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首页 > 热门关键词 > DIODES模拟芯片
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新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
数据手册
  • 1+

    ¥2.79
  • 10+

    ¥2.28
  • 30+

    ¥2.06
  • 100+

    ¥1.79
  • 500+

    ¥1.66
  • 1000+

    ¥1.59
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.81
    • 10+

      ¥2.24
    • 30+

      ¥2
    • 100+

      ¥1.69
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.47
  • 有货
  • 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:电源管理、DC - DC转换器、电机控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.89
    • 10+

      ¥2.33
    • 30+

      ¥2.09
    • 100+

      ¥1.78
    • 500+

      ¥1.54
    • 1000+

      ¥1.46
  • 有货
  • AH49E是一款小型、多功能的线性霍尔效应器件,由永磁体或电磁体产生的磁场驱动。输出电压由电源电压设定,并与磁场强度成正比变化。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.02
    • 10+

      ¥2.42
    • 30+

      ¥2.17
    • 100+

      ¥1.85
    • 500+

      ¥1.71
    • 1000+

      ¥1.62
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。 互补 NPN 类型。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.29
    • 100+

      ¥1.92
    • 500+

      ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.67
  • 有货
  • P沟道,-20V,-10A,13mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.31
    • 10+

      ¥2.71
    • 30+

      ¥2.45
    • 100+

      ¥2.13
    • 500+

      ¥1.36
    • 1000+

      ¥1.28
  • 有货
  • 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,有PPAP支持,适用于背光电源管理功能和DC-DC转换器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.51
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.08
    • 500+

      ¥1.9
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 120V。 BVcBo > 140V。 IC = 1.5A 高连续电流。 hFE > 2k 高增益 (G) A。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑 “绿色” 器件。应用:灯。 继电器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.58
    • 10+

      ¥2.86
    • 30+

      ¥2.55
    • 100+

      ¥2.16
    • 500+

      ¥1.99
    • 1000+

      ¥1.89
  • 有货
  • 这款新一代P沟道增强型MOSFET专为在保持卓越开关性能的同时,将导通电阻RDS(ON)降至最低而设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.59
    • 30+

      ¥3.5182 ¥3.59
  • 有货
  • 特性:60伏集电极-发射极电压(VCEO)。 2安连续电流。 低饱和电压。 总功率(Ptot)为1瓦
    数据手册
    • 1+

      ¥3.75
    • 10+

      ¥2.92
    • 30+

      ¥2.56
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • 此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,适用于以下方面:DC-DC转换器、电源管理功能、背光。
    • 1+

      ¥4.33
    • 10+

      ¥3.4
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.48
    • 500+

      ¥2.2
    • 1000+

      ¥2.06
  • 有货
  • 特性:120 Volt VCEO。 1 Amp连续电流。 在Ic = 1 Amp时增益为2K。 Ptot = 1 Watt
    数据手册
    • 1+

      ¥4.4745 ¥4.71
    • 10+

      ¥3.4 ¥4
    • 30+

      ¥2.73 ¥3.64
    • 100+

      ¥2.4675 ¥3.29
    • 500+

      ¥2.31 ¥3.08
    • 1000+

      ¥2.2275 ¥2.97
  • 有货
  • PI4ULS3V204是一款4位可配置双电源双向自动感应电平转换器,无需方向控制引脚。A端口和B端口分别用于跟踪两个不同的电源轨VCCA和VCCB。VCCA和VCCB电源轨均可在1.1V至3.6V范围内进行配置
    数据手册
    • 1+

      ¥4.89
    • 10+

      ¥3.95
    • 30+

      ¥3.48
    • 100+

      ¥2.88
    • 500+

      ¥2.6
    • 1000+

      ¥2.46
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。 IC = 6A,高连续集电极电流。 ICM = 10A,峰值脉冲电流。 低饱和电压,VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。 hFE指定至10A,高增益保持。 互补PNP类型:FZT953。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,高可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥5.13
    • 10+

      ¥4.21
    • 30+

      ¥3.74
    • 100+

      ¥3.29
    • 500+

      ¥3.01
  • 有货
  • 这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关的特点,非常适合用于高效电源管理应用。
    • 1+

      ¥5.78
    • 10+

      ¥4.61
    • 30+

      ¥4.02
    • 100+

      ¥3.44
    • 500+

      ¥3.09
    • 1000+

      ¥2.91
  • 有货
  • 特性:450V VDS。 RDS(on) = 150Ω
    数据手册
    • 1+

      ¥6.2177 ¥6.41
    • 10+

      ¥5.1504 ¥5.92
    • 30+

      ¥4.3505 ¥5.65
    • 100+

      ¥4.1195 ¥5.35
    • 500+

      ¥4.0194 ¥5.22
    • 1000+

      ¥3.9732 ¥5.16
  • 有货
  • ZXMS81045SPQ 是一款单通道高端功率开关,采用 SO - 8EP(E 型)外露散热片封装,集成了保护和诊断功能。该器件包含一个单片 N 沟道垂直功率 MOSFET,集成了温度和电流传感器以及电荷泵栅极电源,在关断状态下具有低静态电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.24
    • 10+

