TI功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：VND5T050AKTR-E 编号：C2969827

封装：BSOP-24-Power

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于24V汽车应用

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1+
￥19.88
10+
￥18.83
30+
￥18.21
100+
￥17.58

有货

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型号：BTS70021EPPXUMA1 编号：C2680407

封装：TSSOP-14-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款智能高端功率开关，提供保护功能和诊断。

1+
￥20.13
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￥17.22
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￥15.49

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型号：L9825TR 编号：C2680330

封装：SOIC-20-EP-11mm

品牌：ST(意法半导体)

用于电阻和电感负载的八通道低侧驱动器，具有串行/并行输入控制、输出保护和诊断

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1+
￥26.19
10+
￥22.67
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￥20.58

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型号：LTC4357HMS8#TRPBF 编号：C688221

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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1+
￥30.89
10+
￥26.38
30+
￥23.7
100+
￥20.99

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型号：LTC4359HMS8#PBF 编号：C580868

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

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1+
￥33.39
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￥28.55
50+
￥25.66

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型号：LTC4413EDD#TRPBF 编号：C580898

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 理想二极管

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1+
￥34.34
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￥29.39
30+
￥26.37
100+
￥23.3632 ￥23.84

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型号：LTC4416EMS-1#PBF 编号：C688495

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4416/LTC4416 - 1可控制两组外部P沟道MOSFET，为电源切换电路构建两个近乎理想的二极管功能。这使得多个电源能高效“或”操作，从而延长电池寿命并降低自身发热。导通时，MOSFET两端的压降通常为25mV

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1+
￥44.1408 ￥50.16
10+
￥38.0512 ￥43.24
50+
￥34.3464 ￥39.03
100+
￥31.2312 ￥35.49

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型号：ISO1H811G 编号：C538440

封装：DSO-36

品牌：Infineon(英飞凌)

ISO1H811G是一款采用PG-DSO-36封装的电气隔离式8位数据接口，提供8个完全受保护的高端功率开关，能够处理高达625 mA的电流。一个8位并行微控制器（μc）兼容接口允许将该集成电路（IC）直接连接到微控制器系统。输入接口还支持直接控制模式，并且设计为在3.3/5V CMOS兼容电平下工作

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1+
￥65.45
10+
￥56.57
30+
￥51.15

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型号：LTC4415EDHC#TRPBF 编号：C688490

封装：DFN-16-EP(3x5)

品牌：ADI(亚德诺)

具可调电流限值的双通道 4A 理想二极管

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1+
￥71.7876 ￥78.03
10+
￥61.5572 ￥66.91
30+
￥55.3196 ￥60.13
100+
￥50.094 ￥54.45

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型号：WB1967J 编号：C51933789

封装：SOT-23

品牌：Waferbest(匠芯微)

高边过压保护器

10+
￥0.288325 ￥0.3035
100+
￥0.229045 ￥0.2411
300+
￥0.199405 ￥0.2099
3000+
￥0.177175 ￥0.1865
6000+
￥0.15941 ￥0.1678
9000+
￥0.15048 ￥0.1584

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型号：WB2967J 编号：C51933790

封装：SOT-23-3L

品牌：Waferbest(匠芯微)

高边过压保护器

10+
￥0.354825 ￥0.3735
100+
￥0.281865 ￥0.2967
300+
￥0.245385 ￥0.2583
3000+
￥0.218025 ￥0.2295
6000+
￥0.196175 ￥0.2065
9000+
￥0.18525 ￥0.195

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型号：AP22802BW5-7 编号：C445532

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

AP22802是一款单通道限流集成高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准，使能输入具有两种极性可选。该器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并且集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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5+
￥0.3641
50+
￥0.3548
150+
￥0.3486
500+
￥0.3424

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型号：LP5309B3F 编号：C6430898

封装：SOT-23

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

是一种电源开关设备，可为可能遇到大电流和输入过压情况的系统和负载提供全面保护。该设备包含一个145mΩ的MOSFET，可在3.0V至32V的输入电压范围内工作。当VIN上的电压高于过压阈值时，OVP将断开VIN和VOUT。过流保护可使用外部电阻进行设置。当电流达到阈值时，设备将关闭功率FET，以防止过大电流造成损坏。开关由一个低电平有效逻辑引脚控制。集成了热关断保护，当温度高于阈值时，将关闭开关以防止部件损坏。这些部件采用节省空间的SOT23封装。

