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封装：QFN-20(4x4)

MP4316 是一款频率可配置的同步降压开关转换器，集成了内部高端和低端功率 MOSFET（分别为 HS-FET 和 LS-FET）。它采用电流控制模式实现快速环路响应，可提供高达 6A 的高效连续输出电流（IOUT）。3.3V 至 45V 的宽输入电压（VIN）范围适用于汽车输入环境中的各种降压应用。该器件 1.7μA 的关断电流（ISD）使其非常适合电池供电应用。MP4316 在整个负载范围内均具有较高的功率转换效率。先进异步调制（AAM）模式通过降低开关频率（fSW）来减少开关和栅极驱动损耗，从而在轻载条件下实现高效率。漏极开路电源正常（PG）信号指示输出电压是否在其标称电压的 95%至 105%之间。高占空比和低压差（LDO）模式使该器件能够承受汽车冷启动条件。全面的保护功能包括频率折返（防止启动期间电感电流（IL）失控）、带打嗝模式的过流保护（OCP）以及热关断功能，确保可靠的容错运行。MP4316 采用 QFN - 20（4mmx4mm）封装。

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￥29.5749
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￥26.4945
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型号：VNQ5160K-E 编号：C1556602

封装：PowerSSO-24

品牌：ST(意法半导体)

用于驱动一侧接地的电阻性或电感性负载。有源VCC引脚电压钳位可保护设备免受低能量尖峰的影响。在STAT_DIS悬空或驱动为低电平时，设备可在导通和关断状态下检测到开路负载情况。在关断状态下可检测到输出短路到VCC的情况。当STAT_DIS驱动为高电平时，STATUS引脚处于高阻抗状态。输出电流限制可在过载情况下保护设备。在长时间过载的情况下，设备会将耗散功率限制在安全水平，直至热关断介入。具有自动重启功能的热关断可使设备在故障条件消失后立即恢复正常运行。

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￥33.495 ￥44.66
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￥23.955 ￥31.94

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型号：LTC4359IDCB#TRMPBF 编号：C580869

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

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￥22.08 ￥24
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￥20.2308 ￥21.99

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型号：LTC4359HS8#PBF 编号：C1523986

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4359是一款正高压理想二极管控制器，可驱动外部N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。它控制MOSFET两端的正向压降，确保即使在轻负载情况下也能平稳输送电流且无振荡。若电源出现故障或短路，快速关断功能可将反向电流瞬变降至最低

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￥62.28
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￥42.7084 ￥43.58

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型号：LTC4357MPMS8#PBF 编号：C580865

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：ETA6027S2F 编号：C7465537

封装：SOT23-5

品牌：ETA(钰泰)

ETA6027是一款负载开关，可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。ETA6027提供一个70mΩ的限流开关，可在2.1 - 6V的输入电压范围内工作。

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型号：TPM1869C6 编号：C5246383

封装：SOT-363-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话

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型号：LPW5213B6F 编号：C517134

封装：SOT-23-6

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPW5213 是一款用于自供电和总线供电通用串行总线应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的 N 沟道 MOSFET，以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流（30μA）和小封装（SOT23 - 6）特别适用于电池供电的便携式设备

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型号：LP5312B6F 编号：C47345743

封装：SOT-23-6

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

是一种功率开关设备，可为可能遇到大电流和输入过压情况的系统和负载提供多重保护。该设备包含一个270mΩ的MOSFET，可在3.0V至36V的输入电压范围内工作。当VIN上的电压高于过压阈值时，OVP将断开VIN和VOUT。当电流达到阈值时，设备将关闭功率FET，以防止过大电流造成损坏。集成了热关断保护，当温度高于阈值时，将关闭MPSFET，以防止部件损坏。该产品采用节省空间的SOT23-6和DFN-8封装。

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￥0.8523
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型号：TP6033ELX 编号：C5364042

封装：SOT23-5

品牌：晶扬电子

TP6033ELX是一款高性价比、低电压的单PMOSFET负载开关，专为自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用而优化。该开关的输入电压范围为2.5V至5.5V，非常适合3V和5V系统。该开关的低导通电阻RDS(ON)为60mΩ，满足USB压降要求

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型号：AP22966DC8-7 编号：C441830

封装：VDFN3020-14

品牌：DIODES(美台)

AP22966 是一款集成式双 N 沟道负载开关，其特点是具有可调节的转换速率，每个通道可通过外部电容独立设置该速率。N 沟道 MOSFET 的典型导通电阻（RON）为 18mΩ，可处理高达 6A 的电流。两个通道均可通过低电压逻辑信号独立控制

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￥1.275776 ￥1.9934
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型号：AP2182AFGEG-7 编号：C2150009

封装：DFN3030-8-EP

品牌：DIODES(美台)

DIODES AP2182A和DIODES AP2192A是双通道、限流、集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准，使能输入有两种极性可选。这些器件具有快速短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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型号：AP2151AFM-7 编号：C460655

封装：UDFN2018-6

品牌：DIODES(美台)

