设计低功耗应用成为可能。STM32F205XX 和 STM32F207XX 系列提供了四种封装形式，引脚数量从64到176不等。所包含的外设随所选设备的不同而变化。这些特性使得STM32F205XX 和 STM32F207XX 微控制器系列适用于广泛的应用领域：电机驱动与应用控制、医疗设备、工业应用如PLC、逆变器、断路器、打印机和扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVAC、家用音频设备。

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1+
￥53.97
10+
￥46.31
30+
￥41.64
90+
￥37.72

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型号：STM32F103RET7 编号：C1337363

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

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1+
￥54.58
10+
￥49.51
30+
￥48
100+
￥46.73

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型号：STM32H7B0RBT6 编号：C730226

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 128KB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、1376 KB SRAM、280 MHz CPU、L1 缓存、图形加速、外部存储器接口和大量外设

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1+
￥55.18
10+
￥54.31
30+
￥52.81
100+
￥51.5

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型号：VN808CM-E 编号：C1556555

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

VN808CM - E和VN808CM - 32 - E是采用意法半导体（STMicroelectronics）VIPower M0 - 3技术设计的单片器件，旨在驱动一侧接地的任何类型负载。它可以使用3.3 V逻辑电源驱动。有源电流限制与热关断和自动重启功能相结合，可保护器件免受过载影响

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1+
￥60.93
10+
￥51.96
30+
￥46.49
100+
￥41.9

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型号：STM32L476ZGT6 编号：C784816

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl，电源电压1.71V至3.6V，温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式100μA/MHz（LDO模式）。运行模式39μA/MHz（@3.3V SMPS模式）

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1+
￥62.82
10+
￥56.26
60+
￥52.26
120+
￥48.9

有货

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型号：STM32F405RGT7 编号：C1337199

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

数据手册

1+
￥78.36
10+
￥67.06
30+
￥60.17
100+
￥54.39

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型号：STM32F746BGT6 编号：C1337368

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）和L1缓存（4KB数据缓存和4KB指令缓存）的ARM 32位Cortex-M7 CPU，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。

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