DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMN63D8LV-7 编号：C397982

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.5204
100+
￥0.4207
300+
￥0.3709
3000+
￥0.3335

有货

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型号：MMST5551Q-7-F 编号：C5249115

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补NPN类型。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备PPAP能力

10+
￥0.5332
100+
￥0.4411
300+
￥0.3951
1000+
￥0.3605
5000+
￥0.3329

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型号：DMN60H080DS-13 编号：C6934856

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这新一代产品采用先进的平面技术MOSFET，具备出色的高电压性能和快速开关特性，非常适合小信号和电平转换应用。

5+
￥0.5355
50+
￥0.472
150+
￥0.4402
500+
￥0.4164
2500+
￥0.3973

有货

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型号：AS331KTR-G1 编号：C513286

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

AS331由一个单精密电压比较器组成，其典型输入失调电压为1.0mV，且具有高电压增益。它专门设计用于在宽电压范围内由单电源供电运行。

数据手册

5+
￥0.5446
50+
￥0.4245
150+
￥0.3644
500+
￥0.3194

有货

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型号：BC847BVN-7 编号：C459863

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：外延芯片结构。一个封装中有两个内部隔离的NPN/PNP晶体管。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5584
50+
￥0.4491
150+
￥0.3945
500+
￥0.3535

有货

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型号：74AUP1G86FW4-7 编号：C362115

封装：X2-DFN1010-6

品牌：DIODES(美台)

先进超低功耗（AUP）CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池续航而设计。74AUP1G86是一款单路、两输入、正异或门，具有标准推挽输出，设计工作电源范围为0.8V至3.6V

数据手册

5+
￥0.567284 ￥0.7666
50+
￥0.392064 ￥0.6126
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￥0.289224 ￥0.5356
500+
￥0.258066 ￥0.4779
2500+
￥0.233118 ￥0.4317
5000+
￥0.220644 ￥0.4086

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型号：DMN62D1LFD-7 编号：C461042

封装：X1-DFN1212-3

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.568
50+
￥0.4614
150+
￥0.408
500+
￥0.368
3000+
￥0.336

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型号：DMP2160U-7 编号：C260875

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5836
50+
￥0.4742
150+
￥0.4194
500+
￥0.3784
3000+
￥0.3456

有货

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型号：BAV23A-7-F 编号：C150453

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。适用于电池供电的便携式应用。高反向击穿电压。低泄漏电流。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

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10+
￥0.5836
100+
￥0.4648
300+
￥0.4054
3000+
￥0.3609

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型号：B160Q-13-F 编号：C134434

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足商业应用的一般需求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管、阻塞二极管、飞轮二极管。

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5+
￥0.589
50+
￥0.469
150+
￥0.409
500+
￥0.364
2500+
￥0.328

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型号：MMSTA42-7-F 编号：C460107

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。适用于低功率放大和开关。超小表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5912
50+
￥0.4803
150+
￥0.4249
500+
￥0.3833

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型号：BZX84C3V3TS-7-F 编号：C5124989

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：齐纳电压范围为 2.4-39V。单个超小表面贴装封装中包含三个独立的二极管元件。无铅/符合 RoHS 标准。环保器件

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5+
￥0.5973
50+
￥0.5866
150+
￥0.5794
500+
￥0.5723

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型号：TL431BSA-7 编号：C97730

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

TL431和TL432是三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性和高达100 mA的输出电流处理能力。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为2.5至36 V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，这些器件可作为齐纳二极管的替代品。TL431的电气规格与行业标准“431”相同，有两个等级可供选择，A 级和 B 级的初始公差分别为1%和0.5%。

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5+
￥0.6021
50+
￥0.4773
150+
￥0.4149
500+
￥0.3681
3000+
￥0.2955

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型号：B340B-13-F 编号：C85099

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。浪涌过载额定值达125A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥0.6164
50+
￥0.4996
150+
￥0.4412
500+
￥0.3974

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型号：DMN2056U-13 编号：C5208862

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.6248
50+
￥0.561
150+
￥0.5291
500+
￥0.5052
2500+
￥0.486
5000+
￥0.4765

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型号：74LVC2G02HK3-7 编号：C842632

封装：UDFN-8(1x1.5)

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G02 是一款双路二输入或非门。两个门电路均采用推挽输出，设计工作电源电压范围为 1.65V 至 5V。

