DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBT3904Q-7-F 编号：C705324

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这种双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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20+
￥0.2313
200+
￥0.1854
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￥0.1599
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￥0.1446

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型号：MMSZ5245B-7-F 编号：C177050

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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20+
￥0.2485
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￥0.198
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型号：BC807-40-7-F 编号：C516610

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：理想适用于自动插入。外延平面芯片结构。有互补NPN类型（BC817）。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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20+
￥0.2496
200+
￥0.1981
600+
￥0.1694
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￥0.1522

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型号：BZT52C5V1T-7 编号：C151562

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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20+
￥0.2519
200+
￥0.1991
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￥0.1697
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￥0.1495

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型号：BZT52C2V4-7-F 编号：C260944

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2593
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￥0.2077
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￥0.1619

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型号：DESD3V3S1BL-7B 编号：C500765

封装：DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：低轮廓封装（最大0.53mm）和超小PCB占位面积（最大1.08 * 0.68mm），适用于紧凑型便携式电子产品。提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电±30kV，接触放电±25kV。 1通道ESD保护。低通道输入电容。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。便携式电子产品

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20+
￥0.2628
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￥0.2104
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型号：MBR0580S1-7 编号：C177047

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这款MBR0580S1是采用SOD123封装的单整流器。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。典型应用包括AC - DC和DC - DC转换器、电池反接保护、多电源电压“O形环”以及其他对性能和尺寸要求较高的应用

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10+
￥0.3129
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￥0.2505
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￥0.2193
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6000+
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型号：MMBT2222AT-7-F 编号：C151009

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。集电极电流IC = 600mA。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补PNP型。完全无铅,完全符合RoHS标准。无卤素和锑。绿色器件。符合AEC Q101标准,可靠性高

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10+
￥0.3308
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￥0.2663
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￥0.234
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￥0.2071

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型号：74LVC1G14SE-7 编号：C130459

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G14是一款单路1输入施密特触发反相器，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5V的电源电压范围。

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10+
￥0.3349
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￥0.2667
300+
￥0.2326
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￥0.2071

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型号：BZX84B5V1-7-F 编号：C460811

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

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10+
￥0.3398
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￥0.2856
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型号：D5V0L2B3SO-7 编号：C445541

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 2通道双向ESD保护。低通道输入电容。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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10+
￥0.3906
100+
￥0.307
300+
￥0.2651
3000+
￥0.2338
6000+
￥0.2087

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型号：AZ23C5V1-7-F 编号：C150449

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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10+
￥0.4114
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￥0.3296
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￥0.2888
3000+
￥0.2581

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型号：DDZ3V6ASF-7 编号：C560270

封装：SOD-323F

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.4188
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￥0.3331
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￥0.2903
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￥0.2457

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型号：DMMT3904W-7-F 编号：C155305

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA高集电极电流。一对本质匹配的NPN晶体管。电流增益（HFE）匹配度为2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

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10+
￥0.419
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￥0.3375
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￥0.2967
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型号：BZT52C3V9LP-7 编号：C151051

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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10+
￥0.4212
100+
￥0.3422
300+
￥0.3027

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型号：DMC2990UDJ-7 编号：C397939

封装：SOT-963-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.4224
50+
￥0.3762
150+
￥0.3531
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￥0.3358
2500+
￥0.2888
5000+
￥0.2819

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型号：74LVC2G125RA3-7 编号：C842614

封装：X2-DFN1210-8

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G125是一款具有三态输出的双缓冲门。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。

5+
￥0.479061 ￥0.4839
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￥0.381187 ￥0.4283
150+
￥0.316316 ￥0.4004
500+
￥0.299884 ￥0.3796
2500+
￥0.286691 ￥0.3629
5000+
￥0.280055 ￥0.3545

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型号：RS1J-13-F 编号：C155316

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

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5+
￥0.5022
50+
￥0.4018
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￥0.3515
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￥0.3139
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型号：TL431ASA-7 编号：C145101

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

TL431和TL432是三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性和高达100 mA的输出电流处理能力。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为2.5至36 V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，这些器件可作为齐纳二极管的替代品。TL431的电气规格与行业标准“431”相同，有两个等级可供选择，A 级和 B 级的初始公差分别为1%和0.5%。

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5+
￥0.5073
50+
￥0.4012
150+
￥0.3482
500+
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型号：D10V0H1U2LP-7B 编号：C1977419

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

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5+
￥0.5119
50+
￥0.4121
150+
￥0.3622
500+
￥0.3248
2500+
￥0.2948
5000+
￥0.2799

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型号：BCW66HTA 编号：C95984

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。高连续集电极电流：IC = 800mA。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 100mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

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5+
￥0.5503
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￥0.4471
150+
￥0.3955
500+
￥0.3568
3000+
￥0.3258

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型号：S1N-13-F 编号：C780888

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构，可靠性高。低正向压降。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。非常高的反向击穿电压。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.5653
50+
￥0.4596
150+
￥0.4067
500+
￥0.367
2500+
￥0.3339

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型号：D5V0F2U3LP08-7B 编号：C2960356

封装：X-FDFN-3

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和 MP3 播放器。

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5+
￥0.6083
50+
￥0.5547
150+
￥0.528
500+
￥0.5079
2500+
￥0.4918
5000+
￥0.4838

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型号：74AHCT08S14-13 编号：C842298

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

74AHCT08提供四个独立的2输入与门，具备标准推挽输出。该器件设计用于4.5V至5V的电源电压范围。

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5+
￥0.628696 ￥0.7064
50+
￥0.491696 ￥0.6224
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￥0.404616 ￥0.5864
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￥0.373635 ￥0.5415
2500+
￥0.359835 ￥0.5215
5000+
￥0.351555 ￥0.5095

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型号：AZ1117CR-3.3TRG1 编号：C460428

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压应用进行了优化。该设备具备限流和热关断功能。其电路包含一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在 ±1% 以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用导致结温过高。有 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻，可调版本可通过两个外部电阻设置输出电压。提供行业标准的 TO252-2 系列（包括 TO252-2 (3)、TO252-2 (4) 和 TO252-2 (5)）、SOT89 和 SOT223 封装。

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