DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-223

特性：BVCEO > -70V。 Ic Max.-2A High Continuous Current。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：电池供电电路

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型号：PAM2306DYPAA 编号：C508237

封装：WDFN-12L-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

PAM2306D是一款双通道高效PWM降压DC-DC转换器,支持2.5V到5.5V的输入电压范围,每通道最大输出电流为1A,具有内部同步整流功能,开关频率为1.5MHz,适用于便携式设备和消费电子产品。

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型号：DMP3007SCG-7 编号：C260899

封装：V-DFN3333-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

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型号：SBR05M60BLP-7 编号：C443659

封装：DFN-4(3x3)

品牌：DIODES(美台)

SBR05M60BLP采用低外形U-DFN3030-4封装，内部集成四个二极管，构成全桥配置。该器件具有低正向压降和出色的高温稳定性，非常适合用于对占用空间和外形高度有要求的桥式二极管应用。

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型号：FZT1151ATA 编号：C155344

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。高连续集电极电流：IC =-3A。峰值脉冲电流：ICM =-5A。低饱和电压：VCE(sat) <-140mV @-1A。 hFE指定高达-5A以实现高增益保持。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性

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型号：ZXTP2012GTA 编号：C508267

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO-60V。 IC =-5.5A 连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-70mV 最大值 @-1A。 RSAT = 39mΩ @-5A，低等效导通电阻。 hFE 指定至-10A，高增益保持。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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型号：AP62600SJ-7 编号：C4748917

封装：QFN-12(2x3)

品牌：DIODES(美台)

AP62600是一款6A同步降压转换器,输入电压范围为4.5V至18V,集成36mΩ高侧MOSFET和14mΩ低侧MOSFET,采用恒定导通时间控制实现快速瞬态响应和低输出电压纹波。支持多种工作模式,包括PFM、USM和PWM,并具有可编程软启动时间和多种保护功能。

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型号：DMP4050SSD-13 编号：C154754

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：AH8502-FDC-7 编号：C842152

封装：DFN2020-6-EP

品牌：DIODES(美台)

AH8502是一款微功耗线性霍尔效应传感器，具有8位输出分辨率。输出电压与电源电压成比例，且与垂直于器件标记面的磁通密度成正比。输出零电压为电源电压的一半

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型号：FZT788BTA 编号：C141330

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -15V。BVCBO > -15V。IC = -3A 高连续电流。hFE > 300 @ -2A 和低饱和电压。极低的等效导通电阻 RCE(sat) 93mΩ @ -3A。互补 NPN 类型。应用：闪光灯转换器。电池供电电路

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型号：ZVP4525GTA 编号：C211425

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代沟槽 MOSFET 具有独特结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，非常适合高效电源管理应用。

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型号：ZVP0545GTA 编号：C435961

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

P沟道 -450V -75A

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型号：DMT6008LFG-7 编号：C461111

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通状态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：DMTH8012LPSQ-13 编号：C2960358

封装：TDFN-8-Power

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：同步整流器、背光照明、电源管理功能、直流-直流转换器。

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型号：AP22815AWT-7 编号：C2150007

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

AP22815/615是3A单通道、带输出过压保护（OVP）的限流高端功率开关，针对USB和其他热插拔应用进行了优化。AP22815/615符合USB标准，使能输入有两种极性可选。该器件还具备固定和可调限流功能，针对需要精确限流支持的应用进行了优化

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型号：3.0SMCJ28A-13 编号：C460481

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

特性：3000W 峰值脉冲功率耗散。 5V 至 170V 关断电压。单向和双向。 IEC-61000-4-2 ESD 空气放电 30kV，接触放电 30kV。人体模型 (HBM) 8kV；充电设备模型 (CDM) 1kV；机器模型 (MM) 800V。玻璃钝化芯片结构。出色的钳位能力。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。本产品符合 JEDEC 高可靠性标准

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型号：ZXMS6005DN8-13 编号：C2150232

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6005DN8是一款双路自保护低侧智能场效应晶体管（IntelliFET）MOSFET，具有逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。ZXMS6005DN8非常适合作为由3驱动的通用开关

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型号：ZVP4424A 编号：C500780

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：240 伏 VDS。 RDS(on)=9Ω。低阈值。应用：电子钩开关

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型号：FZT849TA 编号：C154747

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 30V。高连续集电极电流：IC = 7A。峰值脉冲电流：ICM = 20A。功率耗散：PD = 3W。极低的等效导通电阻：RCE(SAT) = 36Ω（5A时）。极低的饱和电压。互补PNP型FZT949。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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