AP2151A 是一款集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）及其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合 USB 2.0 标准，具备高电平有效使能输入。它们提供电流和热限制、短路保护，以及受控上升时间和欠压锁定功能

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￥1.6717 ￥2.29
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型号：WS3222D-8/TR 编号：C239703

封装：WDFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3222是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压

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型号：AP2171DMPG-13 编号：C674407

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2161D和AP2171D是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能

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￥2.2758
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型号：FPF1504BUCX 编号：C463485

封装：WLCSP-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

FPF1504/FPF1504L 是 IntelliMAX 系列的低导通电阻（RDS）P 沟道 MOSFET 负载开关。集成的压摆率控制功能可防止电源轨在面对电源应用中常见的容性负载时产生过大的浪涌电流。此外，FPF1504/FPF1504L 具备输出放电能力

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型号：RT9742SNGV 编号：C3235509

封装：SOT-23-3

品牌：RICHTEK(立锜)

RT9742 是一款高性价比、低电压、适用于 USB 应用的单 N 沟道 MOSFET 高端电源开关 IC。该 IC 实现了低导通电阻和低电源电流。RT9742 集成了过流保护电路、短路折返电路、热关断电路和欠压锁定电路，提供全面保护

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￥3.07
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型号：MP5075GTF-Z 编号：C3235553

封装：SOT-563

品牌：MPS(芯源)

MP5075 在 3V 至 5.5V 的电压范围内可提供高达 2.4A 的负载保护，其导通电阻（RDS(ON)）较小，采用节省空间的封装。MP5075 是笔记本电脑、平板电脑及其他便携式和电池供电应用的高效且节省空间的解决方案。MP5075 具备固定软启动功能，可防止电路启动时产生浪涌电流

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￥3.7686
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￥2.212

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型号：SL3405S 编号：C2936074

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

该器件能够切换各类阻性、感性和容性负载，受 EAS 和最大电流能力限制。SL3405 为每个 IN 引脚相对于相应源极引脚提供静电放电（ESD）保护。

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￥4.352 ￥5.44
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￥3.52 ￥4.4
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￥3.104 ￥3.88
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￥2.696 ￥3.37
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￥2.32 ￥2.9

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型号：SL4250H 编号：C7496596

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

高耐压高边开关反向截止电压(Vrwm)：36V 最大钳位电压：44.2V Ipp=25.9A 双向

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￥4.528 ￥5.66
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￥2.416 ￥3.02

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型号：BTS5090-1EJA 编号：C534811

封装：DSO-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5090 - 1EJA是一款导通电阻为90 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 8 - 43 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术制造

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￥4.66
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￥4.1
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￥3.78
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￥3.43
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￥3.28

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型号：ZXMS6004DT8TA 编号：C460127

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6004DT8 是一款双路自保护低端 MOSFET，具备逻辑电平输入功能。它每个通道都独立集成了过温、过流、过压（有源钳位）和 ESD 保护的逻辑电平功能。ZXMS6004DT8 非常适合用作由 3 驱动的通用开关

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￥5.18
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￥3.88
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￥2.98
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￥2.9

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型号：VNLD5300TR-E 编号：C123317

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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￥6.04
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￥4.96
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￥4.37
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￥3.71

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型号：ZXMS6005SGTA 编号：C174042

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6005SG是一款具有逻辑电平输入的自保护低端IntelliFETTM MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平功能。ZXMS6005SG非常适合作为由3驱动的通用开关

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型号：SIP32411DR-T1-GE3 编号：C727484

封装：SC-70-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32411是一款压摆率可控的负载开关，设计用于1.1 V至5.5 V的工作电压。该器件可确保在1.2 V输入时具有较低的导通电阻。它的典型软启动压摆率为150 μs，能限制容性负载或对噪声敏感的负载设计中的浪涌电流

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型号：BTT6100-2ERA 编号：C534872

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6100 - 2ERA是一款导通电阻为100 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

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￥9.54
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￥8.43

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型号：BTS3046SDRATMA1 编号：C2680440

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道低侧MOSFET功率开关，采用PG-TO252-3-11封装，具备嵌入式保护功能。与N沟道垂直功率FET和嵌入式保护功能进行了单片集成。通过了汽车认证，可用于12V和24V的汽车和工业应用。能够切换各种电阻性、电感性和电容性负载，受限于EAS和最大电流能力

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型号：SIP32419DN-T1-GE4 编号：C3210743

封装：DFN-10(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

负载开关集成了多种控制功能，简化了设计，提高了与开关相连电路的可靠性。是 56mΩ 开关，设计用于 6V 至 28V 范围。内部产生的栅极驱动电压确保在输入电压工作范围内具有良好的 RON 线性度。具有可编程软启动、可编程电流限制、过温保护等功能。当 VOUT 达到 VIN 的 90% 时，电源正常。热关断和过流保护时故障标志亮起。具有欠压锁定、自动重试（SiP32429）和锁断（SiP32419）版本。采用节省空间的 DFN10 3mm x 3mm 封装。