5+
￥0.4778
50+
￥0.3809
150+
￥0.3325
500+
￥0.2961

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型号：ETA6280S2F 编号：C7465543

封装：SOT23-5

品牌：ETA(钰泰)

ETA6280是一款负载开关，可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。ETA6280提供一个70mΩ的限流开关，可在2.1 - 6V的输入电压范围内工作。

5+
￥0.7254
50+
￥0.5709
150+
￥0.4937
500+
￥0.4358
3000+
￥0.3894

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型号：TPU2013CSP4-1 编号：C42449045

封装：CSP-4L(1x1)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

一款采用超低导通电阻MOSFET的单通道负载开关。它专为具有超低静态电流和超低待机电流的负载切换应用而设计

5+
￥0.762964 ￥1.0039
50+
￥0.594472 ￥0.7822
150+
￥0.522196 ￥0.6871
500+
￥0.43206 ￥0.5685
3000+
￥0.391932 ￥0.5157
6000+
￥0.36784 ￥0.484

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型号：AP2552FDC-7 编号：C150475

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：DIODES(美台)

AP2552/53 和 AP2552A/53A 是单通道精密可调限流开关，针对需要精密限流的应用进行了优化，或可在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将限流阈值设置在 75mA 至 2.36A（典型值）之间。在高限流设置下，限流精度可达 ±6%

数据手册

1+
￥0.783832 ￥1.3997
10+
￥0.566766 ￥1.2321
30+
￥0.417708 ￥1.1603
100+
￥0.385416 ￥1.0706
500+
￥0.371052 ￥1.0307
1000+
￥0.362448 ￥1.0068

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型号：GP7574D 编号：C19626940

封装：SOP-8

品牌：HaloChip(华众芯)

GP757XX是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。GP757XX支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构。同时支持DCM和QR两种工作模式。

5+
￥0.8287
50+
￥0.7237
150+
￥0.6787
500+
￥0.6225
2500+
￥0.5975
4000+
￥0.5825

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型号：TPU2013CSP4 编号：C42449044

封装：CSP-4L(1x1)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这是一款采用超低导通电阻 MOSFET 的单通道负载开关。它专为具有超低静态电流和超低待机电流的负载开关应用而设计

5+
￥0.901664 ￥1.1864
50+
￥0.702544 ￥0.9244
150+
￥0.61712 ￥0.812
500+
￥0.510644 ￥0.6719
3000+
￥0.46322 ￥0.6095
6000+
￥0.43472 ￥0.572

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型号：AP2171DWG-7 编号：C2680322

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

AP2161D和AP2171D是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能

5+
￥0.9879
50+
￥0.8534
150+
￥0.7958
500+
￥0.7239

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型号：AP2822GKETR-G1 编号：C460659

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

AP2822是一款集成式高端功率开关，由N沟道MOSFET、电荷泵、过流及过温等相关保护电路组成。该开关的低导通电阻RDS(ON)为85mΩ，旨在满足USB压降要求。该IC具备软启动功能，可限制浪涌电流；具备过流保护、带折返功能的负载短路保护以及热关断功能，可避免热插拔期间开关损坏

5+
￥1.013596 ￥1.1786
50+
￥0.900248 ￥1.0468
150+
￥0.851744 ￥0.9904
500+
￥0.791114 ￥0.9199
3000+
￥0.764196 ￥0.8886
6000+
￥0.747942 ￥0.8697

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型号：AP22908CN4-7 编号：C5205186

封装：XFBGA-4

品牌：DIODES(美台)

AP22908压摆率控制型负载开关是一款单P沟道MOSFET功率开关，专为高端负载切换应用而设计。该MOSFET在3.6V时的典型低导通电阻RDS(ON)为28mΩ，可在低正向压降的情况下提高负载电流处理能力。该器件的导通压摆率由内部控制，以避免浪涌电流

