ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTS4173PT1G 编号：C894090

封装：SC-70-3

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 30 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥1.1594
50+
￥0.9398
150+
￥0.8456
500+
￥0.7282
3000+
￥0.6498

有货

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型号：NSS40201LT1G 编号：C145175

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥1.1687
50+
￥0.9217
150+
￥0.8159
500+
￥0.6838
3000+
￥0.625
6000+
￥0.5897

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型号：MC74HC138ADR2G 编号：C184650

封装：SOIC-16-150mil

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC138A的引脚排列与LS138相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，也与LSTTL输出兼容。HC138A可将三位地址解码为八路低电平有效输出

数据手册

5+
￥1.2184
50+
￥0.9473
150+
￥0.8311
500+
￥0.6861
2500+
￥0.6216
5000+
￥0.5828

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型号：NSVBAT54SWT1G 编号：C114731

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

5+
￥1.2338
50+
￥0.9818
150+
￥0.8738
500+
￥0.7391

有货

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型号：LMV931SQ3T2G 编号：C231855

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

CMOS低压运算放大器可在单边电源（1.8 V至5.0 V）下工作，具有轨到轨输入和输出摆幅。两款器件均采用小型先进封装，静态电流极低，非常适合电池供电的便携式应用，如笔记本电脑和手持仪器。轨到轨操作可改善信噪比性能，小型封装允许更靠近信号源放置，从而减少噪声拾取。

数据手册

5+
￥1.2535
50+
￥0.9742
150+
￥0.8545
500+
￥0.7051
3000+
￥0.6386
6000+
￥0.5987

有货

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型号：1SMB5937BT3G 编号：C48868

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.3302
50+
￥1.0419
150+
￥0.9183
500+
￥0.7642
2500+
￥0.6956
5000+
￥0.6544

有货

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型号：MC79L12ACDR2G 编号：C233402

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

负电压调节器价格便宜、易于使用，适用于众多需要高达100 mA电流的应用。与功率更高的负调节器一样，该系列具有热关断和限流功能，非常耐用。在大多数应用中，操作无需外部组件。该调节器可用于板载调节或任何其他需要适度电流水平的稳压负电压的应用。与常见的电阻/齐纳二极管方法相比，这些调节器具有显著优势。

数据手册

5+
￥1.3345
50+
￥0.975384 ￥1.0488
150+
￥0.768912 ￥0.9264
500+
￥0.642171 ￥0.7737
2500+
￥0.585648 ￥0.7056
5000+
￥0.551784 ￥0.6648

有货

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型号：MBRA1H100T3G 编号：C480691

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.3937
50+
￥1.1064
150+
￥0.9833
500+
￥0.8297
2500+
￥0.7613
5000+
￥0.7202

有货

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型号：NRVUA120VT3G 编号：C604307

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管，在系统中对尺寸和重量要求严苛的场景。

数据手册

5+
￥1.4431
50+
￥1.1907
150+
￥1.0825
500+
￥0.9476
2500+
￥0.8875

有货

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型号：NRVUA220VT3G 编号：C604310

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管，在尺寸和重量对系统至关重要的情况下使用。

数据手册

5+
￥1.4514
50+
￥1.2551
150+
￥1.1709
500+
￥1.0659
2500+
￥1.0192
5000+
￥0.9911

有货

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型号：LM317MABDTRKG 编号：C427699

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调正向

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5+
￥1.4788
50+
￥1.1463
150+
￥1.0038
500+
￥0.826
2500+
￥0.7468
5000+
￥0.6993

有货

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型号：FDN359AN 编号：C236898

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

数据手册

5+
￥1.584
50+
￥1.2818
150+
￥1.1523
500+
￥0.8946
3000+
￥0.8227
6000+
￥0.7795

有货

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型号：NSVBCP56-10T3G 编号：C895147

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些NPN硅外延晶体管专为音频放大器应用而设计。该器件采用SOT - 223封装，此封装专为中功率表面贴装应用而设计。

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5+
￥1.6019
50+
￥1.2609
150+
￥1.1147
500+
￥0.9324
2500+
￥0.8512

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型号：FDN304PZ 编号：C73273

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

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5+
￥1.6875
50+
￥1.3448
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￥1.1979
500+
￥1.0146
3000+
￥0.933
6000+
￥0.884

有货

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型号：SS12 编号：C184027

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.75
50+
￥1.3736
150+
￥1.2123
500+
￥1.0111

