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首页 > 热门关键词 > AOS模拟芯片
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使用先进沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至5.5V的栅极电压下工作,采用小尺寸SOT323封装。可用于多种应用,包括负载开关、低电流逆变器和低电流DC-DC转换器。
数据手册
  • 5+

    ¥1.04931 ¥1.1659
  • 50+

    ¥0.85383 ¥0.9487
  • 150+

    ¥0.77013 ¥0.8557
  • 500+

    ¥0.66555 ¥0.7395
  • 3000+

    ¥0.55701 ¥0.6189
  • 6000+

    ¥0.52902 ¥0.5878
  • 有货
  • AON7466将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关模式电源(SMPS)中的高端开关及通用应用。符合RoHS标准且无卤
    • 5+

      ¥1.2323
    • 50+

      ¥1.0958
    • 150+

      ¥1.0373
    • 500+

      ¥0.9643
    • 2500+

      ¥0.8125
  • 有货
  • 使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷,适用于作为负载开关或在 PWM 应用中使用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4465
    • 50+

      ¥1.1441
    • 150+

      ¥1.0145
    • 500+

      ¥0.8528
  • 有货
  • MOSFETN-CH30V22ATO252
    数据手册
    • 1+

      ¥2.19
    • 10+

      ¥1.9
    • 30+

      ¥1.77
    • 100+

      ¥1.62
    • 500+

      ¥1.55
  • 有货
  • N-CH 60V 16.5A
    数据手册
    • 5+

      ¥2.27
    • 50+

      ¥1.76
    • 150+

      ¥1.55
    • 500+

      ¥1.28
  • 有货
    • 1+

      ¥5.56
    • 10+

      ¥4.48
    • 30+

      ¥3.94
    • 100+

      ¥3.4
    • 500+

      ¥3.08
    • 1000+

      ¥2.92
  • 有货
  • 专有αMOS5技术。 低导通电阻RDS(ON)。 优化开关参数,实现更好的电磁性能。 增强体二极管,具备高耐用性和快速反向恢复能力
    数据手册
    • 1+

      ¥6.93
    • 10+

      ¥6.28
    • 50+

      ¥5.93
    • 100+

      ¥5.52
    • 500+

      ¥5.35
    • 1000+

      ¥5.27
  • 有货
    • 1+

      ¥13.01
    • 10+

      ¥12.72
    • 30+

      ¥12.53
    • 100+

      ¥12.34
  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术 低漏源导通电阻RDS(ON)
    • 5+

      ¥0.7349
    • 50+

      ¥0.5813
    • 150+

      ¥0.5045
    • 500+

      ¥0.4469
  • 有货
  • MOS管AON3414_10.5A_30V_N_DFN3x3_AOS
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8655
    • 50+

      ¥0.7702
    • 150+

      ¥0.7293
    • 500+

      ¥0.6783
  • 有货
  • Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS 2.0和无卤标准
    • 5+

      ¥1.1135
    • 50+

      ¥0.9013
    • 150+

      ¥0.8103
    • 500+

      ¥0.6968
  • 有货
    • 1+

      ¥1.3694
    • 10+

      ¥1.2077
    • 30+

      ¥1.1384
    • 100+

      ¥1.0519
    • 500+

      ¥1.0134
    • 1000+

      ¥0.9903
  • 有货
  • 使用沟槽MOSFET技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)、输入电容Ciss和输出电容Coss的组合,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9191
    • 50+

      ¥1.5085
    • 150+

      ¥1.3325
    • 500+

      ¥1.1129
  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3006
    • 50+

      ¥1.8218
    • 150+

      ¥1.6166
    • 500+

      ¥1.3606
  • 有货
    • 1+

      ¥2.3616 ¥3.28
    • 10+

      ¥2.16 ¥3
    • 30+

      ¥2.0736 ¥2.88
    • 100+

      ¥1.9656 ¥2.73
    • 500+

      ¥1.9152 ¥2.66
    • 1000+

      ¥1.8864 ¥2.62
  • 有货
  • Trench Power MOSFET technology。Low RDS(ON)。Low Gate Charge。High Current Capability。RoHS and Halogen-Free Compliant
    数据手册
    • 1+

