您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > AOS模拟芯片
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共1615
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷,适用于作为负载开关或在 PWM 应用中使用。
数据手册
  • 5+

    ¥1.6291
  • 50+

    ¥1.3267
  • 150+

    ¥1.1971
  • 500+

    ¥1.0354
  • 有货
    • 1+

      ¥2.8628 ¥4.21
    • 10+

      ¥2.0474 ¥3.53
    • 30+

      ¥1.5552 ¥3.24
    • 100+

      ¥1.3824 ¥2.88
    • 500+

      ¥1.3056 ¥2.72
    • 1000+

      ¥1.2576 ¥2.62
  • 有货
  • AOZ2261NQI-11 是一款高效、易用的同步降压调节器,支持2.7V到28V的宽输入电压范围,可提供8A的连续输出电流,输出电压可调至0.6V。该设备采用专有的恒定导通时间PWM控制,具有快速瞬态响应和相对恒定的开关频率。此外,还具有多种保护功能,包括欠压锁定、逐周期限流、过压保护、短路保护和热关断。
    • 1+

      ¥5.77
    • 10+

      ¥4.68
    • 30+

      ¥4.14
    • 100+

      ¥3.6
    • 500+

      ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.11
  • 有货
    • 1+

      ¥6.51
    • 10+

      ¥5.38
    • 30+

      ¥4.82
    • 100+

      ¥4.26
  • 有货
  • AOZ1212是一款高效率、易于使用的3A降压调节器,适用于多种应用。其输入电压范围为4.5V至27V,输出电压可调至0.8V,内置70mΩ的NFET,最高效率可达95%。具有内部软启动、逐周期电流限制、短路保护和热关断功能。封装形式为SO-8或DFN-8,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.83
    • 10+

      ¥5.54
    • 30+

      ¥4.89
    • 100+

      ¥4.25
    • 500+

      ¥3.86
    • 1000+

      ¥3.66
  • 有货
  • AO6401,TSOP-6/TSOP-6
    数据手册
    • 1+

      ¥6.99
    • 10+

      ¥6.36
    • 30+

      ¥5.97
    • 100+

      ¥5.57
    • 500+

      ¥5.38
  • 有货
    • 1+

      ¥9.39
    • 10+

      ¥8.58
    • 50+

      ¥8.07
    • 100+

      ¥7.54
    • 500+

      ¥7.31
    • 1000+

      ¥7.2
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至0.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.628
    • 50+

      ¥0.4936
    • 150+

      ¥0.4264
    • 500+

      ¥0.376
  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7187
    • 50+

      ¥0.5804
    • 150+

      ¥0.5113
    • 500+

      ¥0.4595
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9803
    • 50+

      ¥0.7777
    • 150+

      ¥0.6909
    • 500+

      ¥0.5826
    • 3000+

      ¥0.5344
  • 有货
  • Trench Power AlphaMOS (aMOS LV) 技术。 低导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 高电流能力。 符合 RoHS 和无卤标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4318
    • 50+

      ¥1.1472
    • 150+

      ¥1.0252
    • 500+

      ¥0.873
  • 有货
  • N沟道,200V,3.8A,0.7Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.4725 ¥4.75
    • 10+

      ¥0.8127 ¥3.87
    • 30+

      ¥0.3773 ¥3.43
    • 100+

      ¥0.33 ¥3
    • 500+

      ¥0.3014 ¥2.74
    • 1000+

      ¥0.286 ¥2.6
  • 有货
    • 5+

      ¥1.4992
    • 50+

      ¥1.3153
    • 150+

      ¥1.2365
    • 500+

      ¥1.1382
  • 有货
    • 1+

      ¥2.98
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.14
    • 100+

      ¥1.83
    • 500+

      ¥1.69
  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
    • 5+

      ¥1.0358
    • 50+

      ¥0.8486
    • 150+

      ¥0.755
    • 500+

      ¥0.6848
  • 有货
  • P沟道
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1332
    • 50+

