ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCV7805BD2TR4G 编号：C327508

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

超高PSRR

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型号：FDMC2523P 编号：C890927

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

这些P沟道MOSFET增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合音频放大器、高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制等低电压应用

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型号：BD139G 编号：C233736

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该中等功率 NPN 塑料晶体管系列使用互补或准互补电路，适合用作音频放大器和驱动器。

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型号：MURB1620CTRT4G 编号：C235752

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于负开关电源、逆变器和续流二极管。另外，此器件结合共阴极双超快速整流器使用时，会产生一个单相全波形桥。

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型号：MUR1100EG 编号：C232638

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：NCV4276CDTADJRKG 编号：C603938

封装：DPAK-5

品牌：onsemi(安森美)

NCV4276C是一款输出电流为400 mA的集成低压差稳压器系列产品，专为恶劣的汽车环境设计。它具有较宽的工作温度和输入电压范围。该器件提供3.3 V、5.0 V和可调电压版本，输出电压精度可达2%。它具有高的峰值输入电压耐受性和反向输入电压保护功能。还具备过流保护、过温保护和输出电压状态控制抑制功能。NCV4276C系列采用DPAK和D²PAK表面贴装封装。在较宽的输出电容和ESR范围内，输出保持稳定。NCV4276C在输入电压瞬变期间具有改善的启动特性。NCV4276C与NCV4276B引脚兼容。

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型号：NCV4275ADT50RKG 编号：C709694

封装：DPAK-5

品牌：onsemi(安森美)

是一款专为恶劣汽车环境设计的集成低压差稳压器。它具有较宽的工作温度和输入电压范围。输出电压稳定在5.0V或3.3V，额定输出电流为450mA。还具备过流保护、过温保护和可编程微处理器复位等功能。有DPAK和D²PAK表面贴装封装。输出在较宽的输出电容和ESR范围内保持稳定。

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型号：CAT25512HU5I-GT3 编号：C463684

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT25512是一款512 Kb串行EEPROM SPI器件，内部结构为64Kx8位。它具备128字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS）(overline)输入使能

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型号：FQD19N10LTM 编号：C241839

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：MJE15034G 编号：C150091

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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型号：FQD2N90TM 编号：C424487

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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型号：NCV8161BSN330T1G 编号：C893118

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

线性调节器能够提供450 mA输出电流。专为满足射频和模拟电路的要求而设计，提供低噪声、高电源抑制比、低静态电流和非常好的负载/线路瞬态响应。该器件设计为与1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容器配合使用。

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型号：NCV8161ASN330T1G 编号：C604034

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCV8161是一款线性稳压器，能够提供450 mA的输出电流。该器件专为满足射频和模拟电路的要求而设计，具有低噪声、高电源抑制比（PSRR）、低静态电流以及出色的负载/线性瞬态响应等特性。它设计用于搭配1 μF的输入和1 μF的输出陶瓷电容工作

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型号：MUR1540G 编号：C146807

封装：TO-220AC-2

品牌：onsemi(安森美)

此超快整流器适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管。

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￥7.53
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型号：FCD5N60TM 编号：C435887

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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型号：NCP45521IMNTWG-H 编号：C223558

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关通过软启动实现浪涌电流限制，为高效电源域切换提供了节省元件和空间的解决方案。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：FPF2004 编号：C463263

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

FPF2000 至 FPF2007 是一系列负载开关，可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。这些器件包含一个 0.7 Ω 限流 P 沟道 MOSFET，可在 1.8 - 5.5 V 的输入电压范围内工作。开关控制通过一个逻辑输入（ON）实现，该输入能够直接与低压控制信号接口。每个器件都包含热关断保护功能，当持续过流情况导致过热时，会关闭开关以防止器件损坏。当开关电流达到限流值时，器件将以恒流模式工作，以防止过大电流造成损坏。对于 FPF2000 - FPF2002 和 FPF2004 - FPF2006，如果恒流情况在 10ms 后仍然存在，这些器件将关闭开关并将故障信号引脚（FLAGB）拉低。FPF2000、FPF2001、FPF2004 和 FPF2005 具有自动重启功能，如果 ON 引脚仍然有效，将在 80 ms 后再次打开开关。FPF2002 和 FPF2006 没有此自动重启功能，因此开关将保持关闭状态，直到 ON 引脚进行一次开关操作。对于 FPF2003 和 FPF2007，限流情况将立即将故障信号引脚拉低，并且器件将保持在恒流模式，直到开关电流降至限流值以下。对于 FPF2000 至 FPF2003，最小限流值为 50 mA，而 FPF2004 至 FPF2007 的最小限流值为 100 mA。这些器件采用节省空间的 5 引脚 SC - 70 封装。FPF2000 - FPF2007 是限流开关，可保护可能因大电流应用而损坏或中断的系统和负载。每个器件的核心是一个 0.7 Ω 的 P 沟道 MOSFET 和一个控制器，该控制器能够在 1.8 - 5.5 V 的宽输入工作范围内工作。控制器通过限流、欠压锁定和热关断功能防止系统故障。限流值预设为 50 mA 或 100 mA。

