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首页 > 热门关键词 > ON安森美模拟芯片
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此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装,适用于低功率表面贴装应用。
数据手册
  • 20+

    ¥0.1653
  • 200+

    ¥0.1292
  • 600+

    ¥0.1092
  • 3000+

    ¥0.0927
  • 9000+

    ¥0.0823
  • 21000+

    ¥0.0767
  • 有货
  • 该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装,旨在以最小的空间需求提供电压调节,非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1931
    • 200+

      ¥0.1499
    • 600+

      ¥0.1258
    • 3000+

      ¥0.1114
    • 9000+

      ¥0.0989
    • 21000+

      ¥0.0922
  • 有货
  • 此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2251
    • 200+

      ¥0.1727
    • 600+

      ¥0.1436
    • 3000+

      ¥0.1262
    • 9000+

      ¥0.111
    • 21000+

      ¥0.1029
  • 有货
  • 三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2323
    • 200+

      ¥0.1847
    • 600+

      ¥0.1582
    • 3000+

      ¥0.136
    • 9000+

      ¥0.1222
    • 21000+

      ¥0.1148
  • 有货
  • 特性:500 mW额定功率,适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽:1.8 V至43 V。 低反向电流 (IZT):50 μA。 封装设计便于自动电路板组装。 小封装尺寸,适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级(> 16 kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2327
    • 200+

      ¥0.1801
    • 600+

      ¥0.1509
    • 3000+

      ¥0.1334
    • 9000+

      ¥0.1182
    • 21000+

      ¥0.11
  • 有货
  • 1.8V 0.5W
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2349
    • 200+

      ¥0.1866
    • 600+

      ¥0.1598
    • 3000+

      ¥0.1422
    • 9000+

      ¥0.1282
    • 21000+

      ¥0.1207
  • 有货
  • 此开关二极管适用于高速开关应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.237
    • 200+

      ¥0.1896
    • 600+

      ¥0.1632
    • 3000+

      ¥0.1152
    • 9000+

      ¥0.1015
    • 21000+

      ¥0.0941
  • 有货
  • 此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2399
    • 100+

      ¥0.193
    • 300+

      ¥0.1696
    • 3000+

      ¥0.152
    • 6000+

      ¥0.1379
    • 9000+

      ¥0.1309
  • 有货
  • 特性:500mW额定功率,适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽,为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸,适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级(>16kV)。 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀,适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2459
    • 100+

      ¥0.1936
    • 300+

      ¥0.1674
    • 3000+

      ¥0.1421
    • 6000+

      ¥0.1264
    • 9000+

      ¥0.1186
  • 有货
  • 此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2533
    • 200+

      ¥0.2089
    • 600+

      ¥0.1843
    • 2000+

      ¥0.1694
    • 10000+

      ¥0.1566
    • 20000+

      ¥0.1497
  • 有货
  • 提供了三种齐纳二极管系列,采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2544
    • 100+

      ¥0.2016
    • 300+

      ¥0.1752
    • 3000+

      ¥0.1466
    • 6000+

      ¥0.1308
    • 9000+

      ¥0.1228
  • 有货
  • 三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2545
    • 100+

      ¥0.2027
    • 300+

      ¥0.1768
    • 3000+

      ¥0.1379
    • 6000+

      ¥0.1223
    • 9000+

      ¥0.1145
  • 有货
  • 此共阳极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3131
    • 100+

      ¥0.2515
    • 300+

      ¥0.2207
    • 3000+

      ¥0.1793
    • 6000+

      ¥0.1608
    • 9000+

      ¥0.1515
  • 有货
  • 特性:ESD 保护。 低 RDS(on)。 表面贴装封装。 2V 前缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用;符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准。应用:低端负载开关。 电平转换电路
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3728
    • 100+

      ¥0.3016
    • 300+

      ¥0.2659
    • 3000+

      ¥0.217
    • 6000+

      ¥0.1956
    • 9000+

      ¥0.1849
  • 有货
  • NL27WZ04是一款高性能双反相器,工作电源电压范围为1.65 V至5.5 V。高阻抗、与TTL兼容的输入可显著降低输入驱动器的电流负载,而与TTL兼容的输出则可改善开关噪声性能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3795
    • 100+

      ¥0.2979
    • 300+

      ¥0.2571
    • 3000+

      ¥0.2265
    • 6000+

      ¥0.202
    • 9000+

      ¥0.1898
  • 有货
  • 肖特基势垒二极管针对非常低的正向压降和低漏电流进行了优化,用于便携式设备中的各种直流-直流转换器、钳位和保护应用。SOD-923微型封装使设计人员能够应对提高效率和满足减小空间要求的挑战。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3869
    • 100+