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5+
￥0.645392 ￥0.8492
50+
￥0.453816 ￥0.6876
150+
￥0.339808 ￥0.6068
500+
￥0.305872 ￥0.5462
2500+
￥0.278712 ￥0.4977
5000+
￥0.265104 ￥0.4734

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型号：BZT52C3V3LP-7 编号：C150478

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.6514
50+
￥0.5292
150+
￥0.4682
500+
￥0.4223

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型号：LMV331SE-7 编号：C151353

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

LMV331/LMV393系列是低压（2.7V至5.5V）单路和双路比较器，旨在有效降低低压水平下的成本和占用空间。这些器件的规格达到或超过了大家熟知的LM331/LM393器件，且工作电源电压更低，电源电流消耗也低得多。 LMV331采用5引脚SOT353/SOT25封装，可减少PC板和便携式电子设备的占用空间。LMV393采用行业标准的SOP - 8和MSOP - 8封装。 LMV331/LMV393是低压单路/双路通用比较器。它们的单电源工作电压范围为2.7V至5.5V；共模输入电压范围从负电源以下 - 0.1V延伸至正电源0.8V以内。 LMV331/393系列采用BiCMOS工艺制造，具有双极型输入和输出级，可改善噪声性能。对于便携式消费产品而言，在电路设计中，空间、低电压、低功耗和价格是主要规格要求，该系列是一种经济高效的解决方案。

数据手册

5+
￥0.6604
50+
￥0.5147
150+
￥0.4419
500+
￥0.3873

有货

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型号：B140Q-13-F 编号：C134430

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足商业应用的一般需求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管、阻塞二极管、飞轮二极管。

数据手册

5+
￥0.6748
50+
￥0.5472
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￥0.4834
500+
￥0.4355
2500+
￥0.3972

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型号：DPBT8105-7 编号：C443634

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。高集电极电流额定值。有互补版本。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色器件”。符合AEC-Q101高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.6791
50+
￥0.5682
150+
￥0.5127
500+
￥0.4712

有货

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型号：AZV331KTR-G1 编号：C132221

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

AZV331是一款低压（2.5V至5.5V）单比较器，其电源电流极低，仅为60μA，是便携式电子系统的理想选择。该器件与LMV331引脚兼容，可直接替换。 AZV331采用BiCMOS工艺制造，具有双极型输入和输出级，可改善噪声性能。对于便携式消费产品而言，它是一种经济高效的解决方案，在这些产品的电路设计中，空间、低电压、低功耗和成本是主要考量因素。

数据手册

5+
￥0.7123
50+
￥0.5346
150+
￥0.4457
500+
￥0.379
3000+
￥0.3257

有货

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型号：DMG1026UV-7 编号：C508194

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.73304 ￥1.0472
50+
￥0.55416 ￥0.9236
150+
￥0.4353 ￥0.8706
500+
￥0.40225 ￥0.8045
3000+
￥0.3875 ￥0.775
6000+
￥0.3787 ￥0.7574

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型号：SMAJ17CA-13-F 编号：C134964

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7351
50+
￥0.6595
150+
￥0.6271
500+
￥0.5866
2500+
￥0.5686

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型号：D34V0H1U2LP-7B 编号：C1977336

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。其小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和 MP3 播放器等便携式应用。

数据手册

5+
￥0.7366
50+
￥0.5846
150+
￥0.5086
500+
￥0.4516
2500+
￥0.406
5000+
￥0.3832

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型号：DMG301NU-13 编号：C2759894

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (Rₒₙ)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.7517
50+
￥0.5966
150+
￥0.519
500+
￥0.4609
2500+
￥0.4143
5000+
￥0.3911

有货

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型号：B2100-13-F 编号：C110479

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环芯片结构。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达60A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：引脚处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7601
50+
￥0.618
150+
￥0.547
500+
￥0.4937

有货

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型号：APX803L20-29SR-7 编号：C5589080

封装：SOT-23R

品牌：DIODES(美台)

APX803L是一款微功耗电压检测器系列产品，用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。从电路设计上看，其内部固定了一系列检测电压值，范围为1.2V至5.0V，每级间隔为0.1V。它的典型电源电流仅为1μA，对于需要检测功能的系统（如智能手机、电池供电设备、网络设备等）的电源效率几乎没有影响