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  • RT9742 是一款高性价比、低电压、适用于 USB 应用的单 N 沟道 MOSFET 高端电源开关 IC。该 IC 实现了低导通电阻和低电源电流。RT9742 集成了过流保护电路、短路折返电路、热关断电路和欠压锁定电路,提供全面保护
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  • NCP380是一款高端功率分配开关,专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ(DFN封装)的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时,该器件会切换到恒流调节模式,将输出电流限制在所需水平
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  • AP2146和AP2156是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入具备两种极性可选。
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  • AP2141和AP2151是集成式高端功率开关,针对通用串行总线(USB)和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准,使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能,以及可控上升时间和欠压锁定功能
    数据手册
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  • NCP333 是由外部逻辑引脚控制的低导通电阻(Ron)MOSFET,可优化电池续航时间和便携式设备的自主性。实际上,得益于采用 PMOS 结构优化了电流消耗,当未使用时,通过隔离电池上连接的 IC,可消除泄漏电流。
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  • AP2142和AP2152是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入具有两种极性可选。
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  • 应用:电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话
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  • BD2220G和BD2221G是低导通电阻N沟道MOSFET高端功率开关,专为通用串行总线(USB)应用进行了优化。BD2220G和BD2221G具备过流检测、热关断、欠压锁定和软启动功能。
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  • KP4051XSG是一款高性能副边同步整流功率开关,可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。 KP4051XSG支持High Side和Low Side配置,且内置有VDD高压供电模块,无需辅助绕组供电,降低了系统成本。 KP4051XSG具有快速关断功能,支持断续工作模式 (DCM)、准谐振工作模式 (QR) 及连续工作模式 (CCM)。
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  • FPF1203 / 03L / 04 / 45 是超小型集成式 IntelliMAX™ 负载开关,具备集成 P 沟道开关和模拟控制功能。集成的压摆率控制可防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上出现过大压降。输入电压范围为 1.2 V 至 5.5 V,可为便携式和消费类产品中经过后级稳压的电源轨提供电源断开功能
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  • SiP32401A和SiP32402A是压摆率可控的负载开关,适用于1.1V至5.5V的工作电压。这些器件可确保在1.2V输入时具有较低的导通电阻。它们具有典型值为2.5ms的可控软启动压摆率,可限制大容性负载设计中的浪涌电流,并将电源轨上产生的电压降降至最低
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  • AP2146和AP2156是集成式高端功率开关,针对通用串行总线(USB)和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准,使能输入具备两种极性可选。它们提供电流和热限制以及短路保护,还有可控的上升时间和欠压锁定功能。漏极开路标志输出端具备7ms的消抖能力,可防止误报过流,且无需任何外部元件。所有器件均提供SO - 8和MSOP - 8EP封装。
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  • 集成式负载开关,Vdrop=0.2V@Vin=5V,IL=2.8A
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  • 有货
  • AP2146和AP2156是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入具备两种极性可选。
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  • 过压保护交流开关
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  • OMNIFET III全保护下桥臂驱动器
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  • 是一款智能高端功率开关,提供保护功能和诊断。
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      ¥3.56
  • 有货
  • Si1869DH 在单个 SC70 - 6 封装中集成了一个 p 沟道和一个 n 沟道 MOSFET。低导通电阻的 p 沟道 TrenchFET 专门用作负载开关。n 沟道与一个外部电阻配合,可用作电平转换器来驱动 p 沟道负载开关
    数据手册
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      ¥3.97
  • 有货
  • MP5035是一款保护器件,旨在保护输出端电路免受输入端瞬态影响。它还能保护输入端免受输出端短路和瞬态影响。启动期间,输出端的压摆率会限制浪涌电流
    • 1+

      ¥5.6528
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      ¥5.5709
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      ¥4.2601
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      ¥3.6047
  • 有货
  • OMNIFET III全保护下桥臂驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.89
    • 10+

      ¥4.72
    • 30+

      ¥4.14
    • 100+

      ¥3.56
  • 有货
  • 具有MultiSense模拟反馈的四通道高边驱动器,可用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥6.83
    • 10+

      ¥6.12
    • 30+

      ¥5.74
    • 100+

      ¥5.3
  • 有货
  • NCV84160是一款具备全面保护功能的单通道高端驱动器,可用于切换多种负载,如灯泡、螺线管和其他执行器。该器件集成了先进的保护功能,如主动浪涌电流管理、带自动重启功能的过温关断以及过压主动钳位。一个专用的电流检测引脚可对输出进行精确的模拟电流监测,同时还能指示到VD短路、接地短路以及导通和关断状态下的开路负载故障
    数据手册
    • 1+

      ¥6.9952 ¥10.93
    • 10+

      ¥5.3676 ¥9.94
    • 30+

      ¥4.1052 ¥9.33
    • 100+

      ¥3.828 ¥8.7
    • 500+

      ¥3.7048 ¥8.42
    • 1000+

      ¥3.6476 ¥8.29
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器,用于24V汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥12.15
    • 10+

      ¥10.19
    • 30+

      ¥8.96
    • 100+

      ¥7.71
  • 有货
  • 特性:四通道设备。 极低的待机电流。 3.3V和5V兼容逻辑输入。 优化的电磁兼容性。 极低的电磁敏感性。 成比例的负载电流检测。应用:适用于电阻性、电感性和电容性负载。 替代机电继电器、保险丝和分立电路
    • 1+

      ¥18
    • 10+

      ¥15.29
    • 30+

      ¥13.6
    • 100+

      ¥11.87
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥21.05
    • 10+

      ¥17.6
    • 30+

      ¥15.55
    • 100+

      ¥13.47
  • 有货
  • LTC 4412HV 控制一个外部 P 沟道 MOSFET,以实现近乎理想的二极管功能,用于电源切换或负载共享。这使得多个电源能够高效“或”操作,从而延长电池使用寿命并降低自身发热。导通时,MOSFET 两端的压降通常为 20mV
    • 1+

      ¥27.7
    • 10+

      ¥23.78
    • 30+

      ¥20.14
    • 100+

      ¥17.4342 ¥17.79
    • 500+

      ¥16.3758 ¥16.71
    • 1000+

      ¥15.8956 ¥16.22
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈,采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.61
    • 10+

      ¥28.56
    • 30+

      ¥25.57
    • 100+

      ¥22.54
  • 有货
  • TP600X是一款低压单P沟道MOSFET高端功率开关,针对自供电和总线供电的通用串行总线(USB)应用进行了优化。TP600X配备了电荷泵电路,用于驱动内部MOSFET开关;该开关的低导通电阻RDS(ON)为80mΩ,满足USB压降要求;还有一个标志输出,可向本地USB控制器指示故障状态。其他特性包括:软启动功能,用于限制插拔时的浪涌电流;热关断功能,防止大电流负载导致开关出现灾难性故障;欠压锁定(UVLO)功能,确保在没有有效输入电压时,器件保持关断状态
    数据手册
    • 5+

      ¥0.577505 ¥0.6079
    • 50+

      ¥0.505305 ¥0.5319
    • 150+

      ¥0.469205 ¥0.4939
    • 500+

      ¥0.44213 ¥0.4654
    • 3000+

      ¥0.42047 ¥0.4426
    • 6000+

      ¥0.40964 ¥0.4312
  • 有货
  • LPW5206是一款用于自供电和总线供电通用串行总线(USB)应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的N沟道MOSFET,以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流(16μA)和小封装(SOT23 - 5)特别适用于电池供电的便携式设备
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6202
    • 50+

      ¥0.4834
    • 150+

      ¥0.415
    • 500+

      ¥0.3637
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