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描述

价格(含税)

库存

操作

1.5A步降/步升/反相DC-DC转换器

型号：AZ34063UMTR-G1 编号：C99659

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

AZ34063U是一款单片开关调节器控制电路,适用于DC-DC转换器,支持步降、步升和反相应用。其内部包括温度补偿参考、电压比较器、受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关。输入电压范围为3.0V至36V,最大输出电流为1.5A,开关频率可达180kHz。

数据手册

5+
￥0.7545
50+
￥0.5997
150+
￥0.5223
500+
￥0.4642
2500+
￥0.3878
4000+
￥0.3646

有货

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输入15V 输出3.3V 1A

型号：AZ1117D-3.3TRE1 编号：C362112

封装：TO-252-2

品牌：DIODES(美台)

是一系列低压差三端稳压器，在1A输出电流下压差为1.15V。提供限流和热关断功能。其电路包括一个微调的带隙基准，以确保1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和可调版本的输出电压精度在1%以内，1.2V版本的输出电压精度在2%以内。限流经过微调，以确保指定的输出电流和受控的短路电流。片上热关断功能可防止任何过载和环境温度组合导致的结温过高。有一个可调版本，仅需2个外部电阻即可提供1.25V至12V的输出电压。采用行业标准SOT223、SOT89、TO220-3、TO252-23、TO252-24、TO252-25和TO263电源封装。

数据手册

5+
￥0.8442
50+
￥0.6726
150+
￥0.5868
500+
￥0.5225
2500+
￥0.4082
5000+
￥0.3825

有货

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单向TVS 3.3V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：D1213A-02SOL-7 编号：C460585

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。 2通道ESD保护。低通道输入电容。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8955
50+
￥0.7142
150+
￥0.6235
500+
￥0.5555
3000+
￥0.5011
6000+
￥0.4739

有货

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40V、1.5A降压型LED驱动器

型号：AL8860MP-13 编号：C500782

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

是一款迟滞模式的DC-DC降压转换器，用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联LED。该器件可在4.5V至40V的输入电源下工作，TSOT25封装可提供高达1A的外部可调输出电流，MSOP-8EP封装可提供高达1.5A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件，该转换器可提供高达40瓦的输出功率。集成了功率开关和高端输出电流检测电路，使用外部电阻设置标称平均输出电流

数据手册

5+
￥1.3872
50+
￥1.0899
150+
￥0.9625
500+
￥0.8035
2500+
￥0.6914
5000+
￥0.649

有货

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60V 8A

型号：SBR8U60P5-13 编号：C154726

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：超低正向压降。专利超势垒整流器技术。软、快速开关能力。 150℃工作结温。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥2.0826
50+
￥1.6491
150+
￥1.4634
500+
￥1.2316
2500+
￥1.1284
5000+
￥1.0664

有货

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60V N沟道自保护增强型智能场效应晶体管（IntelliFET MOSFET）

型号：ZXMS6004FFTA 编号：C95063

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

DIODES™ ZXMS6004FF是一款具有逻辑电平输入的自保护低端IntelliFET® MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护逻辑电平功能。ZXMS6004FF非常适合作为由3驱动的通用开关

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.17
30+
￥1.9
100+
￥1.57
500+
￥1.43
1000+
￥1.34

有货

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5A同步降压转换器，宽输入电压范围3.8V至40V

型号：AP64500SP-13 编号：C2070920

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64500是一款5A同步降压转换器,具有3.8V至40V的宽输入电压范围。该器件集成了45mΩ高侧和20mΩ低侧功率MOSFET,提供高效能的降压DC-DC转换。采用峰值电流模式控制,减少外部组件数量,优化EMI性能。

数据手册

1+
￥9.52
10+
￥7.8
30+
￥6.85
100+
￥5.78
500+
￥5.3
1000+
￥5.09

有货

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：6A@8/20us

型号：D5V0L1B2WS-7 编号：C182013

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电 ±30 kV，接触放电 ±30 kV。 1通道ESD保护。低通道输入电容。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

10+
￥0.17
100+
￥0.148
300+
￥0.137
3000+
￥0.1288
6000+
￥0.1222
9000+
￥0.1189

有货

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NPN 电流:500mA 电压:80V

型号：MMBTA06-7-F 编号：C151597

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补PNP型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

