TI功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TD9521B 编号：C2935203

封装：SOT-23-5

品牌：Techcode(泰德)

USB限流保护内阻32毫欧

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型号：SIP32508DT-T1-GE3 编号：C139515

封装：TSOT-23-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32508和SiP32509是压摆率可控的负载开关，设计用于1.1 V至5.5 V的工作电压。开关元件为n沟道器件，在较宽的输入范围内，典型导通电阻（Rₒₙ）低至44 mΩ。

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型号：MAX40200ANS+T-HXY 编号：C51912454

封装：CSP-4(0.8x0.8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该负载开关是一款集成的功率电子开关，适用于1.5V至5.5V的宽电压范围应用。其导通电阻低至32mΩ，可有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。器件支持最大2A的连续电流输出，具备良好的负载驱动能力。内置的控制逻辑支持软启动功能，可有效抑制上电过程中的浪涌电流。该器件常用于便携式设备、计算模块和通信电路中，实现对电源域的精确上电管理和负载切换控制，有助于优化系统功耗和电源完整性。

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￥1.4725 ￥1.55

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型号：HX27324-S 编号：C19186066

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX37324-S/HX27324-S是一款功率开关驱动器。它具备匹配的上升和下降时间，用于对功率开关的栅极进行充电和放电。在额定功率和电压范围内的任何条件下，HX37324-S/HX27324-S都具有高抗闩锁能力

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型号：KP41282SGA 编号：C2692175

封装：SOP-8

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

反激拓扑副边同步整流功率开关，支持 High Side 和 Low Side 配置，支持断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。内置 VDD 高压供电模块，无需 VDD 辅助绕组供电。VDD 双供电方式，降低供电损耗。精准的 SR MOSFET 关断控制

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型号：AP22652AW6-7 编号：C5329413

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A和AP22653A是单通道、精度可调、带限流功能的开关，针对需要精确限流的应用进行了优化，或可在重载/短路期间提供高达2.1A的连续负载电流。这些器件可通过一个外部电阻将限流阈值设置在125mA至2665mA（典型值）之间。在高限流设置下，限流精度可达±10%

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型号：BTS3800SL 编号：C534771

封装：SCT-595

品牌：Infineon(英飞凌)

是采用PG-SCT595封装的单通道低侧功率开关，具有嵌入式保护功能。该器件与N沟道功率MOSFET和额外的保护功能进行了单片集成。特别设计用于汽车和工业应用中的受保护继电器驱动器。能够切换各种电阻性、感性和容性负载，受EAS和最大电流能力限制。在IN引脚提供相对于源引脚（地）的ESD保护。过温保护可防止设备因过载和/或散热条件不佳而过热，温度信息由单片集成在功率级中的温度传感器提供。具有热锁存功能，即使测量温度降至热滞后以下，设备也会关闭并保持关闭状态。冷却后，可通过切换IN引脚再次开启设备。在负载突降或感性关断条件下，过压保护会启动，此时功率级会将漏源电压限制在VDS(AZ)并耗散能量。

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型号：NCP380HSN05AAT1G 编号：C424485

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NJW4822KH1-B-TE3 编号：C31651952

封装：-

品牌：Nisshinbo

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型号：HCOS4426SR 编号：C22449574

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款栅极驱动集成电路，工作电压覆盖4.5V至25V宽范围，具备2A峰值输出电流能力，确保高效驱动能力。支持-5V最大输入负压，增强了电路灵活性与可靠性，是高性能电子开关控制应用的理想解决方案。

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￥2.6404 ￥2.87
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型号：AP2280-1WG-7 编号：C128637

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

AP2280压摆率控制型负载开关是一款单P沟道MOSFET功率开关，专为高端负载切换或配电应用而设计。该MOSFET在5V电压下的典型导通电阻RDS(ON)为80mΩ，可在低正向压降的情况下提高负载电流处理能力。该器件的导通压摆率由内部控制，以降低导通浪涌电流

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型号：SGM2588CYN5G/TR 编号：C699909

封装：SOT-23-5

品牌：SGMICRO(圣邦微)

该开关工作在 2.5V 至 5.5V 的宽电源电压范围内，由 EN 引脚控制，可用于 USB 电源分配应用。集成了一个 100mΩ 的低导通电阻 N-MOSFET。小尺寸和静态电流使该器件非常适合空间有限的电池供电应用。该器件提供了许多保护功能，包括软启动、电流限制和热关断

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￥2.93
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型号：STMPS2252MTR 编号：C2680426

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

增强型双通道电源开关

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型号：NCP45540IMNTWG-H 编号：C154609

封装：DFN-12(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP45540 负载开关提供的方案可减少组件数量和面积，通过软启动使用涌入电流限值实现高效的功率域切换。除了集成的控制功能和超低导通电阻之外，该器件还通过故障保护和电源正常信号提供了附加的系统保护和监控。此经济高效的方案适用于需要小占位和低功耗的功率管理和热插拔应用。

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￥5.18
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型号：SGM2523AXN6G/TR 编号：C5153396

封装：SOT-23-6

品牌：SGMICRO(圣邦微)

