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首页 > 热门关键词 > AOS模拟芯片
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  • 最新的AlphalGBT (α IGBT) 技术。650V击穿电压。非常快速且软恢复的续流二极管。高效的导通di/dt可控性。低VCE/SAT实现高效率。低关断开关损耗和软度。良好的EMI性能。高短路耐受能力
    数据手册
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      ¥5.08
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  • P沟道
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      ¥0.3277 ¥0.565
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  • P沟 -30V -5A
    数据手册
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    • 150+

      ¥0.6563
    • 500+

      ¥0.6465
  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS和无卤标准
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      ¥0.7449
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      ¥0.6609
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      ¥0.7988
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      ¥0.722
  • 有货
  • Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS 2.0和无卤要求
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      ¥0.8229
    • 150+

      ¥0.7316
    • 500+

      ¥0.6178
  • 有货
  • P沟 30V 5A
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    • 5+

      ¥1.1248
    • 50+

      ¥0.8929
    • 150+

      ¥0.7936
    • 500+

      ¥0.6696
  • 有货
  • AO4496采用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换器应用。
    • 5+

      ¥1.1845
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      ¥0.9527
    • 150+

      ¥0.8533
    • 500+

      ¥0.7294
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在在流行的AC/DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和CRSS以及有保证的雪崩能力,该器件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 5+

      ¥1.3293
    • 50+

      ¥1.0571
    • 150+

      ¥0.9405
    • 500+

      ¥0.7949
  • 有货
  • 结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。符合RoHS和无卤标准。
    • 5+

      ¥1.3448
    • 50+

      ¥1.0676
    • 150+

      ¥0.9488
  • 有货
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      ¥1.8167
    • 50+

      ¥1.4999
    • 150+

      ¥1.3641
    • 500+

      ¥1.1947
  • 有货
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      ¥1.6944
    • 150+

      ¥1.5065
    • 500+

      ¥1.272
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于开关电源(SMPS)中的高端开关和通用应用。
    数据手册
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      ¥2.2006
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      ¥1.1372
  • 订货
  • N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V
    数据手册
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  • 使用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的导通电阻。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
    数据手册
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      ¥1.012
    • 10000+

      ¥0.9856
    采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和保证的雪崩能力,该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 5+

      ¥2.47
    • 50+

      ¥1.96
    • 150+

      ¥1.75
    • 500+

      ¥1.48
  • 有货
  • 使用沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低,传导和开关功率损耗均降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.47
    • 10+

      ¥2.41
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  • 有货
  • N沟 250V 20A
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    • 10+

      ¥1.6758 ¥7.98
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      ¥0.7722 ¥7.02
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      ¥0.6644 ¥6.04
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      ¥0.6149 ¥5.59
    • 1000+

      ¥0.594 ¥5.4
  • 有货
  • AOZ1282CI-2是一款高效率、易于使用的600mA降压调节器,适用于多种应用场景。其输入电压范围为4.5V至36V,输出电压可调至0.8V,固定1MHz的PWM开关频率,具有内部补偿、短路保护和热关断等功能。
    数据手册
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      ¥2.96
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      ¥2.46
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      ¥1.69
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      ¥1.42
  • 有货
  • N沟道,100V,14A,68mΩ@10V
    数据手册
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    • 30+

      ¥2.42
  • 有货
  • 最新的AlphaIGBT(α IGBT)技术。击穿电压650V。续流二极管恢复速度极快且特性柔和
    数据手册
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    • 30+

      ¥3.27
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    • 500+

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  • 有货
  • AO6404采用先进的沟槽技术,可提供出色的R_DS(ON)、低栅极电荷,并且在低至1.8V的栅极电压下仍能工作,同时保持12V的V_GS(MAX)额定值。该器件具备静电放电保护功能。
    数据手册
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      ¥1.3867
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    • 500+

      ¥1.0966
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低反馈电容(Ciss)以及有保证的雪崩能力,该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 5+

      ¥1.9684
    • 50+

      ¥1.53
    • 150+

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