ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BC857CLT1G 编号：C152474

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.3781
100+
￥0.3003
300+
￥0.2614
3000+
￥0.2323
6000+
￥0.2089
9000+
￥0.1973

有货

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型号：NL17SZ125DFT2G 编号：C97774

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ125是一款高性能同相缓冲器，工作电源电压范围为1.65 V至5.5 V。

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10+
￥0.3917
100+
￥0.3053
300+
￥0.2621
3000+
￥0.2297
6000+
￥0.2038
9000+
￥0.1909

有货

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型号：NC7SZ04M5X 编号：C32090

封装：SC-74A-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ04 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列单逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。

数据手册

10+
￥0.3938
100+
￥0.3118
300+
￥0.2708
3000+
￥0.2283
6000+
￥0.2037
9000+
￥0.1914

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型号：NSR0320MW2T1G 编号：C48192

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此类肖特基势垒二极管具有高电流处理能力和低正向电压性能。

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10+
￥0.6859
100+
￥0.5771
300+
￥0.5227
3000+
￥0.4819
6000+
￥0.4493
9000+
￥0.433

有货

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型号：NTR4501NT1G 编号：C85416

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,20V,3.2A,80mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.7183
50+
￥0.5714
150+
￥0.4979
500+
￥0.4428
3000+
￥0.3987
6000+
￥0.3766

有货

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型号：NTR4101PT1G 编号：C35920

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。

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5+
￥0.8204
50+
￥0.6715
150+
￥0.597
500+
￥0.5412
3000+
￥0.4352
6000+
￥0.4128

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型号：MBRS140T3G 编号：C133091

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.8235
50+
￥0.6579
150+
￥0.5191
500+
￥0.457
2500+
￥0.4074
5000+
￥0.3825

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型号：1SMA5929BT3G 编号：C32357

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.8415
50+
￥0.6735
150+
￥0.5895
500+
￥0.5265
2500+
￥0.3998
5000+
￥0.3746

有货

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型号：MBR120VLSFT1G 编号：C223608

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。与无引脚34封装形式相比，这种封装也更易于操作

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5+
￥0.878
50+
￥0.7087
150+
￥0.6159
500+
￥0.5524
3000+
￥0.5016
6000+
￥0.4762

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型号：SS24FL 编号：C894433

封装：SOD-123F

品牌：onsemi(安森美)

特性：超薄外形：最大高度1.08mm。 UL可燃性94V-0分类。 MSL-1。绿色模具化合物。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

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5+
￥1.01
50+
￥0.8036
150+
￥0.7152
500+
￥0.6048
3000+
￥0.4922
6000+
￥0.4628

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型号：MBRS340T3G 编号：C40326

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.2309
50+
￥0.9689
150+
￥0.7964
500+
￥0.6563
2500+
￥0.5939
5000+
￥0.5564

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型号：LM339DR2G 编号：C63821

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

这些比较器设计用于消费、汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平传感和存储器应用。

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5+
￥1.2674
50+
￥0.9824
150+
￥0.8603
500+
￥0.7079
2500+
￥0.6401
5000+
￥0.5994

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型号：MB6S 编号：C82584

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些特性使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，甚至更高的浪涌能力，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

数据手册

5+
￥1.6179
50+
￥1.2706
150+
￥1.1218
500+
￥0.9361
3000+
￥0.787
6000+
￥0.7374

有货

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型号：MC74HC595ADTR2G 编号：C100027

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC595A由一个8位移位寄存器和一个带三态并行输出的8位D型锁存器组成。移位寄存器接收串行数据并提供串行输出。移位寄存器还向8位锁存器提供并行数据

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5+
￥1.69
50+
￥1.3271
150+
￥1.1716
500+
￥0.9775
2500+
￥0.8151
5000+
￥0.7632

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型号：UC2845BD1R2G 编号：C33458

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3844B、UC3845B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流感应比较器以及大电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且都具有迟滞、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 适用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压应用。

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5+
￥1.9589
50+
￥1.5305
150+
￥1.3469
500+
￥1.0643
2500+
￥0.9623
5000+
￥0.9011