是一款具有全套保护功能的紧凑型电子保险丝（eFuse）。宽工作电压范围专为许多流行的直流总线而设计。提供±10%的电流限制精度，适用于广泛的系统保护应用。可编程软启动时间可在加电过程中控制输出电压的转换速率。可保护输入免受来自输出的意外短路和瞬态影响。采用绿色SOT-23-6封装，工作温度范围为-40°C至+125°C。

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型号：BTS7120-2EPA 编号：C534845

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7120 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：LNK3206G-TL 编号：C567604

封装：SMD-7P

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LinkSwitch™-TN2 系列非隔离离线式电源 IC 与传统线性或阻容降压解决方案相比，性能显著提升。采用高度集成的 LinkSwitch-TN2 IC 的设计更具灵活性，具备更高的效率、全面的系统级保护和更高的可靠性。该器件系列支持降压、升降压和反激式转换器拓扑。每个器件在单片 IC 上集成了一个 725 V 功率 MOSFET、振荡器、用于轻载时实现最高效率的开/关控制、用于自偏置的高压开关电流源、频率抖动、快速（逐周期）电流限制、迟滞热关断以及输出和输入过压保护电路。LinkSwitch-TN2 IC 在待机状态下消耗的电流非常小，使得电源设计能够满足全球所有无负载和待机规范。可以通过旁路引脚电容值选择 MOSFET 电流限制模式。高电流限制水平可提供最大连续输出电流，而低电流限制水平则允许使用非常低成本的小型表面贴装电感器。全套保护功能可实现安全可靠的电源，保护器件和系统免受输入和输出过压故障、器件过热故障、调节失控以及电源输出过载或短路故障的影响。该器件系列提供三种不同的封装形式：PDIP-8C、SO-8C 和 SMD-8C。

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￥6.1
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型号：MIC2019A-1YM6-TR 编号：C625671

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC20XX系列开关是限流型高端功率开关，专为数字电视（DTV）、打印机、机顶盒（STB）、个人电脑（PC）、个人数字助理（PDA）及其他外围设备中的通用配电和控制而设计。MIC20XX系列的主要功能是限流和功率切换。它们具备热保护功能，当内部温度达到不安全水平时会自动关闭，从而在大电流或故障情况下保护器件和负载

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型号：NX5P3090UKZ 编号：C3215603

封装：WLCSP-12(1.65x1.35)

品牌：NXP(恩智浦)

NX5P3090是一款用于USB PD应用的精密可调限流电源开关。该器件包含欠压锁定、过温保护和反向电流保护电路，在发生故障时可自动隔离开关端子。VBUS引脚29V的耐压能力确保该器件能够在USB PD端口上工作；电流限制输入（ILIM）引脚用于定义过流限制阈值；开漏故障输出（FAULT）用于指示故障发生情况

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￥8.65
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￥4.4847 ￥4.53

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型号：DML3009LDC-7 编号：C2150130

封装：DFN-12(3x3)

品牌：DIODES(美台)

DML3009LDC负载开关为高效电源域切换提供了一种节省元件和空间的解决方案，通过软启动实现浪涌电流限制。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，该器件还通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种高性价比的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用

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￥8.793 ￥9.77
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￥4.375 ￥6.25
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￥3.927 ￥5.61

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型号：BTS3110N 编号：C2680427

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 技术，通过嵌入式保护功能实现全面保护。

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￥8.95
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￥7.42
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￥6.58
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型号：VNQ7050AJTR 编号：C454179

封装：PowerSSO-16

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的四通道HSD

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￥6.91

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型号：BTS5030-1EJA 编号：C2990798

封装：DSO-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5030 - 1EJA是一款导通电阻为30 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 8 - 43 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。此器件采用Smart6技术集成

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￥8.37
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￥6.62

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型号：BTS462TATMA1 编号：C3232325

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N通道垂直功率FET，带有电荷泵，地参考型CMOS兼容输入。采用Smart SIPMOS技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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￥10.69
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￥9.42

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型号：BSP772TXUMA1 编号：C2680320

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，具有接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

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￥13.28
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￥11.72
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￥10.13

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型号：BTS723GW 编号：C67625

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌智能高边开关

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单价：
￥9.416 / 个

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型号：L4978D013TR 编号：C424083

封装：SO-16-300mil

品牌：ST(意法半导体)

L4978是一款降压型单片式功率开关稳压器，可在3.3V至50V（通过简单的外部分压器选择）的电压下提供2A电流。该器件采用BCD混合技术实现，使用内部功率D - MOS晶体管（典型导通电阻Rdson为0.25Ω），以实现极高的效率和高开关速度。可实现高达300KHz的开关频率（必须注意封装的最大功耗）

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￥16.69
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￥14.81
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型号：VNP20N07-E 编号：C501116

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET：全自动保护功率MOSFET

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￥21.61
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￥16.45
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￥14.51

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型号：LTC4357CMS8#PBF 编号：C107961

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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￥29.43
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￥25.19
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型号：VN808TR-E 编号：C133493

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

VN808 - E是一款采用VIPower M0 - 3技术实现的单片器件，旨在驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合，可保护器件免受过载影响。在过载条件下，通道会自动关断并再次开启，以使结温保持在TTSD和TR之间

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￥30.07
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￥25.59
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