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描述

价格(含税)

库存

操作

1个N沟道耐压:50V 电流:200mA

型号：BSS138LT3G 编号：C83790

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：低阈值电压（VGS(th)：0.5V-1.5V），适用于低电压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动电话和无绳电话

数据手册

5+
￥0.7117
50+
￥0.5638
150+
￥0.4899
500+
￥0.4345
2500+
￥0.3607
5000+
￥0.3385

有货

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250V 200mA

型号：NSVBAS21HT1G 编号：C232623

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。

数据手册

5+
￥0.7991
50+
￥0.6701
150+
￥0.6056
500+
￥0.5573
3000+
￥0.4715
6000+
￥0.4521

有货

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1V@1uA

型号：MMBFJ112 编号：C258195

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。

数据手册

5+
￥0.9067
50+
￥0.7439
150+
￥0.6625
500+
￥0.6015
3000+
￥0.4645
6000+
￥0.44

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:100uA

型号：1SMB5913BT3G 编号：C53169

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9829
50+
￥0.8054
150+
￥0.7166
500+
￥0.6501
2500+
￥0.5968

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：MBR140SFT1G 编号：C43381

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构具有铬势垒金属、带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.1798
50+
￥0.9186
150+
￥0.8067
500+
￥0.6539
3000+
￥0.5917
6000+
￥0.5544

有货

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四2输入与非施密特触发器

型号：MC14093BDR2G 编号：C36616

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14093B施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，以单块结构制成。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合

数据手册

5+
￥1.2153
50+
￥0.9749
150+
￥0.8718
500+
￥0.7118
2500+
￥0.6546
5000+
￥0.6202

有货

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5V 500mA 20V

型号：MC78M05CDTRKG 编号：C20719

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

数据手册

5+
￥1.2472
50+
￥0.9922
150+
￥0.8829
500+
￥0.7465
2500+
￥0.6858
5000+
￥0.6493

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:27A

型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。功率负载开关

数据手册

5+
￥1.3086
50+
￥1.1405
150+
￥1.0685
500+
￥0.9128
2500+
￥0.8727
5000+
￥0.8487

有货

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电压:60V 电流:3A

型号：MBRS360T3G 编号：C24449

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。

数据手册

5+
￥1.3522
50+
￥1.0897
150+
￥0.9772
500+
￥0.7301
2500+
￥0.6676
5000+
￥0.6301

有货

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4.2V~28V 串联 220uA 18ppm/℃

型号：NCP51460SN33T1G 编号：C233715

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

精确电压参考，20 mA，低 Iq，高 PSRR，低噪声

数据手册

5+
￥1.3953
50+
￥1.1142
150+
￥0.9937
500+
￥0.8434
3000+
￥0.7765
6000+
￥0.7363

有货

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电压:60V 电流:3A

型号：MBRS360BT3G 编号：C59027

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。

数据手册

5+
￥1.4134
50+
￥1.1161
150+
￥0.9886
500+
￥0.7741
2500+
￥0.7033
5000+
￥0.6608

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.4A

型号：FDN304P 编号：C241803

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.4514
50+
￥1.144
150+
￥1.0122
500+
￥0.8478
3000+
￥0.6906
6000+
￥0.6466

有货

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200V 4A

型号：MURS320T3G 编号：C54101

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.6645
50+
￥1.2943
150+
￥1.1357
500+
￥0.9377
2500+
￥0.8496
5000+
￥0.7967

有货

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耐压:1kV 电流:1A 反向恢复时间：75ns

型号：US1MFA 编号：C894760

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化芯片结。低功耗、高效率。快速开关反向恢复时间：最大50-75 ns。高浪涌容量。UL可燃性94V-0分类。符合J-STD-020的MSL 1。适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用的NRV前缀；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥2.004
50+
￥1.6225
150+
￥1.4591
500+
￥1.0764
3000+
￥0.9856
6000+
￥0.9311

有货

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1.25V~18.8V 1A 20V

型号：NCP1117STAT3G 编号：C20546

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是低压正电压调节器，能够提供超过1.0A的输出电流，在800mA时最大压降为1.2V。该系列包含1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和12V八种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻将输出电压编程为1.25V至18.8V。片上微调可将参考/输出电压调节到±1.0%的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达20V的输入电压下工作。器件采用SOT-223和DPAK封装。

数据手册

5+
￥2.1355
50+
￥1.7346
150+
￥1.5628
500+
￥1.083
2500+
￥0.9876
4000+
￥0.9303

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:2.5A

型号：NDT2955 编号：C194179

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 60V P 沟道 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.1809
50+
￥1.6971
150+
￥1.4897
500+
￥1.231
2500+
￥1.1158
4000+
￥1.0467

有货

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运算放大器，轨到轨输出，3 MHz带宽

型号：NCS20074DTBR2G 编号：C411221

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

该系列运算放大器提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。该系列可在低至2.7V的电源电压下工作，温度范围为 -40℃至125℃。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许该系列在高达36V的电源电压下运行，使其适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。该系列器件有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

