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价格(含税)

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AL5809 恒流线性LED驱动器

型号：AL5809-50P1-7 编号：C531166

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

AL5809 是一款恒流线性LED驱动器，它提供了一种具有成本效益的两引脚解决方案。它具有20 ppm/°C的优异温度稳定性和在宽电压和温度范围内的±5%电流精度。AL5809 提供多种固定输出电流版本，无需外部电流设定电阻，为LED的线性驱动提供了一个简单的解决方案。它支持高边和低边驱动LED链。当IN和OUT之间的电压从2.5V上升到60V时，AL5809会开启，从而能够驱动长LED链。浮动地设计和输入与输出引脚之间60V的耐压等级可以承受离线应用中产生的高尖峰电压。AL5809 可以选择热性能优良的PowerDI123封装或SOD-123封装。

数据手册

5+
￥1.5709
50+
￥1.2387
150+
￥1.0963
500+
￥0.9186

有货

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中功率晶体管 NPN 电流:6A 电压:12V

型号：ZXTN25012EFHTA 编号：C780920

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

5+
￥1.5895
50+
￥1.4173
150+
￥1.3435
500+
￥1.2514

有货

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1.2V 2A 5.5V

型号：AP2132BMP-1.2TRG1 编号：C338874

封装：ESOP-8

品牌：DIODES(美台)

AP2132B系列是采用CMOS工艺制造的正电压调节器IC。这些IC由一个电压基准源、一个误差放大器、一个功率晶体管、一个用于设置输出电压的电阻网络、一个用于电流保护的限流电路和一个芯片使能电路组成。AP2132B系列具有大电流、低压差、高输出电压精度、低输入电压等特点

数据手册

5+
￥1.6155
50+
￥1.4367
150+
￥1.3601
500+
￥1.2645
2500+
￥1.222

有货

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输出350mA

型号：BCR421UFD-7 编号：C168950

封装：UDFN-6-EP(2x2)

品牌：DIODES(美台)

集成晶体管、二极管和电阻，用作线性LED驱动的恒流调节器（CCR）。预设标称值为10mA，可通过外部电阻调节至350mA。专为驱动串联LED设计，温度升高时会降低电流以实现自我保护。作为串联线性CCR用于LED串电流控制，只要设备的最大电源电压 < 40V，可用于多种应用。BCR421U具有低侧控制，其使能（EN）引脚可由微控制器进行脉宽调制（PWM），频率高达25kHz，用于LED调光。无需额外的外部组件，完全集成在2×2×0.6mm封装（U-DFN2020-6）中，可最小化PCB面积、板外高度和组件数量。

数据手册

5+
￥1.638153 ￥1.6547
50+
￥1.170439 ￥1.3151
150+
￥0.923905 ￥1.1695
500+
￥0.780441 ￥0.9879
3000+
￥0.71653 ￥0.907
6000+
￥0.678136 ￥0.8584

有货

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电压:200V 电流:1A

型号：DFLS1200Q-7 编号：C531155

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥1.7029
50+
￥1.3611
150+
￥1.2145
500+
￥1.0317

有货

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耐压:400V 电流:3A 反向恢复时间：150ns

型号：RS3GB-13-F 编号：C155262

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，实现高效率。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动组装。塑料材料：UL阻燃等级为94V-0

数据手册

5+
￥1.7454
50+
￥1.4174
150+
￥1.2769
500+
￥1.1015
3000+
￥1.0234

有货

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型号：ZABG6003JA16TC 编号：C211381

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

该系列设备旨在以最少的外部组件满足卫星接收器低噪声模块 (LNB) 中常用的 GaAs 和 HEMT FET 的偏置要求，同时在最小电压电源下运行并使用最小电流。该设备有六个 FET 偏置级。为了优化系统的噪声和增益，六个级中的两个级的漏极电流可以在 4mA 至 15mA 的范围内进行编程。通过连接到 RCAL1 引脚的电阻器来实现对 FET D1 和 D4 的漏极电流的编程。其余四个 FET D2、D3、D5 和 D6 的漏极电流在内部设置为 10mA。放大器级的漏极电压设置为 2.0V，并限制电流至其相关 RCAL 电阻器设置的近似电流