      ¥5.12
    • 30+

      ¥4.56
    • 100+

      ¥4.01
    • 500+

      ¥3.68
    • 1000+

      ¥3.5
  • 有货
  • 是一款连续模式电感降压转换器,集成开关和高端电流检测功能。可在7V至30V的输入电源下工作,能高效驱动单个或多个串联LED,外部可调输出电流高达1mA。已通过AEC-Q100 1级认证,可在-40℃至125℃的环境温度下工作。输出电流可通过向ADJ引脚施加直流电压或PWM波形进行调节,使用PWM控制时输出电流可实现100:1的调节。向ADJ引脚施加0.2V或更低电压可关闭输出,并使设备进入低电流待机状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.55
    • 10+

      ¥6.4296 ¥6.84
    • 30+

      ¥5.418 ¥6.45
    • 100+

      ¥5.0484 ¥6.01
    • 500+

      ¥4.8888 ¥5.82
    • 1000+

      ¥4.8132 ¥5.73
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。开关同步整流DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.23
    • 10+

      ¥7.26
    • 30+

      ¥6.72
    • 100+

      ¥6.12
    • 500+

      ¥5.85
    • 1000+

      ¥5.73
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 适用于中功率放大和开关。 互补PNP型。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2009
    • 200+

      ¥0.1561
    • 600+

      ¥0.1312
    • 3000+

      ¥0.1162
  • 有货
  • 特性:平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2437
    • 100+

      ¥0.1949
    • 300+

      ¥0.1705
    • 3000+

      ¥0.1522
    • 6000+

      ¥0.1375
  • 有货
  • 特性:500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2525
    • 200+

      ¥0.2043
    • 600+

      ¥0.1776
    • 3000+

      ¥0.1615
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 超小表面贴装封装。 用于通用开关应用。 高电导。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2612
    • 100+

      ¥0.2036
    • 300+

      ¥0.1748
    • 3000+

      ¥0.1532
    • 6000+

      ¥0.1359
    • 9000+

      ¥0.1272
  • 有货
  • 特性:平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高
    • 10+

      ¥0.264108 ¥0.3386
    • 100+

      ¥0.211302 ¥0.2709
    • 300+

      ¥0.184938 ¥0.2371
    • 1000+

      ¥0.165126 ¥0.2117
    • 5000+

      ¥0.149292 ¥0.1914
    • 10000+

      ¥0.141414 ¥0.1813
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的击穿特性。 齐纳电压(Vz)容差非常小。 非常适合自动化组装过程。 极低的漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    • 10+

      ¥0.310401 ¥0.3411
    • 100+

      ¥0.224532 ¥0.2772
    • 300+

      ¥0.174092 ¥0.2452
    • 3000+

      ¥0.157052 ¥0.2212
    • 6000+

      ¥0.14342 ¥0.202
    • 9000+

      ¥0.136604 ¥0.1924
  • 有货
  • 200mA表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOT23(标准)封装,具有低正向压降和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环,用于瞬态和静电放电保护,完全无铅镀层,符合RoHS标准,是“绿色”器件。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3367
    • 100+

      ¥0.2791
    • 300+

      ¥0.2503
    • 3000+

      ¥0.2049
    • 6000+

      ¥0.1877
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    • 10+

      ¥0.3631
    • 100+

      ¥0.2885
    • 300+

      ¥0.2512
    • 1000+

      ¥0.2233
    • 5000+

      ¥0.2009
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 可提供PPAP文件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.369376 ¥0.3808
    • 100+

      ¥0.269265 ¥0.3095
    • 300+

      ¥0.210826 ¥0.2738
    • 1000+

      ¥0.190267 ¥0.2471
    • 5000+

      ¥0.173789 ¥0.2257
    • 10000+

      ¥0.16555 ¥0.215
  • 有货
  • 特性:500mW功率耗散(FR-4 PCB)。齐纳电压(Vz)容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3846
    • 100+

      ¥0.3142
    • 300+

      ¥0.2789
    • 3000+

      ¥0.2422
  • 有货
  • 74LVC2G00是一款双路二输入与非门。两个门电路均采用推挽输出,设计工作电源电压范围为1.65V至5.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.392218 ¥0.5854
    • 50+

      ¥0.29526 ¥0.518
    • 150+

      ¥0.227668 ¥0.4844
    • 500+

      ¥0.215777 ¥0.4591
    • 2500+

      ¥0.206283 ¥0.4389
    • 5000+

      ¥0.201536 ¥0.4288
  • 有货
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