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首页 > 热门关键词 > AOS模拟芯片
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  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
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  • 有货
  • 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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      ¥0.6918
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  • 有货
  • N沟道,30V,3.5A,50mΩ@10V
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      ¥0.6929 ¥1.69
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  • P-ChannelMOSFET
    数据手册
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  • 有货
  • AO4496采用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换器应用。
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      ¥0.8607
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      ¥0.6374
  • 有货
  • 使用先进沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作,同时保持12V的VGS(MAX)额定值。该器件适合用作单向或双向负载开关。
    数据手册
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  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低反馈电容(Ciss)以及有保证的雪崩能力,该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 5+

      ¥1.9684
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      ¥1.53
    • 150+

      ¥1.342
  • 有货
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    • 100+

      ¥1.6
    • 500+

      ¥1.53
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于开关电源(SMPS)中的高端开关和通用应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2006
    • 50+

      ¥1.747
    • 150+

      ¥1.5526
    • 500+

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      ¥1.756
    • 150+

      ¥1.5606
    • 500+

      ¥1.3168
  • 有货
  • 使用沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低,传导和开关功率损耗均降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.57
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      ¥2.51
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.43
  • 有货
  • AO4828采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。标准产品AO4828为无铅产品(符合RoHS和索尼259规格)
    • 1+

      ¥2.8
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

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    • 100+

      ¥1.64
    • 500+

      ¥1.49
  • 有货
  • 最新的AlphalGBT (α IGBT) 技术。650V击穿电压。非常快速且软恢复的续流二极管。高效的导通di/dt可控性。低VCE/SAT实现高效率。低关断开关损耗和软度。良好的EMI性能。高短路耐受能力
    数据手册
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.8
    • 30+

      ¥5.53
    • 100+

      ¥5.22
    • 500+

      ¥5.08
  • 有货
  • AOZ8224是一款四线双向瞬态电压抑制二极管,旨在保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和静电放电(ESD)的影响。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.08181 ¥0.8181
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      ¥0.06284 ¥0.6284
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至0.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
    数据手册
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      ¥0.5676
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      ¥0.4475
    • 150+

      ¥0.3874
    • 500+

      ¥0.3424
  • 有货
  • Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
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    • 150+

      ¥0.5116
    • 500+

      ¥0.463
  • 有货
  • AO6403采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和极低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    • 5+

      ¥0.9499
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    • 150+

      ¥0.6475
    • 500+

      ¥0.5343
  • 有货
  • 采用沟槽功率AlphaSGTTM技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行优化。符合RoHS和无卤标准
    • 5+

      ¥1.0287
    • 50+

      ¥0.7994
    • 150+

      ¥0.7012
  • 有货
  • N沟道,40V,35A,15mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1476
    • 50+

      ¥1.1211
    • 150+

      ¥1.1034
  • 有货
  • 双N沟 20V 7A
    数据手册
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      ¥1.2725
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    • 150+

      ¥0.8656
    • 500+

      ¥0.7133
  • 有货
  • 结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。符合RoHS和无卤标准。
    • 5+

      ¥1.3448
    • 50+

      ¥1.0676
    • 150+

      ¥0.9488
    • 500+

      ¥0.8006
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
    数据手册
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      ¥1.6968
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      ¥1.3188
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    • 150+

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    • 500+

      ¥1.098
  • 有货
  • 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的导通电阻。该器件适用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册
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      ¥2.78
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      ¥2.22
    • 30+

      ¥1.97
    • 100+

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    • 500+

      ¥1.53
  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
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    • 100+

      ¥3.62
  • 有货
  • AOZ1031AI 是一款高效率、易用的3A同步降压调节器,工作输入电压范围为4.5V至18V,提供高达3A的连续输出电流,输出电压可调低至0.8V。采用内部软启动功能,具有脉冲跳跃模式以提高轻载效率,具备逐周期电流限制和短路保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.449 ¥11.61
    • 10+

      ¥8.901 ¥9.89
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      ¥8.055 ¥8.95
    • 100+

      ¥6.615 ¥7.35
    • 500+

      ¥6.192 ¥6.88
    • 1000+

      ¥6.003 ¥6.67
  • 有货
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    • 10+

      ¥0.580382 ¥1.2617
    • 30+

      ¥0.547078 ¥1.1893
    • 100+

      ¥0.505494 ¥1.0989
    • 500+

      ¥0.487002 ¥1.0587
    • 1000+

      ¥0.475916 ¥1.0346
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