20+
￥0.2089
200+
￥0.1684
600+
￥0.1459
3000+
￥0.1196
9000+
￥0.1079
21000+
￥0.1016

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1V

型号：BZT52C3V3-7-F 编号：C151564

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2205
200+
￥0.1781
600+
￥0.1546
3000+
￥0.1251
9000+
￥0.1129
21000+
￥0.1063

有货

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P沟道耐压:30V 电流:3.8A

型号：DMG2307L-7 编号：C102620

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道， -30V -3.8A 90mΩ

数据手册

10+
￥0.2647
100+
￥0.2327
300+
￥0.2167
3000+
￥0.2047
6000+
￥0.1951
9000+
￥0.1903

有货

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74LVC1G04SE-7

型号：74LVC1G04SE-7 编号：C264081

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G04是一款带标准推挽输出的单反相器门电路。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。

数据手册

10+
￥0.3147
100+
￥0.2453
300+
￥0.2106
3000+
￥0.1845
6000+
￥0.1637
9000+
￥0.1533

有货

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NPN 电流:1A 电压:60V

型号：FMMT491TA 编号：C141788

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。IC(continuous) = 1A。IC(peak pulse) = 2A。RCE(sat) = 195mΩ，低等效导通电阻。功率耗散：500mW。hFE特性高达2A，高电流增益保持。互补PNP类型：FMMT591。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性

数据手册

10+
￥0.3288
100+
￥0.2621
300+
￥0.2287
3000+
￥0.2037
6000+
￥0.1837
9000+
￥0.1737

有货

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低电压可调精密并联稳压器

型号：AZ431LANTR-G1 编号：C460576

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AZ431L系列集成电路（IC）是低压三端可调稳压器，在整个工作范围内能保证热稳定性。这些IC具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器、主板及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。通过两个外部电阻，输出电压可设置在1.24V至18V之间的任意值

数据手册

10+
￥0.4354
100+
￥0.3396
300+
￥0.2917
3000+
￥0.2557
6000+
￥0.227
9000+
￥0.2126

有货

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耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：25ns

型号：ES1D-13-F 编号：C110541

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5905
50+
￥0.4811
150+
￥0.4263
500+
￥0.3853
2500+
￥0.3054
5000+
￥0.289

有货

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4.2V至18V输入，3A低静态电流同步降压转换器

型号：AP62300TWU-7 编号：C1883519

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP62300/AP62301/AP62300T 是一款 3A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 4.2V 至 18V。该器件完全集成了一个 75mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 45mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。AP62300/AP62301/AP62300T 采用恒定导通时间（COT）控制，以实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，通过减少外部元件数量，使其易于使用

数据手册

5+
￥0.7224
50+
￥0.5689
150+
￥0.4921
500+
￥0.4345
3000+
￥0.3733
6000+
￥0.3503

有货

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电压:40V 电流:3A

型号：B340LA-13-F 编号：C17101

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：极低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达 70A 峰值。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8974
50+
￥0.7295
150+
￥0.6455
500+
￥0.5825
2500+
￥0.4802
5000+
￥0.455

有货

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NPN 电流:1A 电压:125V

型号：FMMT624TA 编号：C47297

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 125V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 3A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 160mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 3A，高电流增益保持。应用：DC-DC / DC-AC 模块。稳压器

数据手册

5+
￥1.0458
50+
￥0.8423
150+
￥0.7551
500+
￥0.6464
3000+
￥0.5377
6000+
￥0.5086

有货

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宽输入电压范围、200mA超低静态电流稳压器

型号：AP2205-W5-7 编号：C3001658

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款采用高压EPNP工艺制造的正电压调节器IC。具有宽输入电压范围、高精度、高纹波抑制、低压差电压、低噪声、限流和超低静态电流等特点，适用于各种USB和便携式设备。由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路、芯片使能电路、用于延长电池寿命的低功耗关断模式、过流保护、过温保护以及反向电流保护组成。有1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、5.0V固定电压版本和可调电压版本。采用节省空间的SOT25和SOT89封装。