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型号：MC74HC165ADR2G 编号：C7334

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

该器件引脚排列与 LS165 相同，输入与标准 CMOS 输出兼容，通过上拉电阻可与 LSTTL 输出兼容。它是一个 8 位移位寄存器，末级具有互补输出。数据可以并行或串行形式加载到寄存器中。当串行移位/并行加载输入为低电平时，数据异步并行加载；当串行移位/并行加载输入为高电平时，数据在时钟或时钟禁止信号的上升沿串行加载。2 输入或非时钟可以通过组合两个独立的时钟源或指定其中一个时钟输入作为时钟禁止信号来使用。

数据手册

5+
￥1.9683
50+
￥1.5923
150+
￥1.4312
500+
￥1.2302
2500+
￥1.0503
5000+
￥0.9965

有货

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型号：CAT24C32WI-GT3 编号：C81193

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

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5+
￥2.0808
50+
￥1.6272
150+
￥1.4328
500+
￥1.1741
3000+
￥1.0661
6000+
￥1.0013

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型号：MC14538BDR2G 编号：C57398

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14538B是一款双路、可重触发、可复位的单稳态多谐振荡器。它可以由输入脉冲的任一边沿触发，并能在很宽的宽度范围内产生精确的输出脉冲，输出脉冲的持续时间和精度由外部定时元件Cₓ和Rₓ决定。输出脉冲宽度T = Rₓ × Cₓ（秒）

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5+
￥2.0814
50+
￥1.658
150+
￥1.4766
500+
￥1.0517
2500+
￥0.9509
5000+
￥0.8905

有货

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型号：MMBF5457 编号：C2830807

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该器件是一个低电平音频放大器和开关晶体管，可用于模拟开关应用。采用工艺55设计。

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5+
￥2.0987
50+
￥1.6605
150+
￥1.4727
500+
￥1.2384
3000+
￥1.134
6000+
￥1.0714

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型号：MC34074DR2G 编号：C179580

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。该系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速的建立时间，而无需使用JFET器件技术。尽管这一系列可以采用双电源供电，但由于共模输入电压范围包括地电位（VEE），因此特别适合单电源供电操作。通过采用达林顿输入级，该系列表现出高输入电阻、低输入偏移电压和高增益的特点。全NPN输出级具有无死区交越失真和大输出电压摆幅的特点，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/汇交流频率响应。

数据手册

1+
￥2.32
10+
￥1.8
30+
￥1.58
100+
￥1.31
500+
￥1.18
1000+
￥1.11

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型号：UC3843BD1R2G 编号：C16414

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠压锁定且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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5+
￥2.4615
50+
￥2.0331
150+
￥1.8495
500+
￥1.0983
2500+
￥0.9963
5000+
￥0.9351

有货

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型号：UC2843BD1R2G 编号：C59197

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。此外，还包括了保护功能，其中包含输入和参考欠压锁定且每个都带有迟滞、逐周期电流限制、可编程输出停滞时间以及用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），非常适用于离线转换器。UCX843B 专门用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压应用。

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5+
￥2.4882
50+
￥1.9898
150+
￥1.7762
500+
￥1.2637
2500+
￥1.145
5000+
￥1.0738

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型号：MJD122T4G 编号：C12789

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。

数据手册

1+
￥3.19
10+
￥2.55
30+
￥2.28
100+
￥1.94
500+
￥1.79
1000+
￥1.69

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型号：MOC3081M 编号：C9215

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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1+
￥3.41
10+
￥2.77
50+
￥2.28
100+
￥1.96
500+
￥1.77
1000+
￥1.68

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型号：H11L1SR2M 编号：C20082

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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1+
￥3.44
10+
￥2.69
30+
￥2.38
100+
￥1.98
500+
￥1.68
1000+
￥1.57

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型号：MOC3081SR2M 编号：C112418

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥4.23
10+
￥3.49
30+
￥3.12
100+
￥2.76
500+
￥2.31
1000+
￥2.19

有货

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型号：FQT1N60CTF-WS 编号：C258152

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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1+
￥4.39
10+
￥3.62
30+
￥3.24
100+
￥2.86
500+
￥2.63
1000+
￥2.52

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型号：FOD3120SD 编号：C15455

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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