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价格(含税)

库存

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型号：AOSS21319C 编号：C2987157

封装：SOT-23

品牌：AOS

采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准。具备ESD保护功能

数据手册

1+
￥2.02
10+
￥1.78
30+
￥1.68
100+
￥1.55
500+
￥1.49
1000+
￥1.46

有货

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型号：AOTF10N50FD 编号：C6465433

封装：TO-220F

品牌：AOS

采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和保证的雪崩能力，该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

5+
￥2.27
50+
￥1.76
150+
￥1.55
500+
￥1.28

有货

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型号：AO4822A 编号：C431183

封装：SOIC-8

品牌：AOS

N-CH

数据手册

1+
￥2.52
10+
￥2
30+
￥1.78
100+
￥1.5

有货

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型号：AON2290 编号：C5451855

封装：DFN2x2B

品牌：AOS

将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥2.7091
50+
￥2.2545
150+
￥2.0597

有货

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型号：AOD4126 编号：C457934

封装：TO-252

品牌：AOS

数据手册

1+
￥5.72
10+
￥4.64
30+
￥4.1
100+
￥3.57

有货

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型号：AONS66920 编号：C6124261

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

1+
￥5.97
10+
￥4.89
30+
￥4.3

有货

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型号：AON7254 编号：C131418

封装：DFN-8(3.3x3.3)

品牌：AOS

N沟道

数据手册

1+
￥6.24
10+
￥5.08
30+
￥4.5
100+
￥3.92

有货

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型号：AON6560 编号：C2760090

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

1+
￥8.51
10+
￥7.07
30+
￥6.28
100+
￥5.38

有货

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型号：AO3424 编号：C485700

封装：SOT-23-3

品牌：AOS

采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

数据手册

5+
￥0.6168
50+
￥0.6034
150+
￥0.5945
500+
￥0.5856

订货

我要订货

型号：AOZ8902CIL 编号：C2840572

封装：SOT-23-6

品牌：AOS

5+
￥0.8257
50+
￥0.6673
150+
￥0.5881

有货

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型号：AO4407AL 编号：C20613356

封装：SOIC-8

品牌：AOS

使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和超低栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。符合RoHS和无卤标准。

5+
￥0.8395
50+
￥0.8208
150+
￥0.8083

有货

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型号：AONS21321 编号：C5143571

封装：DFN(5x6)

品牌：AOS

数据手册

5+
￥1.4741
50+
￥1.1711
150+
￥1.0412

有货

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型号：AO4404B 编号：C115829

封装：SOIC-8

品牌：AOS

N沟 30V 8.5A

数据手册

5+
￥1.5423
50+
￥1.2244
150+
￥1.0881

有货

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型号：AOZ8808DI-03 编号：C1980087

封装：DFN-10(2.5x1.0)

品牌：AOS

AOZ8808是一款瞬态电压抑制器阵列，旨在保护HDMI 1.4/2.0、USB 3.0、MDDI、SATA和千兆以太网等高速数据线免受静电放电（ESD）事件的损害。

数据手册

5+
￥2.1818
50+
￥1.7361
150+
￥1.5452

有货

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型号：AOD442G 编号：C2997888

封装：TO-252(DPAK)

品牌：AOS

Trench Power MV MOSFET技术。低RDS(ON)。逻辑电平驱动。符合RoHS和无卤标准

数据手册

1+
￥3.2805 ￥7.29
10+
￥2.9835 ￥6.63
30+
￥2.817 ￥6.26
100+
￥2.6325 ￥5.85
500+
￥2.5515 ￥5.67
1000+
￥2.5155 ￥5.59

有货

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型号：AON6992 编号：C3277796

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

1+
￥3.55
10+
￥2.91
30+
￥2.58

有货

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型号：AO4884 编号：C485694

封装：SOIC-8

品牌：AOS

使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。是一种通用器件，适用于广泛的功率转换应用。

数据手册

1+
￥3.98
10+
￥3.2
30+
￥2.81

有货

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型号：AONY36354 编号：C17447594

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

1+
￥4.33
10+
￥3.51
30+
￥3.1

有货

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型号：AOK40B65H2AL 编号：C17588896

封装：TO-247

品牌：AOS

1+
￥10.99
10+
￥9.34
30+
￥8.3

有货

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型号：AOZ8231ADI-12 编号：C1980564

封装：DFN1006-2

品牌：AOS

AOZ8231A是一款单线路双向瞬态电压抑制二极管，旨在保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和静电放电（ESD）的影响。该器件在超小型DFN 1006封装中集成了一个瞬态电压抑制（TVS）二极管。它可用于满足EC 61000 - 4 - 2标准4级（±15kV空气放电、±8kV接触放电）的静电放电抗扰度要求

数据手册

10+
￥0.219
100+
￥0.2135
300+
￥0.2098
1000+
￥0.2061

有货

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型号：AOZ8809DI-05 编号：C1973888

封装：UDFN-10(1x2.5)

品牌：AOS

AOz8809是一款瞬态电压抑制器阵列，旨在保护高速数据线，如HDMI 1.4/2.0、USB 3.0/3.1、MDDI、SATA和千兆以太网，免受破坏性静电放电（ESD）事件的影响。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定、低电容的导向二极管和一个瞬态电压抑制器（TVS）。在瞬态条件下，导向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。AOz8809的典型线间电容为0.25 pF，在高达6 GHz的频率下具有低插入损耗，可提供更高的信号完整性，非常适合用于HDMI 1.4/2.0或USB 3.0/3.1应用，如数字电视、DVD播放器、计算机、机顶盒以及移动计算设备中的MDDI应用。AOz8809采用符合RoHS标准且无卤素的2.5 mm×1.0 mm×0.55 mm DFN - 10封装，结温范围为 - 40 ℃至 + 85 ℃。

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