数据手册

5+
￥1.0607
50+
￥0.8353
150+
￥0.7387
500+
￥0.6182
3000+
￥0.5377
6000+
￥0.5054

有货

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CMOS轨到轨输出运算放大器

型号：TLV271CW5-7 编号：C150498

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

TLV27x 为 TLC27x 系列运算放大器提供了一种高性能替代方案。这些器件在扩展工业温度范围内将最低工作电源电压降至 2.7V，同时增加了轨到轨输出摆幅特性。这使其成为在需要轨到轨输出摆幅的应用中替代 TLC27x 系列的理想选择

数据手册

5+
￥1.0988
50+
￥0.9498
150+
￥0.8859
500+
￥0.8063
3000+
￥0.7708
6000+
￥0.7495

有货

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电压:100V 电流:2A

型号：DFLS2100-7 编号：C154727

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

该器件是采用PowerDI123封装的单整流器。这些器件具有低正向压降（VF）和出色的高温稳定性，非常适合用于一般整流应用，如：升压二极管、反向保护二极管、阻塞二极管。

数据手册

5+
￥1.2003
50+
￥0.9463
150+
￥0.8375
500+
￥0.7016
3000+
￥0.6411
6000+
￥0.6048

有货

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NPN 电流:3A 电压:60V

型号：FZT651TA 编号：C24098

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.6583
50+
￥1.3103
150+
￥1.1611
1000+
￥0.975
2000+
￥0.8922
5000+
￥0.8425

有货

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4.5V至40V输入，600mA同步降压转换器，增强EMI抑制

型号：AP64060WU-7 编号：C6500862

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP64060是一款600mA同步降压转换器，输入电压范围宽，为4.5V至40V。该器件完全集成了一个600mΩ的高端功率MOSFET和一个300mΩ的低端功率MOSFET，可实现高效的降压式DC - DC转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络，AP64060最大限度地减少了外部元件数量，使用起来十分便捷

5+
￥1.978
50+
￥1.5748
150+
￥1.402
500+
￥1.1864
3000+
￥1.0904
6000+
￥1.0328

有货

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可调精密分流稳压器

型号：AZ431AZ-ATRE1 编号：C177006

封装：TO-92-2.54mm

品牌：DIODES(美台)

AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器，在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VREF（2.5V）至相应最大阴极电压（36V）之间的任意值

数据手册

10+
￥0.1692
100+
￥0.1524
300+
￥0.144
2000+
￥0.1193
4000+
￥0.1142
10000+
￥0.1117

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:1uA

型号：BZT52C5V1S-7-F 编号：C151348

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

20+
￥0.1773
200+
￥0.1393
600+
￥0.1182
3000+
￥0.1055
9000+
￥0.0946

有货

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独立式耐压:12V 电流:0.1uA@1.0V

型号：BZT52C12-7-F 编号：C124196

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2691
200+
￥0.221
600+
￥0.1942
3000+
￥0.152
9000+
￥0.1381

有货

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单路 2 输入正与门

型号：74LVC1G08SE-7 编号：C460522

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G08 是一款单路 2 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。

数据手册

10+
￥0.2889
100+
￥0.2275
300+
￥0.1968
3000+
￥0.1738
6000+
￥0.1554
9000+
￥0.1462

有货

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100V 1A

型号：S1B-13-F 编号：C156295

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构，高可靠性。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.293
100+
￥0.23
300+
￥0.1985
1000+
￥0.1749
5000+
￥0.1526
10000+
￥0.1432

有货

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TVS 5V截止峰值浪涌电流：6A@8/20us

型号：D5V0L1B2T-7 编号：C460441

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电±30kV，接触放电±30kV。 1通道ESD保护。低通道输入电容。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。便携式电子设备

数据手册

10+
￥0.4255
100+
￥0.3391
300+
￥0.2959
3000+
￥0.2634
6000+
￥0.2375
9000+
￥0.2245

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:130mA

型号：BSS8402DW-7-F 编号：C156386

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4583
100+
￥0.3719
300+
￥0.3287
3000+
￥0.2963
6000+
￥0.2704
9000+
￥0.2574

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

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一站式采购元器件

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