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2个N沟道耐压:60V 电流:3.5A

型号：FDS9945 编号：C94891

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，该 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效率。

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￥2.55
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具有LSTTL兼容输入的八通道三态同相缓冲器/线路驱动器/线路接收器

型号：MC74HCT244ADTR2G 编号：C603267

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HCT244A 与 LS244 的引脚输出相同。此器件可用作将 TTL 或 NMOS 输出接口到高速 CMOS 输入的电平转换器。HCT244A 是一款八路非反相缓冲器线路驱动器线路接收器，适用于 3 态内存地址驱动器、时钟驱动器和其他总线导向系统。该器件具有非反相输出和两个有效低电平输出启用。HCT244A 是 HCT240 的非反相版本。另请参见 HCT241。

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￥1.82
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1个独立式耐压:22V 电流:1uA

型号：SZ1SMB5933BT3G 编号：C889931

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

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低压、轨到轨运算放大器

型号：MC33202DMR2G 编号：C231818

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33201/2/4 系列运算放大器在输入和输出端均提供轨到轨操作。输入信号可驱动至超出电源轨 200 mV，而输出端不会出现相位反转，且输出摆幅可接近每个电源轨 50 mV 以内。这种轨到轨操作使使用者能够充分利用可用的电源电压范围

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1个N沟道耐压:30V 电流:136A

型号：NTMFS4C022NT1G 编号：C179623

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30 V，136A，1.7 mΩ，单 N 沟道，SO?8FL

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NPN 80V 1A

型号：BSP52T1G 编号：C899057

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-223 封装，适用于中等功率表面贴装应用。

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耐压:80V 电流:25A

型号：FDD86381_F085 编号：C88401

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 16.2mΩ，VGS = 10V，ID = 25A。典型总栅极电荷Qg(tot) = 14nC，VGS = 10V，ID = 25A。具备UIS能力。符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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独立式耐压:8.7V 电流:10uA@6.6V

型号：1N5345BRLG 编号：C9118

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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电压:40V 电流:5A

型号：NRVBS540T3G 编号：C462936

封装：SMC

品牌：onsemi(安森美)

MBRSS40T3 在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管

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800mV~5.5V 500mA 5.5V

型号：NCV8705MTADJTCG 编号：C604085

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

是低噪声、低功耗和低压差线性稳压器。凭借出色的噪声和PSRR规格，该器件非常适合用于使用RF接收器、成像传感器、音频处理器或任何需要极其干净电源的组件的产品。采用创新的自适应接地电流电路，可确保在轻载条件下实现超低接地电流。

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12V 1A 27V

型号：MC7812CD2TR4G 编号：C38744

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

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5V 100mA 45V

型号：NCV4264-2CST50T3G 编号：C513030

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

是一款低静态电流消耗的LDO稳压器。其输出级可提供100mA电流，输出电压精度为±2.0%。在100mA负载电流下，最大压差为500mV。它具有内部保护功能，可防止45V输入瞬变、输入电源反向、输出过流故障和芯片过热。无需外部组件即可启用这些功能。

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NCS20032DR2G

型号：NCS20032DR2G 编号：C904559

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

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MC74LVX8051DTR2G

型号：MC74LVX8051DTR2G 编号：C904147

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3043M 编号：C80489

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥2.33
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15V 1A 40V

型号：MC7915BTG 编号：C111284

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

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￥3.51
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FUSB303B 自主 USB Type-C 端口控制器，带 I2C 和 GPIO 控制

型号：FUSB303BTMX 编号：C895444

封装：X2-QFN-12(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB303B 设备是一款完全自主的 USB Type-C 控制器，适用于 15 W 或更低的应用。

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单路和双路，轨到轨输入输出，CMOS放大器

型号：FAN4174IS5X 编号：C457635

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN4174（单通道）和 FAN4274（双通道）是采用 CMOS 输入的电压反馈放大器，每个放大器仅消耗 200 μA 的电源电流，同时可提供 ±33 mA 的输出短路电流。这些放大器设计用于 5 V 电源供电。共模电压范围超出了负电源轨和正电源轨

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￥1.7108 ￥1.82

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独立式耐压:20V 电流:0.5uA

型号：1N5357BRLG 编号：C9086

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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￥3.71
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￥3.03
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￥2.38

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PNP 电流:10A 电压:60V

型号：MJD2955T4G 编号：C150055

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

专为通用放大器和低速开关应用而设计。

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￥3.72
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￥2.68
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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3062M 编号：C8919

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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￥3.8
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￥2.1

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1.2V~37V 1.5A 40V

型号：LM337BD2TR4G 编号：C154567

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

是一款可调的三端负电压调节器，能够在 -1.2V 至 -37V 的输出电压范围内提供超过 1.5A 的电流。这款电压调节器非常易于使用，只需两个外部电阻即可设置输出电压。此外，它采用了内部限流、热关断和安全区域补偿功能，基本上可防止损坏。适用于各种应用，包括本地、板载调节。该器件还可用于制作可编程输出调节器，或者通过在调节端和输出端之间连接一个固定电阻，可作为精密电流调节器使用。

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￥3.89
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￥1.98

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降压型 3A 4.5V~18V

型号：NCP3170ADR2G 编号：C145192

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3170是一款电流模式降压调节器，集成了高端PMOS开关和低端NMOS开关。它的输入电压范围为4.5 V至18 V，可提供高达3 A的负载电流。

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￥3.92
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￥2.83
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￥2.25
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耐压:40V 电流:50A

型号：FDD9510L-F085 编号：C605023

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型 RDS(on) = 11 mΩ，VGS = -10V，ID = -50A。典型 Qg(tot) = 28 nC，VGS = -10V，ID = -50A。UIS 能力。符合 AEC Q101 标准。这些器件无铅且符合 RoHS 标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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￥4.09
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双通道2A高速、低边栅极驱动器

型号：FAN3227TMX 编号：C606088

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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1+
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￥3.52
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￥3.32
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￥2.47
1000+
￥2.41

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ESD和浪涌保护装置，低钳位电压浪涌保护二极管阵列

型号：SZNSP4201MR6T1G 编号：C894711

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NSP4201MR6 瞬态电压抑制器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷电浪涌的影响。

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￥4.19
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￥2.41
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￥2.29

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1个N沟道耐压:60V 电流:1.7A

型号：FDN5632N-F085 编号：C891117

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：RDS(on) = 98 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A。 RDS(on) = 82 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.7 A。 ID at VGS = 9.2 nC at VGS = 10 V。低米勒电荷。 UIS能力。符合AEC Q101标准。应用：DC/DC转换器。电机驱动器

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1000+
￥2.31

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耐压:800V 电流:4A 反向恢复时间：100ns

型号：MUR480ERLG 编号：C146710

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

Ultrafast E 系列，具有高逆向能量功能，此类先进器件适用于开关电源、逆变器或用作续流二极管。

数据手册

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￥4.32
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可编程USB Type-C控制器带PD功能

型号：Fusb302mpx 编号：C442699

封装：WFQFN-14(2.5x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB302 是一个可编程的 USB Type-C 控制器，支持 PD 协议，可以配置为主机、设备或双角色端口。

数据手册

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￥3.27
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￥2.19

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74LVXC3245MTCX

型号：74LVXC3245MTCX 编号：C184976

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

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￥4.86
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￥3.9
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