数据手册

1+
￥1.8012 ￥2.28
10+
￥1.3869 ￥2.01
30+
￥1.1151 ￥1.89
100+
￥1.0325 ￥1.75
500+
￥0.9912 ￥1.68
1000+
￥0.9676 ￥1.64

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:8.58A

型号：DMN2016UTS-13 编号：C260874

封装：TSSOP-8

品牌：DIODES(美台)

特性：低导通电阻。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅设计/符合RoHS标准。 ESD防护高达2kV。 “绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.8548
50+
￥1.5268
150+
￥1.3862
500+
￥1.2109

有货

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单向TVS 160V截止峰值浪涌电流：5.5A

型号：SMCJ160A-13-F 编号：C135140

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=178V VC=259V IPP=5.8A 单向

数据手册

5+
￥1.873
50+
￥1.6677
150+
￥1.5797
500+
￥1.4699

有货

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单摆率控制负载开关

型号：AP2281-3WG-7 编号：C128634

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

单一的转换速率控制的负荷开关

数据手册

5+
￥1.8957
50+
￥1.4894
150+
￥1.3152
500+
￥1.0979

有货

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PNP 电流:1A 电压:80V

型号：BSR33QTA 编号：C526480

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -80V。 IC = -1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -150mA。互补型 BSR43。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。 solenoid、继电器和执行器驱动器

数据手册

5+
￥1.9195
50+
￥1.5513
150+
￥1.3935
1000+
￥1.1966

有货

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50V 5A

型号：S5AC-13-F 编号：C155383

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥2.0293
50+
￥1.6155
150+
￥1.4381
500+
￥1.2169

有货

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单向TVS 14V截止峰值浪涌电流：64.7A

型号：SMCJ14A-13-F 编号：C135134

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=15.6V VC=23.2 IPP=64.7A 单向

数据手册

1+
￥2.14
10+
￥1.91
30+
￥1.81
100+
￥1.69
500+
￥1.63
1000+
￥1.6

有货

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并联 100ppm/℃

型号：LM4040C30FTA 编号：C460608

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

LM4040是一系列带隙电路，旨在实现2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5.0V的精密微功耗电压基准。这些器件有初始容差为0.2%的B级、0.5%的C级和1%的D级可供选择。它们采用小外形SOT23表面贴装封装，非常适合对空间要求苛刻的应用。在60μA至15mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，可保持出色的稳定性。此器件是LM4040电压基准的引脚兼容替代方案。

数据手册

5+
￥2.1433
50+
￥1.7176
150+
￥1.5352
500+
￥1.066

有货

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双N沟道增强型MOSFET

型号：DMN2040LTS-13 编号：C780828

封装：TSSOP-8L

品牌：DIODES(美台)

特性：双N沟道MOSFET。低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

5+
￥2.1713
50+
￥1.7176
150+
￥1.5231
500+
￥1.2805

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:3.3A

型号：DMN6070SSD-13 编号：C461040

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.1899
50+
￥1.7662
150+
￥1.5847
500+
￥1.3581
2500+
￥1.2572

有货

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耐压:60V 电流:4.5A

型号：DMP6110SSS-13 编号：C445549

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.2219
50+
￥1.7799
150+
￥1.5905
500+
￥1.3541

有货

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停产并联 25uA 100ppm/℃

型号：ZR40402F25TA 编号：C154908

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZR4040 - 2.5采用带隙电路设计，实现了2.5伏的精密微功耗电压基准。该器件有小外形表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用，也有满足通孔安装需求的封装。ZR4040 - 2.5的设计无需外部电容即可提供稳定的电压，并且在容性负载下也能保持稳定

数据手册

1+
￥2.39
10+
￥1.9412 ￥2.11
30+
￥1.6236 ￥1.98
100+
￥1.5006 ￥1.83
500+
￥1.4432 ￥1.76
1000+
￥1.4104 ￥1.72

有货

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单向TVS 18V截止峰值浪涌电流：51.4A

型号：SMCJ18A-13-F 编号：C135148

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=20V VC=29.2V IPP=51.4A 单向

数据手册

5+
￥2.4855
50+
￥2.0015
150+
￥1.7941
500+
￥1.5353

有货

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并联 45uA 100ppm/℃

型号：LM4041CFTA 编号：C76413

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

LM4041是一款带隙电路，旨在实现1.225V的精密微功耗电压基准。该器件提供小外形SOT23和SC70 - 5表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用。这两种封装均提供适用于精密应用的0.5% C级和1% D级产品。在60μA至12mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，因此能保持出色的稳定性。该器件在可调输出和1.225V输出两种变体中，均提供与LM4041电压基准引脚兼容的替代方案。

