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首页 > 热门关键词 > DIODES模拟芯片
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60V N沟道自保护增强型智能MOSFET
型号：ZXMS6005DN8-13 编号：C2150232
封装：SOIC-8
品牌：DIODES(美台)
ZXMS6005DN8是一款双路自保护低侧智能场效应晶体管（IntelliFET）MOSFET，具有逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。ZXMS6005DN8非常适合作为由3驱动的通用开关

  • 1+

    ￥4.96

  • 10+

    ￥4.44

  • 30+

    ￥4.15

  • 100+

    ￥3.82

  • 500+

    ￥3.68

  • 1000+

    ￥3.61
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    60V 20A
    型号：SBRT20U60SP5-7 编号：C156299
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    采用紧凑高效散热的 POWERDI5 封装，提供超低正向压降 (VF)，并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.02

    • 10+

      ￥4.02

    • 30+

      ￥3.52

    • 100+

      ￥3.02

    • 500+

      ￥2.72
  • 有货
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    18Vpp输出压电发声器驱动器
    型号：PAM8904QJER 编号：C531149
    封装：UQFN3030-16
    品牌：DIODES(美台)
    是一款压电发声器驱动器，可从3V电源驱动陶瓷/压电发声器或扬声器，输出18Vₚ₋ₚ。可编程电荷泵升压转换器使输出可在1倍、2倍和3倍模式下工作。升压转换器以1.0MHz的固定频率工作，使用最少的外部组件提供9V输出。独特的驱动技术确保最小输入电流、低EMI和高效率。为确保最大效率和电池寿命，具备自动待机功能，在无有效输入信号时使设备进入睡眠模式，也可强制关闭，仅在需要时启用IC。为保护IC和系统，具备过温关断、过流和短路保护功能。采用16引脚U-QFN3030-16（B型）封装，符合AEC-Q100 2级标准，支持PPAP。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.47

    • 10+

      ￥4.26

    • 30+

      ￥3.65

    • 100+

      ￥3.05

    • 500+

      ￥2.69

    • 1000+

      ￥2.5
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V, PCI Express? 3.0, 1-Lane, 2沟道, 8Gbps, 2:1 Mux/DeMux Switch w/ Single Enable
    型号：PI3PCIE3212ZBEX 编号：C154729
    封装：DHVQFN-20-EP(2.5x4.5)
    品牌：DIODES(美台)
    是PCIe Gen3.0，8Gbps，4至2差分、双向通道复用器/解复用器开关。由于其低的位间偏斜、高的通道间噪声隔离和带宽，该产品非常适合8.0Gbps的PCI Express 3.0信号切换。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.41

    • 10+

      ￥5.53

    • 30+

      ￥5.05

    • 100+

      ￥4.51

    • 500+

      ￥4.26

    • 1000+

      ￥4.15
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:304A
    型号：DMT40M9LPS-13 编号：C268029
    封装：PowerDI5060-8
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,40V,304A,0.9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.52

    • 10+

      ￥5.24

    • 30+

      ￥4.43

    • 100+

      ￥3.61

    • 500+

      ￥3.24

    • 1000+

      ￥3.08
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道+2个P沟道 耐压:60V 电流:1.39A 1.28A
    型号：ZXMHC6A07N8TC 编号：C460274
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    新一代互补MOSFET H桥，具有低栅极驱动下可实现低导通电阻的特点。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.6

    • 10+

      ￥5.52

    • 30+

      ￥4.98

    • 100+

      ￥4.44

    • 500+

      ￥4.12

    • 1000+

      ￥3.95
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:250A
    型号：DMTH10H1M7STLW-13 编号：C5245443
    封装：PowerDI1012-8
    品牌：DIODES(美台)
    新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电池电源管理和负载开关。

    • 1+

      ￥13.7

    • 10+

      ￥12.71

    • 30+

      ￥12.1

    • 100+

      ￥11.47

    • 500+

      ￥11.18
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4401-7-F 编号：C151826
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 适用于中功率放大和开关。 互补PNP型。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.201

    • 200+

      ￥0.1562

    • 600+

      ￥0.1313
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMST3904-7-F 编号：C124192
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。 外延平面芯片结构。 超小型表面贴装封装。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。 绿色器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2236

    • 200+

      ￥0.1832

    • 600+

      ￥0.1608

    • 3000+

      ￥0.1473
  • 有货
    • 立即购买
    2.5V~36V 并联 20ppm/℃
    型号：AZ431BN-ATRE1 编号：C92572
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器，在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VREF（2.5V）至相应最大阴极电压（36V）之间的任意值
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2252

    • 200+

      ￥0.1751

    • 600+

      ￥0.1472

    • 3000+

      ￥0.1153

    • 9000+

      ￥0.1008
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：D15V0X1B2LP-7B 编号：C1977513
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代TVS旨在保护敏感电子设备免受ESD造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。
    数据手册

    • 单价：

      ￥0.231 / 个
  • 有货
    • 立即购买
    75V 150mA
    型号：BAV99W-7-F 编号：C93035
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 小表面贴装封装。 适用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    数据手册

    • 20+

      ￥0.249

    • 200+

      ￥0.1978

    • 600+

      ￥0.1693
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V
    型号：UDZ9V1B-7 编号：C445007
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型表面贴装封装。 非常适合自动化组装过程。 非常尖锐的击穿特性。 齐纳击穿电压公差非常小。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2625

