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价格(含税)

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1个N沟道耐压:30V

型号：AO4354 编号：C61955

封装：SOIC-8

N沟道,30V,23A,5.3mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥2.4852
50+
￥2.0607
150+
￥1.8788
500+
￥1.3874

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:11.5A

型号：AO4294A 编号：C431177

封装：SOIC-8

N-CH

数据手册

5+
￥3.2011
50+
￥2.5308
150+
￥2.2435
500+
￥1.8851

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:9.5A

型号：AOSD62666E 编号：C541719

封装：SOIC-8

采用Trench Power AlphaSGT技术，具有低RDS(ON)、逻辑电平栅极驱动、ESD保护、出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积（FOM），符合RoHS和无卤标准。VDS为60V，Ip（在VGS = 10V时）为9.5A，RDS(ON)（在VGS = 10V时）<14.5mΩ，RDS(ON)（在VGS = 4.5V时）<19mΩ。

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥3.06
30+
￥2.71
100+
￥2.35
500+
￥2.14
1000+
￥2.03

有货

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耐压:650V 电流:7A

型号：AOD7N65 编号：C2931061

封装：TO-252

采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在在流行的AC-DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），以及有保证的雪崩能力，这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

数据手册

1+
￥5.3768 ￥10.34
10+
￥5.0648 ￥9.74
30+
￥4.8932 ￥9.41
100+
￥4.7008 ￥9.04
500+
￥4.6176 ￥8.88
1000+
￥4.576 ￥8.8

有货

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N沟道耐压:30V 电流:50A

型号：AON7410 编号：C269266

封装：DFN-8(3x3)

N沟道,30V,24A,26mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.5935
50+
￥0.4783
150+
￥0.4207
500+
￥0.3775
2500+
￥0.3009
5000+
￥0.2836

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:1A

型号：AO3442 编号：C71064

封装：SOT-23

N沟道,100V,1A,630mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.7279
50+
￥0.579
150+
￥0.5046
500+
￥0.4488
3000+
￥0.3573

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：AON7408 编号：C431193

封装：DFN-8(3x3)

N-CH

数据手册

5+
￥1.0129
50+
￥0.8012
150+
￥0.7105
500+
￥0.5973
2500+
￥0.5469

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：AON6414AL 编号：C2840568

封装：PDFN-8(5.9x5.2)

使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于开关电源和通用应用中的高端开关。

数据手册

5+
￥1.1775
50+
￥0.9251
150+
￥0.817
500+
￥0.682
3000+
￥0.6219

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:24A

型号：AONR21321 编号：C541711

封装：DFN-8(3x3)

数据手册

5+
￥1.1912
50+
￥0.9394
150+
￥0.8315
500+
￥0.6969
2500+
￥0.5884

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:40A

型号：AON7407 编号：C176756

封装：DFN-8(3x3)

AON7407将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。符合RoHS标准无卤素

数据手册

5+
￥1.4495
50+
￥1.125
150+
￥0.986
500+
￥0.8125

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:11A

型号：AO4838 编号：C485695

封装：SOIC-8

数据手册

5+
￥1.8419
50+
￥1.4794
150+
￥1.324
500+
￥1.0471

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:11A

型号：AOD478 编号：C115838

封装：TO-252-2(DPAK)

N沟 100V 11A

数据手册

5+
￥2.1739
50+
￥1.617082 ￥1.7203
150+
￥1.281756 ￥1.5259
500+
￥1.077972 ￥1.2833
2500+
￥0.987252 ￥1.1753
5000+
￥0.93282 ￥1.1105

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:24A

型号：AONR21307 编号：C3277813

封装：DFN-8(3x3)

5+
￥2.44
50+
￥1.93
150+
￥1.72
500+
￥1.45

有货

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高效率同步降压调节器

型号：AOZ2261AQI-15 编号：C2071876

封装：QFN-22(4x4)

AOZ2261AQI-15 是一款高效率、易于使用的同步降压调节器,输入电压范围为4V至28V,可提供8A连续输出电流,输出电压可调低至0.8V。采用恒定导通时间PWM控制,具有快速瞬态响应和相对恒定的开关频率。具备多种保护功能,包括欠压锁定、逐周期限流、过压保护、短路保护和热关断。

