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  • 采用沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS和无卤标准
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  • AO6400采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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      ¥1.1566
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在在流行的AC/DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和CRSS以及有保证的雪崩能力,该器件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
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  • N沟道,20V,7A,20mΩ@4.5V
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      ¥0.66
    N沟道,20V,0.9A,300mΩ@4.5V
    数据手册
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  • 最新的沟槽功率Alpha/MOS-II技术。低导通电阻RDS(ON)。低输入电容Ciss和反向传输电容Cros。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
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  • 有货
  • 使用沟槽 MOSFET 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于 RDS(ON)、Ciss 和 Coss 的极低组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和 LED 背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.95
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      ¥1.92
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    • 10+

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    • 30+

      ¥2.2
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在在流行的AC-DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和Crss以及有保证的雪崩能力,这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 1+

      ¥2.63
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      ¥1.91
  • 有货
  • 最新的沟槽功率AlphaMOS(αMOS LV)技术 在4.5V栅源电压(VGS)下具有极低的导通电阻(RDS(on))
    数据手册
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      ¥1.88
  • 有货
  • AOZ1282CI-2是一款高效率、易于使用的600mA降压调节器,适用于多种应用场景。其输入电压范围为4.5V至36V,输出电压可调至0.8V,固定1MHz的PWM开关频率,具有内部补偿、短路保护和热关断等功能。
    数据手册
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  • N沟道,100V,14A,68mΩ@10V
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  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至 0.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
    数据手册
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  • N沟道,30V,12A,9.8mΩ@10V
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    • 5000+

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    采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
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    • 150+

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    • 500+

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  • 有货
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    • 150+

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      ¥0.8817
  • 有货
  • Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS 2.0和无卤要求
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  • P沟 30V 5A
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  • P沟 -30V -5A
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