    • 100+

      ￥0.2132

    • 300+

      ￥0.1886

    • 3000+

      ￥0.1702
  • 有货
    • 立即购买
    双缓冲器
    型号：74LVC2G34FW5-7 编号：C842606
    封装：X1-DFN1010-6
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC2G34 是一款具有标准推挽输出的双缓冲门。该器件设计用于 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围
    数据手册

    • 5+

      ￥0.26904 ￥0.456

    • 50+

      ￥0.197764 ￥0.4036

    • 150+

      ￥0.147147 ￥0.3773

    • 500+

      ￥0.139503 ￥0.3577

    • 2500+

      ￥0.133341 ￥0.3419

    • 5000+

      ￥0.130299 ￥0.3341
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@1.0V
    型号：BZT52C12-7-F 编号：C124196
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2691

    • 200+

      ￥0.221

    • 600+

      ￥0.1942
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@10.5V
    型号：BZX84C15-7-F 编号：C500789
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2696

    • 200+

      ￥0.2209

    • 600+

      ￥0.1939
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BT-7-F 编号：C156332
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 45V。 IC = 100mA 集电极电流。 外延平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤和无锑“绿色”器件。 有符合汽车标准的部件可在单独的数据手册中获取
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2738

    • 100+

      ￥0.222

    • 300+

      ￥0.1961

    • 3000+

      ￥0.1636
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8.0V
    型号：BZT52C12T-7 编号：C507911
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 10+

      ￥0.275

    • 100+

      ￥0.2208

    • 300+

      ￥0.1938
  • 有货
    • 立即购买
    DDTA（R1 = R2）EE
    型号：DDTA144EE-7-F 编号：C526528
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型。 内置偏置电阻，R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 封装：SOT523。 封装材料：模塑塑料，“绿色”模塑料。 UL阻燃等级：94V-0。 湿度敏感度：根据J-STD-020为1级。 引脚：表面处理为哑光镀锡引线，可根据MIL-STD-202方法208焊接。 重量：约0.002克
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2929

    • 100+

      ￥0.2184 ￥0.24

    • 300+

      ￥0.173016 ￥0.2136

    • 3000+

      ￥0.156897 ￥0.1937

    • 6000+

      ￥0.144099 ￥0.1779

    • 9000+

      ￥0.137619 ￥0.1699
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@2.0V
    型号：BZT52C5V1T-7 编号：C151562
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2951

    • 200+

      ￥0.2423

    • 600+

      ￥0.2129
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:8.2V 电流:0.1uA
    型号：DDZ9694T-7 编号：C151367
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 非常尖锐的击穿特性。 非常适合自动化装配工艺。 极低的漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.305

    • 100+

      ￥0.2459

    • 300+

      ￥0.2163

    • 3000+

      ￥0.1941
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:10V 电流:0.2uA
    型号：BZT585B10T-7 编号：C460798
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：击穿电压公差：±2.0%。 小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 10+

      ￥0.331632 ￥0.3384

    • 100+

      ￥0.238304 ￥0.2708

    • 300+

      ￥0.18486 ￥0.237

    • 3000+

      ￥0.165126 ￥0.2117

    • 6000+

      ￥0.149292 ￥0.1914

    • 9000+

      ￥0.141336 ￥0.1812
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:50nA@14V
    型号：BZT585B20T-7 编号：C5197490
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：击穿电压公差：±2.0%。 小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3334

    • 100+

      ￥0.2668

    • 300+

      ￥0.2335

    • 3000+

      ￥0.2085
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 12V截止 峰值脉冲电流：20.1A@10/1000us
    型号：P4SMAJ12ADF-13 编号：C1976539
    封装：D-FLAT
    品牌：DIODES(美台)
    特性：采用低轮廓 D-FLAT 封装，以优化电路板空间。 玻璃钝化芯片结构。 出色的钳位能力。 IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，环保型器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.333723 ￥0.7761

    • 50+

      ￥0.225885 ￥0.6845

    • 150+

      ￥0.148396 ￥0.6452

    • 500+

      ￥0.137126 ￥0.5962

    • 2500+

      ￥0.132112 ￥0.5744

    • 5000+

      ￥0.129099 ￥0.5613
  • 有货
    • 立即购买
    电压:40V 电流:0.2A
    型号：SD103AW-7-F 编号：C124207
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    这些是采用SOD123封装的0.2A、20V/30V/40V肖特基整流器。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3354

    • 100+

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    单路 2 输入正或门
    型号：74AHC1G32SE-7 编号：C460492
    封装：SOT-353
    品牌：DIODES(美台)
    74AHC1G32是一款单路2输入正或门，具有标准推挽输出。该器件设计用于2.0V至5V的电源电压范围。
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    耐压:30V 电流:0.1uA@21V
    型号：BZX84C30Q-13-F 编号：C5566673
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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    独立式 耐压:18V 电流:0.1uA@12.6V
    型号：BZX84C18Q-7-F 编号：C460816
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54WT-7 编号：C134418
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关。 超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和静电放电保护。 设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
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    NPN型预偏置小信号表面贴装晶体管
    型号：DDTC114WE-7-F 编号：C5245843
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（DDTA）。 内置偏置电阻，R1≠R2。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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      ￥0.4027

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