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首页 > 热门关键词 > DIODES模拟芯片
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AL5890 是一款400V恒流LED驱动器,提供具有成本效益的两引脚解决方案。它具有良好的温度稳定性和在宽电压和温度范围内的电流精度<±2.0mA(典型值)。AL5890 提供多种或预设的输出电流选项,无需外部电流设置电阻,为LED系列创建简单的驱动解决方案。AL5890支持LED链的高侧和低侧驱动。当IN和OUT之间的电压大于7V时,AL5890启动。长LED链应用可支持高达400V的工作电压,受限于封装的热限制。AL5890 采用热性能优良的PowerDI123(Type B)、SOT89 和 TO252(标准)封装。
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  • 5+

    ¥0.7923
  • 50+

    ¥0.6989
  • 150+

    ¥0.6589
  • 500+

    ¥0.5756
  • 2500+

    ¥0.5534
  • 5000+

    ¥0.54
  • 有货
  • Advanced Ultra Low Power (AUP) CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池寿命而设计。是一个单路双输入正与非门,具有标准推挽输出,设计用于在0.8V至3.6V的电源范围内工作。该器件针对使用Icc5的部分掉电应用进行了全面规格设计。Icc5电路可禁用输出,防止器件掉电时产生损坏性电流回流。该门执行正布尔函数:。Y = (A × B)的非,或Y = A(overline) + B(overline)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.869176 ¥1.1288
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      ¥0.67603 ¥1.009
    • 150+

      ¥0.545832 ¥0.9576
    • 500+

      ¥0.509352 ¥0.8936
    • 3000+

      ¥0.493107 ¥0.8651
    • 6000+

      ¥0.483303 ¥0.8479
  • 有货
  • 是一款300mA可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该器件包含传输元件、误差放大器、带隙、限流和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时,器件开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于低功耗应用,例如电池供电设备。典型静态电流约为65μA。内置限流和热关断功能,可防止IC在故障条件下损坏。提供SOT25和DFN2020-6封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9169
    • 50+

      ¥0.7385
    • 150+

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      ¥0.5824
    • 3000+

      ¥0.5288
  • 有货
  • 特性:P-Channel MOSFET。 低导通电阻:150 mΩ @ VGS =-4.5V。200 mΩ @ VGS =-2.5V。240 mΩ @ VGS =-1.8V。 极低的栅极阈值电压 VGS(th) ≤ 1V。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9232
    • 50+

      ¥0.7442
    • 150+

      ¥0.6547
    • 500+

      ¥0.5875
    • 3000+

      ¥0.5338
  • 有货
  • 特性:600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9435
    • 50+

      ¥0.7334
    • 150+

      ¥0.6433
    • 500+

      ¥0.531
    • 3000+

      ¥0.481
  • 有货
  • 特性:肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达60A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:引脚处+260℃/10秒。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9669
    • 50+

      ¥0.7941
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      ¥0.7078
    • 500+

      ¥0.643
    • 3000+

      ¥0.5814
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9872
    • 50+

      ¥0.8072
    • 150+

      ¥0.7172
    • 500+

      ¥0.6497
    • 2500+

      ¥0.5844
  • 有货
  • 特性:1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
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    • 5+

      ¥0.9911
    • 50+

      ¥0.8231
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      ¥0.7391
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      ¥0.6761
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -40V。 IC = -1A,高连续电流。 ICM = -2A,峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ,低等效导通电阻。 互补 NPN 型:FMM1491A。应用:功率 MOSFET 栅极驱动。 低损耗功率开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9967
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      ¥0.7875
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      ¥0.6979
    • 500+

      ¥0.586
    • 3000+

      ¥0.5362
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A,可保持高电流增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0031
    • 50+

      ¥0.8105
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      ¥0.7143
    • 500+

      ¥0.6421
    • 2500+

      ¥0.5843
    • 5000+

      ¥0.5554
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 快速恢复时间,实现高效率。 低正向压降和高电流能力。 浪涌过载额定值达100A峰值。 非常适合自动组装。 塑料材料:UL阻燃等级为94V-0
    数据手册
    • 1+

      ¥1.004 ¥2.51
    • 10+

      ¥0.678 ¥2.26
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      ¥0.43 ¥2.15
    • 100+

      ¥0.404 ¥2.02
    • 500+

      ¥0.392 ¥1.96
    • 1000+

      ¥0.384 ¥1.92
  • 有货
  • AH180是一款微功耗全极霍尔效应开关,专为手机、个人数字助理(PDA)和便携式个人电脑(PC)等便携式和电池供电设备而设计。基于两个霍尔效应板和斩波稳定架构,AH180在整个工作范围内提供可靠的解决方案。为了适配便携式和电池供电设备,该设计经过优化,可在2.5V至5.5V的电源电压范围内工作,在3V电源供电时仅消耗24μW的功率
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0415
    • 50+

      ¥0.8243
    • 150+

      ¥0.7156
    • 500+

      ¥0.6342
    • 3000+

      ¥0.5169
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗,高效率。 低正向压降。 低反向漏电流。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高正向浪涌电流能力。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0962
    • 50+

      ¥0.8838
    • 150+

      ¥0.7927
    • 500+

      ¥0.6791
    • 2500+

      ¥0.6285
  • 有货
  • 是一款具有三态输出的单路非反相缓冲器/总线驱动器。当高电平施加到输出使能 (OE) 引脚时,输出进入高阻抗状态。该器件设计用于 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围。输入可承受 5.5V,允许该器件在混合电压环境中使用。该器件针对使用 Ioff 的部分掉电应用进行了全面规格设计。Ioff 电路可在器件掉电时禁用输出,防止损坏性电流回流。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1018
    • 50+

