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首页 > 热门关键词 > ON安森美模拟芯片
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描述
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操作
300mJ、400V，N沟道点火IGBT
型号：ISL9V3040D3ST-F085C 编号：C603080
封装：DPAK(TO-252)
品牌：onsemi(安森美)
特性：SCIS能量：在TJ = 25℃时为300 mJ。 逻辑电平栅极驱动。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：汽车点火线圈驱动电路。 大电流点火系统
数据手册

  • 1+

    ￥9.58

  • 10+

    ￥8.02

  • 30+

    ￥7.16

  • 100+

    ￥6.18

  • 500+

    ￥5.75

  • 1000+

    ￥5.55
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    单线CAN收发器
    型号：NCV7356D1R2G 编号：C235992
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCV7356是一款单线数据链路物理层设备，支持多种载波侦听多路访问/冲突解决 (CSMA/CR) 协议。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.28

    • 10+

      ￥8.62

    • 30+

      ￥7.58

    • 100+

      ￥6.52

    • 500+

      ￥6.04

    • 1000+

      ￥5.83
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    1个N沟道 耐压:300V 电流:59A
    型号：FDA59N30 编号：C140696
    封装：TO-3PN
    品牌：onsemi(安森美)
    UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
    数据手册

    • 1+

      ￥13.25

    • 10+

      ￥11.11

    • 30+

      ￥9.78

    • 90+

      ￥8.41

    • 450+

      ￥7.79

    • 900+

      ￥7.52
  • 有货
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    耐压:1.2kV 电流:75A 反向恢复时间：100ns
    型号：RHRG75120 编号：C11773
    封装：TO-247-2
    品牌：onsemi(安森美)
    RHRG75120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。
    数据手册

    • 1+

      ￥16.31

    • 10+

      ￥14.14

    • 30+

      ￥12.01

    • 90+

      ￥10.62

    • 450+

      ￥9.99

    • 900+

      ￥9.72
  • 有货
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    THB6128-TLM-H
    型号：THB6128-TLM-H 编号：C5337018
    封装：MFP30KR
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥27.66

    • 10+

      ￥23.95

    • 30+

      ￥21.74

    • 100+

      ￥18.92

    • 500+

      ￥17.89
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
    型号：2N7002ET1G 编号：C71533
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2052

    • 200+

      ￥0.1593

    • 600+

      ￥0.1338

    • 3000+

      ￥0.1106

    • 9000+

      ￥0.0973

    • 21000+

      ￥0.0901
  • 有货
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    独立式 耐压:3.6V 电流:5uA@1V
    型号：BZX84C3V6LT1G 编号：C94413
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2152

    • 200+

      ￥0.1688

    • 600+

      ￥0.143

    • 3000+

      ￥0.1276

    • 9000+

      ￥0.1142

    • 21000+

      ￥0.107
  • 有货
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    独立式 耐压:10V 电流:3uA@8V
    型号：MMBZ5240BLT1G 编号：C29115
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2166

    • 200+

      ￥0.1675

    • 600+

      ￥0.1402

    • 3000+

      ￥0.1238

    • 9000+

      ￥0.1096

    • 21000+

      ￥0.102
  • 有货
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    独立式 耐压:13V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZX84C13LT1G 编号：C235768
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2201

    • 200+

      ￥0.1718

    • 600+

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    • 3000+

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      ￥0.1149

    • 21000+

      ￥0.1074
  • 有货
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    独立式 耐压:20V 电流:0.01uA
    型号：MMSZ4707T1G 编号：C36797
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2267

    • 100+

      ￥0.1787

    • 300+

      ￥0.1547

    • 3000+

      ￥0.1367

    • 6000+

      ￥0.1223

    • 9000+

      ￥0.115
  • 有货
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    独立式 耐压:16V 电流:0.05uA@12.1V
    型号：MMSZ4703T1G 编号：C236087
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。 宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。 低反向电流 (IZT)：50 μA。 封装设计便于自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级3级 (>16 kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。 无铅器件，符合RoHS标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2295

    • 200+

      ￥0.1818

    • 600+

      ￥0.1553

    • 3000+

      ￥0.1395

    • 9000+

      ￥0.1257

    • 21000+

      ￥0.1183
  • 有货
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    独立式 耐压:3.3V 电流:25uA@1V
    型号：MMBZ5226BLT1G 编号：C94380
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2471

    • 200+

      ￥0.1957

    • 600+

      ￥0.1671

    • 3000+

      ￥0.1356

    • 9000+

      ￥0.1208

    • 21000+

      ￥0.1128
  • 有货
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    独立式 耐压:16V 电流:0.05uA@11.2V
    型号：MM3Z16VST1G 编号：C603317
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2738

    • 100+

      ￥0.2254

    • 300+

      ￥0.2012

    • 3000+

      ￥0.1831

    • 6000+

      ￥0.1686

    • 9000+

      ￥0.1613
  • 有货
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    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906WT1G 编号：C150043
    封装：SC-70(SOT-323)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适合低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2788