数据手册

1+
￥5.89
10+
￥4.75
30+
￥4.18
100+
￥3.62
500+
￥3.28
1000+
￥3.1

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.2A

型号：AO3400C 编号：C541722

封装：SOT-23

AO3400C 是电源开关器件，不支持高速信号。

数据手册

5+
￥0.634
50+
￥0.4948
150+
￥0.4252
500+
￥0.373
3000+
￥0.3312

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：AON2260 编号：C3277753

封装：DFN-6(2x2)

将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS(ON)。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。

5+
￥1.848
50+
￥1.465
150+
￥1.3008
500+
￥1.096

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:30A

型号：AON6558 编号：C3288312

封装：DFN-8(5x6)

最新沟槽功率AlphaMOS（aMOS LV）技术在4.5V栅源电压（VGS）下具备极低的导通电阻RDS(ON)

5+
￥2.4056
50+
￥1.9189
150+
￥1.7103
500+
￥1.45

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:3.8A

型号：AOD450 编号：C485682

封装：TO-252

N沟道,200V,3.8A,0.7Ω@10V

数据手册

1+
￥2.66 ￥4.75
10+
￥2.1672 ￥3.87
30+
￥1.9208 ￥3.43
100+
￥1.68 ￥3
500+
￥1.5344 ￥2.74
1000+
￥1.456 ￥2.6

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:3.8A

型号：AO3418 编号：C21713

封装：SOT-23

N沟道,30V,3.8A,55mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.3444
50+
￥0.3332
150+
￥0.3257
500+
￥0.3182

有货

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超低电容TVS二极管 ESD 5.5V截止峰值脉冲电流：4A@8/20us

型号：AOZ8904CIL 编号：C2649893

封装：SOT-23-6

AOZ8904CIL是一款瞬态电压抑制器阵列，旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）和雷击影响。

数据手册

5+
￥0.6716
50+
￥0.5144
150+
￥0.4358
500+
￥0.3769
3000+
￥0.3297

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：AO3434A 编号：C43220

封装：SOT-23

N沟道,30V,4A,52mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.6889
50+
￥0.5449
150+
￥0.4729
500+
￥0.4189

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:24A

型号：AON6380 编号：C541723

封装：DFN-8(5x6)

Trench Power AlphaMOS (aMOS LV) 技术。低导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。高电流能力。符合 RoHS 和无卤标准

数据手册

5+
￥1.304
50+
￥1.0194
150+
￥0.8974
500+
￥0.7452

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:6A

型号：AON7810 编号：C81609

封装：DFN-8(3x3)

MOSFET2N-CH30V6ADFN3X3EP

5+
￥2.2343
50+
￥1.8059
150+
￥1.6223
500+
￥1.3932
2500+
￥1.1352
5000+
￥1.074

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:10A

型号：AON5820 编号：C115839

封装：DFN-6-EP(4.5x2)

双N沟 20V 10A

数据手册

单价：
￥2.32 / 个

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：AO4406A 编号：C3279852

封装：SOIC-8

AO4406A采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$。该器件适用于开关电源（SMPS）中的高端开关及通用应用。

1+
￥2.58
10+
￥2.05
30+
￥1.82
100+
￥1.53
500+
￥1.41
1000+
￥1.33

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：AO4292E 编号：C176743

封装：SOIC-8

Trench Power MV MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行了优化。ESD保护。符合RoHS和无卤标准

数据手册

1+
￥2.76
10+
￥2.19
30+
￥1.95
100+
￥1.65
500+
￥1.28
1000+
￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:200A

型号：AOT470 编号：C42279

封装：TO-220

N沟道,75V,100A,10.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.79
10+
￥3.89
50+
￥3.44
100+
￥2.99
500+
￥2.72
1000+
￥2.58

有货

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AONS62604 N-Channel 60V

型号：AONS62604 编号：C541712

封装：DFN-8(5x6)

1+
￥5.27
10+
￥4.27
30+
￥3.77
100+
￥3.28
500+
￥2.99
1000+
￥2.83

有货

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2个N沟道耐压:40V

型号：AON6884 编号：C125872

封装：DFN-8(5x6)

数据手册

1+
￥5.29
10+
￥4.29
30+
￥3.79
100+
￥3.3

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.3A

型号：AO3481C 编号：C541721

封装：SOT-23-3

沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS标准且无卤

数据手册

10+
￥0.4223
100+
￥0.3368
300+
￥0.294

有货

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品类不断扩充中
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科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

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物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

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