有货

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型号：MC3303DR2G 编号：C62021

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC3403 是一款低成本、具有真正差分输入的四运放。该器件的电气特性与广受欢迎的 MC1741C 相似。然而，在单电源应用中，MC3403 相较于标准运算放大器类型具有若干显著优势

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5+
￥1.7933
50+
￥1.3901
150+
￥1.2173
500+
￥1.0017
2500+
￥0.9057
5000+
￥0.848

有货

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型号：FDN358P 编号：C24848

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

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5+
￥1.8123
50+
￥1.4048
150+
￥1.2302
500+
￥1.0123

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型号：74LCX04BQX 编号：C258148

封装：DQFN-14(2.5x3)

品牌：onsemi(安森美)

LCX04包含六个反相器。输入容许电压达7V，允许5V系统到3V系统的连接。74LCX04采用先进的CMOS技术制造，以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。

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1+
￥1.9
10+
￥1.65
30+
￥1.54
100+
￥1.41
500+
￥1.32
1000+
￥1.29

有货

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型号：CAT24C64C4CTR 编号：C463683

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64是64 Kb CMOS串行EEPROM设备，内部组织为8192个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。外部地址引脚可使最多8个CAT24C64设备在同一条总线上寻址。

数据手册

5+
￥1.975
50+
￥1.5887
150+
￥1.4231
500+
￥1.2165
2500+
￥1.1246

有货

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型号：FDC6330L 编号：C112086

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

该器件特别适用于需要3V至20V输入和2.3A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。这款负载开关在一个小型SuperSOTTM 6封装中集成了一个小的N沟道功率MOSFET（Q1），用于驱动一个大的P沟道功率MOSFET（Q2）。

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5+
￥2.0793
50+
￥1.6281
150+
￥1.4348
500+
￥1.1297
3000+
￥1.0222
6000+
￥0.9578

有货

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型号：1N5350BRLG 编号：C5308

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥2.1935
50+
￥1.7263
150+
￥1.526
500+
￥1.2762

有货

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型号：SBCP56-16T3G 编号：C895180

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些NPN硅外延晶体管专为音频放大器应用而设计。该器件采用SOT - 223封装，此封装专为中功率表面贴装应用而设计。

数据手册

5+
￥2.2583
50+
￥1.7872
150+
￥1.5853
500+
￥1.3334

有货

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型号：MM74HC14MTCX 编号：C274667

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MM74HC14采用先进的硅栅CMOS技术，具备标准CMOS的低功耗和高抗噪能力，还能驱动10个LS-TTL负载。74HC逻辑系列在功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入均通过连接到V(CC)和地的内部二极管钳位保护，防止因静电放电而损坏

数据手册

1+
￥2.31
10+
￥1.8
30+
￥1.58
100+
￥1.31
500+
￥1.18
1000+
￥1.11

有货

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型号：FDC6303N 编号：C236887

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适合在低压应用中替代负载开关应用中的数字晶体管。因为无需偏置电阻，所以此类 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管，如 IMHxA 系列。

数据手册

1+
￥2.34
10+
￥1.82
30+
￥1.59
100+
￥1.31
500+
￥1.18
1000+
￥1.11

有货

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型号：NDS9407 编号：C236919

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

5+
￥2.351
50+
￥1.9441
150+
￥1.7697
500+
￥1.552

有货

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型号：NSS12100XV6T1G 编号：C232473

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥2.4274
50+
￥1.9252
150+
￥1.7099
500+
￥1.4414
2500+
￥1.3218

有货

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型号：MC7805CTG 编号：C22456

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作固定电压调节器，适用于包括本地、板载调节在内的各种应用。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过1.0A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部组件一起使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

1+
￥2.49
10+
￥1.94
50+
￥1.68
100+
￥1.38
500+
￥1.25
1000+
￥1.17

有货

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型号：FODM217DR2 编号：C891191

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

数据手册

1+
￥2.53
10+
￥1.97
30+
￥1.73
100+
￥1.43
500+
￥1.3
1000+
￥1.22

有货

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型号：NCV1413BDR2G 编号：C138393

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 MC1413，B 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

数据手册

1+
￥2.53
10+
￥1.99
30+
￥1.75
100+
￥1.46
500+
￥1.24
1000+
￥1.16

有货

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型号：2SB1123T-TD-E 编号：C604955

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

2SB1123 是一款双极晶体管，-50V -2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP，用于高电流开关应用。

数据手册

1+
￥2.54
10+
￥1.98
30+
￥1.74
100+
￥1.44
500+
￥1.31
1000+
￥1.23

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