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首页 > 热门关键词 > AOS模拟芯片
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采用先进的沟槽MOSFET技术,封装尺寸为DFN 1.0 x 0.6,适用于负载开关应用。
  • 10+

    ¥0.5283
  • 100+

    ¥0.4323
  • 300+

    ¥0.3843
  • 1000+

    ¥0.3483
  • 5000+

    ¥0.2788
  • 有货
  • N沟道,30V,4A,52mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7574
    • 50+

      ¥0.6134
    • 150+

      ¥0.5414
    • 500+

      ¥0.4874
    • 3000+

      ¥0.4442
  • 有货
    • 1+

      ¥1.73
    • 10+

      ¥1.5
    • 30+

      ¥1.4
    • 100+

      ¥1.27
    • 500+

      ¥1.22
    • 1000+

      ¥1.18
  • 有货
    • 5+

      ¥1.9072
    • 50+

      ¥1.514
    • 150+

      ¥1.3456
    • 500+

      ¥1.1353
    • 2500+

      ¥1.0417
    • 5000+

      ¥0.9856
  • 有货
  • N沟道,40V,35A,15mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.236
    • 50+

      ¥1.7824
    • 150+

      ¥1.588
    • 500+

      ¥1.3455
  • 有货
  • AO4406A采用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷的情况下实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$。该器件适用于开关电源(SMPS)中的高端开关及通用应用。
    • 5+

      ¥2.5069
    • 50+

      ¥2.0117
    • 150+

      ¥1.7995
    • 500+

      ¥1.5347
  • 有货
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.13
    • 30+

      ¥2.77
    • 100+

      ¥2.42
    • 500+

      ¥2.21
    • 1000+

      ¥2.1
  • 有货
    • 1+

      ¥6.26
    • 10+

      ¥5.14
    • 30+

      ¥4.58
    • 100+

      ¥4.02
    • 500+

      ¥3.69
  • 有货
  • 专有αMOS5技术。 低导通电阻RDS(ON)。 优化开关参数,实现更好的电磁性能。 增强体二极管,具备高耐用性和快速反向恢复能力
    数据手册
    • 1+

      ¥7.96
    • 10+

      ¥6.51
    • 50+

      ¥5.72
    • 100+

      ¥4.83
    • 500+

      ¥4.43
    • 1000+

      ¥4.25
  • 有货
    • 1+

      ¥21.41
    • 10+

      ¥18.46
    • 30+

      ¥16.71
    • 100+

      ¥14.94
    • 500+

      ¥14.12
    • 1000+

      ¥13.75
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。两个MOSFET组成紧凑高效的开关和同步整流器组合,用于降压转换器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2707
    • 50+

      ¥0.9863
    • 150+

      ¥0.8644
    • 500+

      ¥0.7123
    • 3000+

      ¥0.6446
  • 有货
    • 5+

      ¥2.1945
    • 50+

      ¥1.7661
    • 150+

      ¥1.5825
    • 500+

      ¥1.3534
  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2594
    • 50+

      ¥1.8415
    • 150+

      ¥1.6624
    • 500+

      ¥1.4389
  • 有货
  • P沟道,-60V,-4A,100mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.64
    • 10+

      ¥2.13
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.64
    • 500+

      ¥1.52
    • 1000+

      ¥1.45
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低栅极电阻。非常适合用作CPU核心电源转换中的低端开关。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.06
    • 10+

      ¥2.7
    • 30+

      ¥2.51
    • 100+

      ¥2.33
    • 500+

      ¥2.22
    • 1000+

      ¥2.17
  • 有货
    • 1+

      ¥3.09
    • 10+

      ¥2.72
    • 30+

      ¥2.53
    • 100+

      ¥2.35
    • 500+

      ¥2.24
    • 1000+

      ¥2.18
  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 1+

      ¥4.46
    • 10+

      ¥3.67
    • 30+

      ¥3.27
    • 100+

      ¥2.87
    • 500+

      ¥2.64
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
  • AOZ2261AQI-15 是一款高效率、易于使用的同步降压调节器,输入电压范围为4V至28V,可提供8A连续输出电流,输出电压可调低至0.8V。采用恒定导通时间PWM控制,具有快速瞬态响应和相对恒定的开关频率。具备多种保护功能,包括欠压锁定、逐周期限流、过压保护、短路保护和热关断。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.09
    • 10+

      ¥4.96
    • 30+

      ¥4.4
    • 100+

      ¥3.85
    • 500+

      ¥3.51
    • 1000+

      ¥3.34
  • 有货
    • 1+

      ¥6.15
    • 10+

      ¥5.07
    • 30+

      ¥4.53
    • 100+

      ¥3.99
    • 500+

      ¥3.67
    • 1000+

      ¥3.5
  • 有货
  • MOSFET2N-CH30V6ADFN3X3EP
    • 5+

      ¥1.4805
    • 50+

      ¥1.302
    • 150+

      ¥1.2255
    • 500+

      ¥1.13
    • 2500+

      ¥0.9315
    • 5000+

      ¥0.906
  • 有货
    • 5+

      ¥1.5146
    • 50+

      ¥1.2374
    • 150+

      ¥1.1186
    • 500+

      ¥0.9704
  • 有货
  • N沟道,30V,13A,11.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.07
    • 10+

      ¥1.82
    • 30+

      ¥1.71
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.52
    • 1000+

      ¥1.28
  • 有货
  • 最新沟槽功率AlphaMOS(aMOS LV)技术 在4.5V栅源电压(VGS)下具备极低的导通电阻RDS(ON)
    • 5+

      ¥2.4778
    • 50+

      ¥1.991
    • 150+

      ¥1.7824
    • 500+

      ¥1.5222
  • 有货
    • 1+

      ¥2.67
    • 10+

      ¥2.11
    • 30+

      ¥1.86
    • 100+

      ¥1.56
    • 500+

      ¥1.3
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
    • 1+

      ¥4.07
    • 10+

      ¥3.33
    • 30+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.6
    • 500+

      ¥2.38
    • 1000+

      ¥2.26
  • 有货
  • 最新的沟槽功率AlphaMOS (aMOS MV) 技术。极低的导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行了优化。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 1+

      ¥5.36
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥4.15
    • 100+

      ¥3.74
    • 500+

      ¥3.5
  • 有货
  • N沟道,30V,3.8A,55mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9046
    • 50+

      ¥0.7198
    • 150+

      ¥0.6274
    • 500+

      ¥0.5581
  • 有货
    • 5+

      ¥1.0549
    • 50+

      ¥0.8432
    • 150+

      ¥0.7525
    • 500+

      ¥0.6393
    • 2500+

      ¥0.5889
  • 有货
  • AOz8808是一款瞬态电压抑制器阵列,旨在保护HDMI 1.4/2.0、USB 3.0、MDDI、SATA和千兆以太网等高速数据线免受静电放电(ESD)事件的损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1719
    • 50+

      ¥0.9326
    • 150+

      ¥0.83
    • 500+

      ¥0.702
    • 3000+

      ¥0.645
  • 有货
  • N沟 30V 8.5A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3261
    • 50+

      ¥1.0515
    • 150+

      ¥0.9338
    • 500+

      ¥0.787
    • 3000+

      ¥0.7216
  • 有货
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