    • 200+

      ￥0.2248

    • 600+

      ￥0.1948

    • 3000+

      ￥0.1768

    • 9000+

      ￥0.1612
  • 有货
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    独立式 耐压:10V 电流:0.1uA
    型号：MM3Z10VT1G 编号：C39057
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2964

    • 100+

      ￥0.2343

    • 300+

      ￥0.2033

    • 3000+

      ￥0.1664

    • 6000+

      ￥0.1477

    • 9000+

      ￥0.1384
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:140V
    型号：MMBT5550LT1G 编号：C150072
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2974

    • 100+

      ￥0.2355

    • 300+

      ￥0.2046

    • 3000+

      ￥0.1779

    • 6000+

      ￥0.1593

    • 9000+

      ￥0.15
  • 有货
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    独立式 耐压:3.9V 电流:3uA
    型号：BZX84C3V9LT1G 编号：C94414
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3132

    • 100+

      ￥0.2571

    • 300+

      ￥0.229

    • 3000+

      ￥0.1875
  • 有货
    • 立即购买
    NPN+PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BPDW1T1G 编号：C232590
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-363/SC-88封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3213

    • 100+

      ￥0.2541

    • 300+

      ￥0.2205

    • 3000+

      ￥0.1953

    • 6000+

      ￥0.1751

    • 9000+

      ￥0.1651
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:8.2V 电流:0.7uA@5V
    型号：BZX84C8V2LT1G 编号：C82469
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3565

    • 200+

      ￥0.2791

    • 600+

      ￥0.2361

    • 3000+

      ￥0.1864

    • 9000+

      ￥0.164

    • 21000+

      ￥0.152
  • 有货
    • 立即购买
    具有三态输出的TinyLogic超高速缓冲器
    型号：NC7SZ125P5X 编号：C112084
    封装：SC-70-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SZ125 是一款带三态输出的单缓冲器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为接地以上高阻抗。输入耐压达 6V，而无论 VCC 运行电压任何。在 3 态条件下，输出耐压高于 VCC。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3656

    • 100+

      ￥0.285

    • 300+

      ￥0.2447

    • 3000+

      ￥0.2144

    • 6000+

      ￥0.1902

    • 9000+

      ￥0.1781
  • 有货
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    通用晶体管 NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BCX19LT1G 编号：C232541
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4083

    • 100+

      ￥0.3271

    • 300+

      ￥0.2865

    • 3000+

      ￥0.2414

    • 6000+

      ￥0.217

    • 9000+

      ￥0.2048
  • 有货
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    三态输出，TinyLogic超高速缓冲器
    型号：NC7SZ125M5X 编号：C7420
    封装：SOT-23-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SZ125是一款带三态输出的单缓冲器。该器件采用先进的CMOS技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的VCC工作电压范围内保持低静态功耗
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4386

    • 100+

      ￥0.3614

    • 300+

      ￥0.3229

    • 3000+

      ￥0.2518

    • 6000+

      ￥0.2286

    • 9000+

      ￥0.217
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    独立式 耐压:10V 电流:0.5uA@6V
    型号：MM3Z10VST1G 编号：C235983
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4441

    • 100+

      ￥0.3665

    • 300+

      ￥0.3277

    • 3000+

      ￥0.258

    • 6000+

      ￥0.2347

    • 9000+

      ￥0.223
  • 有货
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    耐压:13V 电流:50uA
    型号：MMSZ4700T1G 编号：C236099
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4597

    • 100+

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    3.3V 300mA 5.5V
    型号：NCP114BSN330T1G 编号：C327507
    封装：TSOP-5-1.5mm
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP114是一款300 mA的低压差稳压器（LDO），可为工程师提供极其稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为优化电池供电的便携式应用的性能，NCP114采用动态静态电流调整技术，在空载时可实现极低的静态电流（IQ）消耗。
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    • 10+

      ￥0.4849

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    电压:30V 电流:500mA
    型号：MBR0530T3G 编号：C236079
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    • 10+

      ￥0.5027

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      ￥0.3918

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    600V 1A
    型号：S1J 编号：C184326
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    1.0A通用整流器
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      ￥0.2952
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    独立式 耐压:18V 电流:5uA@13.7V
    型号：1N4746A 编号：C181831
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
    型号：BSS84 编号：C266796
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供强固可靠的性能和快速开关。BSS84 可以最小的损耗用于最高要求 0.13 A DC 的大多数应用，可提供高达 0.52 A 的电流。此产品尤其适合需要低电流高边开关的低压应用。
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    • 10+

      ￥0.5382

    • 100+

      ￥0.4422

    • 300+

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    • 9000+

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    独立式 耐压:6.8V 电流:5uA
    型号：1SMB5921BT3G 编号：C53356
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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      ￥0.7395

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    • 150+

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