数据手册

1+
￥2.46
10+
￥1.91
30+
￥1.67
100+
￥1.37
500+
￥1.24
1000+
￥1.16

有货

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8.8V~28V

型号：NCP1253BSN65T1G 编号：C190290

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP1253是一款高度集成的PWM控制器，能够在小巧的TSOP−6封装中提供坚固且高性能的离线电源。该控制器的电源范围高达28 V，采用峰值电流模式控制，拥有抖动频率为65 kHz或100 kHz的开关电路。当次级侧功率开始下降时，控制器会自动将开关频率降至最低26 kHz。随着功率进一步降低，该器件在限制峰值电流的同时进入跳周期模式。为避免CCM工作时出现次谐波振荡，可通过在电流检测信号中串联一个简单电阻来实现可调斜率补偿。除了基于自动恢复定时器的短路保护外，VCC引脚的过压保护可在光耦损坏或开环工作异常时保护整个电路。NCP1253采用标准的电流模式架构，关断事件由峰值电流设定点决定。该组件是低元件数量和高成本效益为关键参数应用的理想选择，尤其适用于低成本的AC−DC适配器、开放式电源等。借鉴NCP1200系列的成功经验，NCP1253集成了现代电源设计通常所需的所有必要组件，并进行了多项改进，如VCC过压保护或可调斜率补偿信号。• 带内部斜坡补偿的电流模式操作：NCP1253以固定的65 kHz或100 kHz频率实现峰值电流模式控制，提供内部斜坡补偿信号，可轻松与检测到的电流相加。因此，通过在电流检测信息中串联一个简单电阻，可补偿次谐波振荡。• 低启动电流：当控制器在启动期间消耗大量电流时，要实现低空载待机功率始终是一项难题。凭借其专利架构，NCP1253保证最大电流消耗低于15 μA，简化了低待机功率适配器的设计。• EMI抖动：内部低频调制信号会改变振荡器频率的调制节奏。这有助于在传导噪声分析中分散能量。为改善低功率水平下的EMI特性，在频率折返模式（轻载条件）下，抖动功能不会禁用。• 频率折返功能：连续的脉冲流与空载/轻载待机功率要求不兼容。为在这方面表现出色，控制器会监测反馈引脚，当反馈引脚电压达到1.5 Vm时，随着反馈电平继续降低，振荡器开始降低其开关频率。当反馈引脚电压达到1.05 V时，内部会锁定峰值电流设定点，频率继续降低。当反馈电平约为350 mV时，频率可降至26 kHz（典型值）。此时，如果功率继续下降，控制器进入……

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.34
30+
￥2.08
100+
￥1.74
500+
￥1.47
1000+
￥1.38

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:71A

型号：NTMFS5C670NLT1G 编号：C179626

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥3.23
10+
￥2.55
30+
￥2.25
100+
￥1.89
500+
￥1.72
1500+
￥1.62

有货

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系统监控电压复位，带看门狗和手动复位功能

型号：CAT823TTDI-GT3 编号：C91360

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT823和CAT824为电子系统提供基本的复位和监控功能。每个器件都会监控系统电压，并保持复位输出，直到该电压达到器件指定的跳变值，然后在内部定时器（最短为140 ms）计时结束前，维持复位输出的有效状态，以使系统电源稳定。CAT823和CAT824还设有看门狗输入，可用于监控系统信号，若信号在超时条件发生前未改变状态，则会触发复位

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.65
30+
￥2.35
100+
￥1.97
500+
￥1.68
1000+
￥1.58

有货

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单电源3.0 V至44 V运算放大器

型号：MC33074DR2G 编号：C43547

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。

数据手册

1+
￥3.42
10+
￥2.66
30+
￥2.34
100+
￥1.94
500+
￥1.7
1000+
￥1.59

有货

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1.2V~37V 1.5A 40V

型号：LM317D2TR4G 编号：C12848

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调正向

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.75
30+
￥2.45
100+
￥2.06
500+
￥1.71
800+
￥1.6

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:150A

型号：NTMFS5C628NLT1G 编号：C145537

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，150A，2.4mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.83
30+
￥2.47
100+
￥2.11
500+
￥1.89
1500+
￥1.78

有货

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：MOCD207R2M 编号：C232863

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD207M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.85
30+
￥2.53
100+
￥2.12
500+
￥1.72
1000+
￥1.61

有货

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低功耗，双SIM卡模拟开关

型号：FSA2567UMX 编号：C357761

封装：UFQFN-16(1.8x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

数据手册

1+
￥4.52
10+
￥3.69
30+
￥3.28
100+
￥2.86
500+
￥2.35
1000+
￥2.22

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:2.8A

型号：FQD5N60CTM 编号：C467458

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥4.58
10+
￥3.72
30+
￥3.29
100+
￥2.51
500+
￥2.26
1000+
￥2.12

有货

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1个N沟道耐压:150V

型号：FDMS86200 编号：C128799

封装：PDFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥6.46
10+
￥5.3
30+
￥4.66
100+
￥3.93
500+
￥3.61
1000+
￥3.47

有货

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小信号二极管

型号：FDLL4148-D87Z 编号：C896730

封装：SOD-80

品牌：onsemi(安森美)

高电导快速二极管

数据手册

20+
￥0.2055
200+
￥0.165
600+
￥0.1425
2000+
￥0.1289
10000+
￥0.1172
20000+
￥0.1109

有货

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独立式耐压:30V 电流:0.1uA@23V

型号：MMSZ5256BT1G 编号：C235773

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2178
200+
￥0.1697
600+
￥0.1429
3000+
￥0.1178
9000+
￥0.1039
21000+
￥0.0964

有货

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50V 100mA

型号：MMUN2232LT1G 编号：C232614

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

数据手册

10+
￥0.2231
100+
￥0.1745
300+
￥0.1502
3000+
￥0.1319
6000+
￥0.1173
9000+
￥0.11

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
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