AOS模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

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符合条件商品：共1615件

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描述

价格(含税)

库存

操作

型号：AONY36352 编号：C17572149

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

1+
￥2.21
10+
￥2.16
30+
￥2.13

有货

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型号：AOD2922 编号：C131417

封装：TO-252

品牌：AOS

N沟道

数据手册

5+
￥2.2384
50+
￥1.7563
150+
￥1.5497

有货

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型号：AONS36306 编号：C3277800

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

5+
￥2.3813
50+
￥1.9254
150+
￥1.73

有货

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型号：AO4813 编号：C485696

封装：SOIC-8

品牌：AOS

数据手册

1+
￥2.73
10+
￥2.16
30+
￥1.92
100+
￥1.61

有货

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型号：AO6802 编号：C49388

封装：TSOP-6

品牌：AOS

N沟道,30V,3.5A,50mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.28
30+
￥2

有货

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型号：AOD609 编号：C95235

封装：TO-252-4

品牌：AOS

AOD609采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。

数据手册

1+
￥3.11
10+
￥2.51
30+
￥2.25

有货

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型号：AOD4126 编号：C457934

封装：TO-252

品牌：AOS

数据手册

1+
￥5.51
10+
￥4.43
30+
￥3.89

有货

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型号：AONS66920 编号：C6124261

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

1+
￥5.55
10+
￥4.55
30+
￥4.05

有货

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型号：AON7280 编号：C5563873

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

1+
￥7.34
10+
￥6.1
30+
￥5.42

有货

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型号：AOZ8231ADI-12 编号：C1980564

封装：DFN1006-2

品牌：AOS

AOZ8231A是一款单线路双向瞬态电压抑制二极管，旨在保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和静电放电（ESD）的影响。该器件在超小型DFN 1006封装中集成了一个瞬态电压抑制（TVS）二极管。它可用于满足EC 61000 - 4 - 2标准4级（±15kV空气放电、±8kV接触放电）的静电放电抗扰度要求

数据手册

10+
￥0.2509
100+
￥0.2454
300+
￥0.2417
1000+
￥0.2381

有货

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型号：AON5820 编号：C115839

封装：DFN-6-EP(4.5x2)

品牌：AOS

双N沟 20V 10A

数据手册

单价：
￥0.9371 / 个

有货

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型号：AOZ8809DI-05 编号：C1973888

封装：UDFN-10(1x2.5)

品牌：AOS

AOz8809是一款瞬态电压抑制器阵列，旨在保护高速数据线，如HDMI 1.4/2.0、USB 3.0/3.1、MDDI、SATA和千兆以太网，免受破坏性静电放电（ESD）事件的影响。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定、低电容的导向二极管和一个瞬态电压抑制器（TVS）。在瞬态条件下，导向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。AOz8809的典型线间电容为0.25 pF，在高达6 GHz的频率下具有低插入损耗，可提供更高的信号完整性，非常适合用于HDMI 1.4/2.0或USB 3.0/3.1应用，如数字电视、DVD播放器、计算机、机顶盒以及移动计算设备中的MDDI应用。AOz8809采用符合RoHS标准且无卤素的2.5 mm×1.0 mm×0.55 mm DFN - 10封装，结温范围为 - 40 ℃至 + 85 ℃。

数据手册

5+
￥1.0017
50+
￥0.7797
150+
￥0.6846

有货

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型号：AO4822A 编号：C431183

封装：SOIC-8

品牌：AOS

N-CH

数据手册

10+
￥1.3608
100+
￥1.3104
200+
￥1.2096
1000+
￥1.1592
2000+
￥1.12896

我要订货

型号：AO6400 编号：C3281937

封装：TSOP-6

品牌：AOS

AO6400采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

5+
￥1.4908
50+
￥1.2388
150+
￥1.1308
500+
￥0.9961

有货

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型号：AO4407AL 编号：C20613356

封装：SOIC-8

品牌：AOS

使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和超低栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。符合RoHS和无卤标准。

5+
￥1.7542
50+
￥1.4266
150+
￥1.2862

有货

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型号：AOZ8808DI-03 编号：C1980087

封装：DFN-10(2.5x1.0)

品牌：AOS

AOZ8808是一款瞬态电压抑制器阵列，旨在保护HDMI 1.4/2.0、USB 3.0、MDDI、SATA和千兆以太网等高速数据线免受静电放电（ESD）事件的损害。

数据手册

50+
￥0.945
500+
￥0.875
1000+
￥0.84
5000+
￥0.805
10000+
￥0.784

我要订货

型号：AON2290 编号：C5451855

封装：DFN2x2B

品牌：AOS

将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥2.7091
50+
￥2.2545
150+
￥2.0597

有货

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型号：AOD8N25 编号：C2840674

封装：TO-252

品牌：AOS

采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和CRSS以及有保证的雪崩能力，这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.33
30+
￥2.07
100+
￥1.75

有货

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型号：AONR34332C 编号：C3288319

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

1+
￥3.51
10+
￥2.86
30+
￥2.53

有货

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型号：AONY36354 编号：C17447594

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

1+
￥5.21
10+
￥4.4
30+
￥3.99

有货

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型号：AON7254 编号：C131418

封装：DFN-8(3.3x3.3)

品牌：AOS

N沟道

数据手册

1+
￥6.18
10+
￥5.01
30+
￥4.43

有货

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型号：AON6560 编号：C2760090

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

1+
￥8.51
10+
￥7.07
30+
￥6.28

有货

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型号：AON6280 编号：C5553732

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

1+
￥10.45
10+
￥8.69
30+
￥7.72
100+
￥6.62

有货

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型号：AOZ8S503BDS-05 编号：C3024410

封装：DFN-2L(0.6x0.3)

品牌：AOS

AOZ8S503BDS-05是一款单通道双向高浪涌瞬态电压抑制器，旨在保护音频线和电源线等数据线免受静电放电（ESD）或浪涌事件的损害。该器件在单个封装中集成了两个单向TVS二极管。在瞬态条件下，双向二极管将瞬态电流导向电源线的正端或接地。AOZ8S503BDS-05的典型电容为9 pF，钳位电压低，非常适合用于移动和计算设备的数据传输保护。AOZ8S503BDS-05采用符合RoHS标准且无卤素的0.6mm×0.3mm封装，结温范围为-40℃至+125℃。

数据手册