数据手册

5+
￥2.54
50+
￥1.97
150+
￥1.73
500+
￥1.42

有货

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NPN 电流:1A 电压:45V

型号：ZTX450 编号：C155240

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：60V VCEO。 1A连续电流。 Ptot = 1W

数据手册

5+
￥2.5844
50+
￥2.0887
150+
￥1.8762
500+
￥1.6112

有货

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NPN 电流:5A 电压:15V

型号：ZXTN25015DFHTA 编号：C151384

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

采用先进的工艺能力和封装设计，以最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

1+
￥2.72
10+
￥2.42
30+
￥2.28
100+
￥2.12
500+
￥2.05
1000+
￥2

有货

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具备耳机输出和64级直流音量控制功能的3W D类音频放大器

型号：PAM8007NHR 编号：C493501

封装：SSOP-24

品牌：DIODES(美台)

PAM8007 是一款 3W 的 D 类音频放大器，带有耳机放大器。先进的 64 级直流音量控制功能可最大限度减少外部元件数量，并支持扬声器音量控制和耳机音量控制。它具有低总谐波失真加噪声（THD+N），能够实现高品质声音再现

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.196 ￥2.44
30+
￥1.824 ￥2.28
100+
￥1.696 ￥2.12
500+
￥1.624 ￥2.03
1000+
￥1.584 ￥1.98

有货

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5V 300mA 45V

型号：AP7375Q-50SP-13 编号：C5185306

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

由宽输入电压范围（45V）、低静态电流（2.1μA）的低压差线性稳压器（LDO）组成，能够提供300mA负载电流。提供一个EN引脚来启用和禁用LDO输出，EN引脚可接受45V的输入电压。该器件对线路电压瞬变和负载电流瞬变提供非常快速的响应，并确保在启动和短路恢复期间不会出现过冲电压。还具有集成的短路和热关断保护功能。有1.8V、3.0V、3.3V和5.0V固定输出电压版本，采用SOT89、SO-8EP、SOT25和U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXC)封装。

数据手册

1+
￥2.77
10+
￥2.14
30+
￥1.88
100+
￥1.54
500+
￥1.39
1000+
￥1.3

有货

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高带宽USB 2.0 1:2多路复用器/解复用器开关

型号：PI3USB221EZWEX 编号：C2652472

封装：UDFN-10-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

PI3USB221E 是一个高带宽开关，专为手机和消费应用中的高速USB 2.0信号切换而设计。

数据手册

1+
￥2.7927 ￥3.21
10+
￥2.2022 ￥2.86
30+
￥1.8023 ￥2.69
100+
￥1.6884 ￥2.52
500+
￥1.6214 ￥2.42
1000+
￥1.5879 ￥2.37

有货

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NPN 电流:6A 电压:100V

型号：DXT2011P5-13 编号：C155259

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V，IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。比 SO1223 小 43%，比 TO252 小 60%。最大高度仅 1.1mm。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。使用射极跟随器的电压调节器

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.57
30+
￥2.46
100+
￥2.35
500+
￥2.28
1000+
￥2.25

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:320mA

型号：ZVN2110A 编号：C2942358

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：100V VDS。 RDS(on) = 4Ω

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.58
30+
￥2.46
100+
￥2.35
500+
￥2.28
1000+
￥2.24

有货

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低饱和晶体管 PNP 电流:3A 电压:40V

型号：ZXTP07040DFFTA 编号：C445507

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这款低压PNP晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

数据手册

1+
￥2.9
10+
￥2.35
30+
￥2.11
100+
￥1.81
500+
￥1.67

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:30A

型号：DMT4011LFG-7 编号：C264099

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.07
10+
￥2.48
30+
￥2.22
100+
￥1.91
500+
￥1.76

有货

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16MHz ±15ppm 8pF

型号：FL1600142Q 编号：C6251712

封装：SMD3225-4P

品牌：DIODES(美台)

1+
￥3.15
10+
￥2.51
30+
￥2.24
100+
￥1.89

有货

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