数据手册

5+
￥1.0539
50+
￥0.9278
150+
￥0.8738
500+
￥0.8064

有货

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型号：SID1127SEC-R1-JSM 编号：C46596285

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SID1127是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。SID1127在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

5+
￥1.0865
50+
￥1.0606
150+
￥1.0433

有货

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型号：BD2204GUL-E2 编号：C314699

封装：UFBGA-6

品牌：ROHM(罗姆)

5+
￥1.1065
50+
￥0.9754
150+
￥0.9192
500+
￥0.8491

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型号：AP2191DWG-7 编号：C141332

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

AP2181D和AP2191D是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能

数据手册

5+
￥1.2282
50+
￥0.9643
150+
￥0.8511
500+
￥0.71

有货

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型号：AP2411AMP-13 编号：C2149803

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2401A 和 AP2411A 是单通道、具有电流限制功能的集成高端功率开关，专为通用串行总线（USB）及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合 USB 标准，使能输入具有两种极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间，可增强整个系统的稳健性，并且集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

数据手册

5+
￥1.256794 ￥1.6322
50+
￥0.971299 ￥1.4497
150+
￥0.781755 ￥1.3715
500+
￥0.72618 ￥1.274
2500+
￥0.701385 ￥1.2305
5000+
￥0.686508 ￥1.2044

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型号：TMI6262AL 编号：C840551

封装：SOT-23-5

品牌：TMI(拓尔微)

TMI6262AL是一款高性价比、低电压的单PMOSFET负载开关，专为自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用而优化。该开关的输入电压范围为2.5V至5.5V，非常适合3V和5V系统。该开关的低导通电阻RDS(ON)为60mΩ，满足USB压降要求

数据手册

1+
￥1.2697
10+
￥0.9817
30+
￥0.8377
100+
￥0.7297
500+
￥0.6433
1000+
￥0.6

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型号：TMI6263AH 编号：C2985067

封装：SOT-23-5

品牌：TMI(拓尔微)

TMI6263是一款高性价比的单P沟道MOSFET负载开关，具有超低的导通电阻RDS(ON)，专为自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用而优化。其输入电压范围为2.5V至5.5V，非常适合3V和5V系统。内置P沟道MOSFET，具备真正的关断功能，可消除开关两端的任何反向电流

5+
￥1.2697
50+
￥0.9817
150+
￥0.8377
500+
￥0.7297
3000+
￥0.6433
6000+
￥0.6

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型号：AP2191SG-13 编号：C2150698

封装：SOP-8

品牌：DIODES(美台)

AP2181和AP2191是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，且使能输入具有两种极性可选。

数据手册

5+
￥1.287082 ￥1.7393
50+
￥0.88352 ￥1.3805
150+
￥0.662418 ￥1.2267
500+
￥0.558792 ￥1.0348
2500+
￥0.512622 ￥0.9493
5000+
￥0.484974 ￥0.8981

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型号：AP22916BCA4-7 编号：C5244375

封装：X1-WLB0808-4

品牌：DIODES(美台)

AP22916是一款小型、低泄漏的单P沟道功率MOSFET，专为低功耗和负载开关应用而设计。这款功率MOSFET在5V电压下的典型导通电阻RDS(ON)为60mΩ，可在低正向压降的情况下提高负载电流处理能力。多种电压对应不同的时间选项，以支持各种系统负载条件

5+
￥1.3248
50+
￥1.0607
150+
￥0.9476
500+
￥0.8064

有货

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型号：GLF72101-HXY 编号：C51912455

封装：CSP-4(0.8x0.8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该负载开关为集成式功率电子开关，工作电压范围为1.5V至5.5V，适用于多种低压电源系统。其导通电阻典型值为32mΩ，有助于减少导通状态下的能量损耗，提升整体能效。器件可支持最高2A的连续输出电流，具备良好的负载驱动能力。内置控制电路支持软启动功能，可有效抑制上电过程中的电流冲击。广泛应用于便携式电子产品、嵌入式计算单元及通信模块中，用于电源域管理、外设供电控制和系统待机功耗优化等场景。

1+
￥1.425 ￥1.5
10+
￥1.387 ￥1.46
30+
￥1.368 ￥1.44
100+
￥1.349 ￥1.42

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