      ¥0.3092
    • 300+

      ¥0.2703
    • 1000+

      ¥0.2411
    • 5000+

      ¥0.2175
    • 8000+

      ¥0.2058
  • 有货
  • ESD8472旨在保护需要超低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度,非常适合射频(RF)应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合,使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5678
    • 50+

      ¥0.4498
    • 150+

      ¥0.3908
    • 500+

      ¥0.3466
    • 2500+

      ¥0.2832
    • 5000+

      ¥0.2655
  • 有货
  • 该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7147
    • 50+

      ¥0.5635
    • 150+

      ¥0.4879
    • 500+

      ¥0.4114
    • 2500+

      ¥0.3661
    • 5000+

      ¥0.3434
  • 有货
  • 线性恒流调节器 (CCR) 是一种简单、经济且耐用的设备,旨在为调节 LED 中的电流提供经济高效的解决方案。CCR 基于自偏置晶体管 (SBT) 技术,可在很宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数,以保护 LED 在极端电压和电流下免受热失控的影响。CCR 立即开启,仅需 0.5V Vak 即可达到调节值的 25%。它无需外部组件,可设计为高端或低端调节器。高阳极-阴极电压额定值可承受汽车、工业和商业 signage 应用中常见的浪涌。CCR 采用热性能良好的封装,符合 AEC-Q101 标准,并获得 UL94-V0 认证。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7452
    • 50+

      ¥0.5877
    • 150+

      ¥0.5089
    • 500+

      ¥0.4498
    • 3000+

      ¥0.3749
    • 6000+

      ¥0.3512
  • 有货
  • LM393系列是双路独立精密电压比较器,可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源供电时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8085
    • 50+

      ¥0.6488
    • 150+

      ¥0.5689
    • 500+

      ¥0.5091
    • 2500+

      ¥0.3766
    • 5000+

      ¥0.3527
  • 有货
  • 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9048
    • 50+

      ¥0.7269
    • 150+

      ¥0.6379
    • 500+

      ¥0.5712
    • 3000+

      ¥0.4234
    • 6000+

      ¥0.3967
  • 有货
  • 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9057
    • 50+

      ¥0.7292
    • 150+

      ¥0.641
    • 500+

      ¥0.5748
    • 3000+

      ¥0.5045
    • 6000+

      ¥0.478
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0677
    • 50+

      ¥0.8617
    • 150+

      ¥0.7734
    • 500+

      ¥0.6633
    • 2500+

      ¥0.5569
    • 5000+

      ¥0.5274
  • 有货
  • MOSFET,小信号,500 mA,60 V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0973
    • 50+

      ¥0.8553
    • 150+

      ¥0.7517
    • 1000+

      ¥0.6223
    • 2000+

      ¥0.5647
    • 5000+

      ¥0.5301
  • 有货
  • MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间,且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作,但特别适合单电源供电,因为其共模输入电压范围包括地电位(VEE)。凭借达林顿输入级,该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅,提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1076
    • 50+

      ¥0.8692
    • 150+

      ¥0.767
    • 500+

      ¥0.5923
    • 2500+

      ¥0.5355
    • 5000+

      ¥0.5014
  • 有货
  • 高 PSRR
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1095
    • 50+

      ¥0.903
    • 150+

      ¥0.8145
    • 500+

      ¥0.5172
    • 2500+

      ¥0.468
    • 5000+

      ¥0.4385
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低外形封装。 易于拾取和放置。 内置应力消除。 超快恢复时间,效率高。应用:本产品为通用产品,适用于多种不同应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1286
    • 50+

      ¥0.9069
    • 150+

      ¥0.8118
    • 500+

      ¥0.6932
    • 2500+

      ¥0.571
    • 7500+

      ¥0.5393
  • 有货
  • 此 60V P 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.167
    • 50+

      ¥0.927
    • 150+

      ¥0.807
    • 500+

      ¥0.717
    • 3000+

      ¥0.645
    • 6000+

      ¥0.609
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部或底部电路板安装。 符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序文件。 无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1907
    • 50+

      ¥0.9391
    • 150+

      ¥0.8312
    • 500+

      ¥0.6301
    • 2500+

      ¥0.5702
    • 5000+

      ¥0.5342
  • 有货
  • JFET,P沟道,30V,50mA
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4019
    • 50+

      ¥1.1096
    • 150+

      ¥0.9843
    • 500+

      ¥0.828
    • 3000+

      ¥0.6566
    • 6000+

      ¥0.6149
  • 有货
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