      ¥0.87
    • 150+

      ¥0.7706
    • 500+

      ¥0.6466
    • 2500+

      ¥0.5914
    • 5000+

      ¥0.5583
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1165
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      ¥0.8884
    • 150+

      ¥0.7907
    • 500+

      ¥0.6688
    • 2500+

      ¥0.6145
    • 5000+

      ¥0.5819
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-100V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压。 高达 IC =-1A 时具有出色的 hFE 特性。 互补 NPN 类型。应用:高端驱动器。 负载断开开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1319
    • 50+

      ¥0.8874
    • 150+

      ¥0.7651
    • 500+

      ¥0.6733
  • 有货
  • APX803S用于微处理器(μP)监控电路,以监测μP和数字系统中的电源。当与5.0V、3.3V、3.0V和2.5V供电电路配合使用时,它们通过省去外部元件和调节环节,实现了出色的电路可靠性和低成本。这些电路执行单一功能:在上电时以及每当VCC电源电压降至预设阈值以下时,它们会发出复位信号,并在VCC升至复位阈值以上后的一段固定时间内保持该信号
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1513
    • 50+

      ¥0.9297
    • 150+

      ¥0.8348
    • 500+

      ¥0.7163
  • 有货
  • 这款新增的Zetex肖特基二极管采用SOD523封装,具备出色的低正向压降(VF)/反向电流(IR)性能,且封装高度仅为0.9mm,使其适用于各种转换器、充电器和LED驱动电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.188
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      ¥0.9349
    • 150+

      ¥0.8265
    • 500+

      ¥0.6912
    • 3000+

      ¥0.631
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动装配。 微型封装,节省PCB空间。 UL认可组件索引下列出,文件编号E94661。 无铅表面处理,符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.21
    • 50+

      ¥0.9728
    • 150+

      ¥0.8712
    • 500+

      ¥0.7444
  • 有货
  • 特性:600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2283
    • 50+

      ¥0.9739
    • 150+

      ¥0.8649
    • 500+

      ¥0.7289
    • 3000+

      ¥0.6683
  • 有货
  • 特性:高电流能力 (IF = 500mA)。 低VF。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序 (PPAP) 能力。应用:DC-DC转换器。 移动电信
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2761
    • 50+

      ¥1.0014
    • 150+

      ¥0.8837
    • 500+

      ¥0.7368
    • 3000+

      ¥0.6714
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达50A峰值。 非常适合自动装配。 无铅涂层,符合RoHS标准。 采用绿色模塑料(无卤素和锑)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2969
    • 50+

      ¥1.0148
    • 150+

      ¥0.8938
    • 500+

      ¥0.743
    • 2500+

      ¥0.6758
  • 有货
  • 这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3503
    • 50+

      ¥1.1084
    • 150+

      ¥1.0047
    • 500+

      ¥0.8753
  • 有货
  • D5V0P4URL6SO是一款高性能器件,适用于保护四个高速I/O接口。这些器件采用SOT26封装,具备高ESD浪涌能力和低电容特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3729
    • 50+

      ¥1.0824
    • 150+

      ¥0.9578
    • 500+

      ¥0.8025
    • 3000+

      ¥0.7333
  • 有货
  • 74LVCE1G126 是一款单路同相缓冲器/总线驱动器,具有三态输出。当向输出使能(OE)引脚施加低电平时,输出进入高阻态
    数据手册
    • 5+

      ¥1.388868 ¥1.5964
    • 50+

      ¥1.083082 ¥1.4066
    • 150+

      ¥0.887884 ¥1.3252
    • 500+

      ¥0.819879 ¥1.2237
    • 3000+

      ¥0.789595 ¥1.1785
    • 6000+

      ¥0.771438 ¥1.1514
  • 有货
  • 该肖特基势垒阵列设计用于多种配置,具有低泄漏性能。这通过仅需一个组件降低了组件放置成本。设计满足 AEC-Q101 要求。配置非常适合用作:极性保护二极管。两条数据线的轨到轨数据线保护。多路复用电路。高效、低电流桥式整流电路。续流二极管。开关二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.419
    • 50+

      ¥1.1483
    • 150+

      ¥1.0322
    • 500+

      ¥0.8875
    • 3000+

      ¥0.823
  • 有货
  • 采用紧凑高效的 PowerDI5 封装,提供极低的正向电压和出色的高温反向泄漏稳定性。非常适合用作整流二极管、续流二极管或阻断二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4218
    • 50+

      ¥1.3025
    • 150+

      ¥1.2514
    • 500+

      ¥1.1876
    • 2500+

      ¥1.1592
    • 5000+

      ¥1.1421
  • 有货
  • APX823/APX824/APX825A系列监控器提供电路初始化和时序监控功能,主要用于基于DSP和处理器的系统。上电期间,当电源电压VCC高于1.1V时,RESET信号有效。此后,电源电压监控器会监测VCC,只要VCC保持在阈值电压VTH以下,就会使RESET信号保持有效
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4248 ¥2.74
    • 50+

      ¥1.144 ¥2.2
    • 150+

      ¥1.0244 ¥1.97
    • 500+

      ¥0.8736 ¥1.68
    • 2500+

      ¥0.7696 ¥1.48
    • 5000+

      ¥0.728 ¥1.4
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4449
    • 50+

      ¥1.1491
    • 150+

      ¥1.0223
    • 500+

      ¥0.8641
    • 3000+

      ¥0.7585
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用:DC-DC 模块。栅极驱动器
    数据手册
    • 6000+

      ¥0.955564
    • 12000+

      ¥0.93127
    • 18000+

      ¥0.898878
    • 36000+

      ¥0.874584
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