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￥8.97
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型号：NCP1076BBP100G 编号：C513002

封装：PDIP-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1076A 和 NCP1076B 产品集成了固定频率电流模式控制器和 700 V MOSFET。它具有两个不同的引脚输出，采用非常常见的 PDIP?7 封装，高度集成，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳过周期、最大峰值电流设定点、斜坡补偿和动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片方案不同，NCP1076A 和 NCP1076B 具有无噪音特性：在正常负载运行期间，该零部件在某个可用频率进行开关 (65 或 100 kHz)。当输出功率需求消失时，该集成电路将自动进入频率折回模式，在轻负载下提供出色能效。当功率需求进一步降低时，它进入跳过模式，将待机功耗降低到无负载条件。保护功能包括：检测过载或短路事件的计时器、带自动恢复的过电压保护。交流输入线路电压检测可防止低输入电压条件（欠压）以及过高输入线路（交流线路过电压保护）下的严重失控。这也可以使得过功率保护能够补偿高输入电压条件下的所有内部延迟，优化最大输出电流能力。为了提高待机性能，连接辅助绕组会停止 DSS 运行，有助于将高电平线路的输入功耗降至 50 mW 以下。

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￥9.41
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￥6.95
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￥5.98
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￥5.35

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型号：HCPL2631M 编号：C899527

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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1+
￥9.69
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￥7.02
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￥5.48
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￥5.26

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型号：FL7701MX 编号：C464169

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FL7701 LED灯驱动器是一个具有PFC功能的简单IC。IC的特殊“已采用数字”技术可自动检测输入电压情况，并发送内部参考信号来实现高功率因数。当AC输入应用于IC时，系统会自动启用PFC功能。相反，当DC输入应用于IC时，系统会自动禁用PFC功能。FL7701不需要降压电容（电解电容）便可确保对LED灯系统具有重大影响的电源电压轨的稳定性。

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￥9.8553 ￥10.83
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￥7.3224 ￥9.04
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￥4.4304 ￥6.24

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型号：FQB27P06TM 编号：C898640

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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1+
￥10.59
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￥8.92
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￥7.88
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型号：NCP59744MN2ADJTBG 编号：C462919

封装：QFN-20(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

超低泄漏高PSRR 低噪音

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￥10.92
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￥6.47
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型号：NCP81610AMNTXG 编号：C895769

封装：QFN-40(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81610是一款多相同步控制器，专为新一代计算和图形处理器进行了优化。该器件能够驱动多达8相，集成了差分电压和相电流感应、自适应电压定位以及PWM_VID接口，可为计算机或图形控制器提供精确调节的电源。

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型号：FDA59N30 编号：C140696

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥13.25
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￥11.11
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￥9.78
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450+
￥7.79
900+
￥7.52

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型号：FCB11N60TM 编号：C462722

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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1+
￥13.36
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￥11.25
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￥7.97
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型号：FDP39N20 编号：C188507

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术，是高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。此系列器件适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥13.37
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￥12.35
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￥8.59

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型号：FDMS86101A 编号：C605041

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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1+
￥18.49
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￥15.35
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￥13.49
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￥11.61
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1000+
￥10.35

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型号：NJW3281G 编号：C328094

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

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1+
￥20.97
10+
￥17.75
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￥15.84
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990+
￥12.61

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型号：FDB0170N607L 编号：C898536

封装：TO-263-7

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。

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1+
￥21.35
10+
￥20.29
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￥19.66
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￥17.22

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型号：RHRP30120 编号：C11752

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP30120 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

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￥22.73
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