      ¥2.78
    • 10+

      ¥2.2
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.65
    • 500+

      ¥1.44
  • 有货
    • 1+

      ¥10.32
    • 10+

      ¥9.5
    • 50+

      ¥8.99
    • 100+

      ¥8.47
    • 500+

      ¥8.23
    • 1000+

      ¥8.13
  • 有货
  • Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
    • 5+

      ¥0.593
    • 50+

      ¥0.4634
    • 150+

      ¥0.3986
    • 500+

      ¥0.35
    • 3000+

      ¥0.3111
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6887
    • 50+

      ¥0.5447
    • 150+

      ¥0.4727
    • 500+

      ¥0.4187
  • 有货
  • AOZ8829DI-05是一款瞬态电压抑制器阵列,设计用于保护高速数据线(如HDMI 1.4/2.0、USB 3.1、MDDI、SATA和千兆以太网)免受静电放电(ESD)事件的损害。该设备在一个封装中集成了八个浪涌额定低电容导向二极管和一个瞬态电压抑制器(TVS)。在瞬变条件下,导向二极管将瞬变引导到电源线的正侧或接地。AOZ8829DI-05提供典型的线路间电容为0.25 pF,并且具有高达6 GHz的低插入损耗,从而提高了信号完整性,使其非常适合HDMI 1.4/2.0或USB 3.1应用,如数字电视、DVD播放器、计算设备、机顶盒和移动计算设备中的MDDI应用。AOZ8829DI-05采用符合RoHS标准且无卤素的2.5 mm x 1.0 mm x 0.55 mm DF 10封装,工作温度范围为-40℃至+85℃。
    • 5+

      ¥0.7547
    • 50+

      ¥0.6539
    • 150+

      ¥0.6107
    • 500+

      ¥0.5568
  • 有货
  • N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.068 ¥1.78
    • 10+

      ¥0.942 ¥1.57
    • 30+

      ¥0.888 ¥1.48
    • 100+

      ¥0.822 ¥1.37
    • 500+

      ¥0.792 ¥1.32
    • 1000+

      ¥0.774 ¥1.29
  • 有货
  • AO6404采用先进的沟槽技术,可提供出色的R_DS(ON)、低栅极电荷,并且在低至1.8V的栅极电压下仍能工作,同时保持12V的V_GS(MAX)额定值。该器件具备静电放电保护功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2398
    • 50+

      ¥1.0731
    • 150+

      ¥1.0017
    • 500+

      ¥0.9126
  • 有货
  • P沟道
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2982
    • 50+

      ¥1.1449
    • 150+

      ¥1.0792
    • 500+

      ¥0.9973
  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术 在4.5V栅源电压(VGS)下具有极低的导通电阻RDS(ON)
    • 5+

      ¥1.3169
    • 50+

      ¥1.0347
    • 150+

      ¥0.9137
    • 500+

      ¥0.7628
  • 有货
  • AOZ6605PI-1是一款同步降压调节器,工作电压范围为4.5V至18V,最大输出电流为5A,输出电压可调至0.8V。该器件采用EPAD-SO8封装,工作温度范围为-40°C至+85°C。具有多种保护功能,包括短路保护、过温关断等。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.43
    • 10+

      ¥2.67
    • 30+

      ¥2.35
    • 100+

      ¥1.94
    • 500+

      ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.65
  • 有货
  • N沟道,250V,14A,0.28Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.05
    • 30+

      ¥2.69
    • 100+

      ¥2.34
  • 有货
    • 1+

      ¥4.55
    • 10+

      ¥3.73
    • 30+

      ¥3.32
    • 100+

      ¥2.92
    • 500+

      ¥2.37
  • 有货
  • 使用沟槽MOSFET技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻、输入电容和输出电容组合,可将传导和开关功率损耗降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    • 1+

      ¥5.73
    • 10+

      ¥4.65
    • 30+

      ¥4.11
    • 100+

      ¥3.57
  • 有货
  • AOZ1212是一款高效率、易于使用的3A降压调节器,适用于多种应用。其输入电压范围为4.5V至27V,输出电压可调至0.8V,内置70mΩ的NFET,最高效率可达95%。具有内部软启动、逐周期电流限制、短路保护和热关断功能。封装形式为SO-8或DFN-8,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.19
    • 10+

      ¥5.06
    • 30+

      ¥4.44
    • 100+

      ¥3.74
    • 500+

      ¥3.43
  • 有货
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.72
    • 30+

      ¥5.41
    • 100+

      ¥5.06
    • 500+

      ¥4.9
  • 有货
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