      ¥0.9799
    • 150+

      ¥0.9142
    • 500+

      ¥0.8322
  • 有货
    • 1+

      ¥1.1953
    • 10+

      ¥1.0336
    • 30+

      ¥0.9643
    • 100+

      ¥0.8778
    • 500+

      ¥0.8393
    • 1000+

      ¥0.8162
  • 有货
    • 5+

      ¥1.4523
    • 50+

      ¥1.4235
    • 150+

      ¥1.4043
    • 500+

      ¥1.3852
  • 有货
    • 5+

      ¥1.9258
    • 50+

      ¥1.573
    • 150+

      ¥1.4218
    • 500+

      ¥1.2332
    • 2500+

      ¥1.1492
    • 5000+

      ¥1.0988
  • 有货
    • 5+

      ¥2.1329
    • 50+

      ¥1.6944
    • 150+

      ¥1.5065
    • 500+

      ¥1.272
  • 有货
  • N沟 100V 11A
    数据手册
    • 5+

      ¥2.45
    • 50+

      ¥1.95
    • 150+

      ¥1.73
  • 有货
  • 使用沟槽 MOSFET 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于 RDS(ON)、Ciss 和 Coss 的极低组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和 LED 背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.8
    • 10+

      ¥2.25
    • 30+

      ¥2.01
    • 100+

      ¥1.72
    • 500+

      ¥1.58
  • 有货
  • 最新的沟槽功率AlphaMOS(αMOS LV)技术 在4.5V栅源电压(VGS)下具有极低的导通电阻(RDS(on))
    数据手册
    • 1+

      ¥3.09
    • 10+

      ¥2.43
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.8
    • 500+

      ¥1.65
  • 有货
  • Trench Power MOSFET technology。Low RDS(ON)。Low Gate Charge。High Current Capability。RoHS and Halogen-Free Compliant
    数据手册
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.49
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.88
  • 有货
  • N沟道,75V,100A,10.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.3
    • 10+

      ¥4.22
    • 50+

      ¥3.68
    • 100+

      ¥3.14
  • 有货
    • 1+

      ¥5.5
    • 10+

      ¥4.93
    • 30+

      ¥4.61
    • 100+

      ¥4.26
    • 500+

      ¥4.1
  • 有货
    • 1+

      ¥11.31
    • 10+

      ¥11.02
    • 30+

      ¥10.83
    • 100+

      ¥10.63
  • 有货
  • AOZ8904CIL是一款瞬态电压抑制器阵列,旨在保护高速数据线免受静电放电(ESD)和雷击影响。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7084
    • 50+

      ¥0.5724
    • 150+

      ¥0.5043
    • 500+

      ¥0.4533
  • 有货
  • AOZ8224是一款四线双向瞬态电压抑制二极管,旨在保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和静电放电(ESD)的影响。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.7141
    • 10+

      ¥0.6175
    • 30+

      ¥0.5761
    • 100+

      ¥0.5244
    • 500+

      ¥0.5014
    • 1000+

      ¥0.4876
  • 有货
  • AOZ8829DI-05是一款瞬态电压抑制器阵列,设计用于保护高速数据线(如HDMI 1.4/2.0、USB 3.1、MDDI、SATA和千兆以太网)免受静电放电(ESD)事件的损害。该设备在一个封装中集成了八个浪涌额定低电容导向二极管和一个瞬态电压抑制器(TVS)。在瞬变条件下,导向二极管将瞬变引导到电源线的正侧或接地。AOZ8829DI-05提供典型的线路间电容为0.25 pF,并且具有高达6 GHz的低插入损耗,从而提高了信号完整性,使其非常适合HDMI 1.4/2.0或USB 3.1应用,如数字电视、DVD播放器、计算设备、机顶盒和移动计算设备中的MDDI应用。AOZ8829DI-05采用符合RoHS标准且无卤素的2.5 mm x 1.0 mm x 0.55 mm DF 10封装,工作温度范围为-40℃至+85℃。
    • 5+

      ¥0.8507
    • 50+

      ¥0.7499
    • 150+

      ¥0.7067
    • 500+

      ¥0.6528
  • 有货
  • 立创商城为您提供AOS模拟芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买AOS模拟芯片提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content