威世功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AP2151DWG-7 编号：C264075

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

AP2141D和AP2151D是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具备两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控上升时间和欠压锁定功能

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￥1.4272
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￥1.135
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型号：NSG4427 编号：C7421045

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道（双同）、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

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￥1.457775 ￥1.5345
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￥1.199185 ￥1.2623
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型号：AP22804AW5-7 编号：C3001659

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是单通道限流集成高端电源开关，针对通用串行总线 (USB) 和其他热插拔应用进行了优化。该系列设备符合 USB 标准，使能输入具有两种极性。该设备具有快速短路响应时间，可提高整体系统的稳健性，并具有集成输出放电功能，可确保对输出电压电容器进行完全可控的放电。它们为承受重电容负载和短路风险的应用提供了完整的保护解决方案，并提供反向电流阻断、过流、过温和短路保护，以及可控上升时间和欠压锁定功能

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￥1.7515
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型号：BD82030FVJ-GE2 编号：C2680391

封装：TSSOP-B8J

品牌：ROHM(罗姆)

BD82030FVJ 是一款单通道高端开关 IC，采用低导通电阻和低电源电流的 N 沟道功率 MOSFET，适用于通用串行总线（USB）电源线。该 IC 内置过流检测电路、热关断电路、欠压锁定和软启动电路。

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￥2.011
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型号：TPS259251DRCR 编号：C527680

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS25925 4.5V 至 5.5V、30mΩ、2A 至 5A 电子保险丝

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￥2.33
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型号：TPS22917LDBVR 编号：C3235537

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22917 具备可调节上升时间和可调节输出放电功能的 5.5V、2A、80mΩ、10nA 泄露负载开关

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型号：BD2270HFV-TR 编号：C3294505

封装：HVSOF-5

品牌：ROHM(罗姆)

是用于高端N沟道MOSFET的栅极驱动器，带有用于输出电容性负载的放电电路。内部电荷泵使该IC无需使用任何外部部件即可驱动外部高端NMOSFET的栅极。上电顺序由具有迟滞功能的比较器控制。采用节省空间的HVSOF5封装。

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￥2.84
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型号：RT9746HWSC 编号：C3001124

封装：WLCSP-12(1.3x1.9)

品牌：RICHTEK(立锜)

是一款过压保护设备，具有低 35mΩ（典型值）导通电阻的内部 FET 和 PTVS 二极管。PTVS 还可保护设备免受高达 100V 的浪涌影响。当输入电压超过过压阈值时，内部 FET 会关闭，以防止受保护的下游组件损坏。内部过压保护 (OVP) 阈值预设为典型值 6.8V。采用小型 WL-CSP-12B (BSC) 封装，适用于小 PCB 面积应用。

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￥3.43
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型号：TPS2022DRQ1 编号：C2149997

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2022-Q1 低电平有效的汽车类 1A 负载、2.7-5.5V、33mΩ USB 电源开关

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型号：NJW4832KH1-B-TE3 编号：C3655699

封装：DFN-6(2x2)

品牌：Nisshinbo

是单高端开关，可提供0.2A电流。Pch MOS FET内置有源钳位电路、过流和热关断功能。可直接输入逻辑信号（3V/5V）。特别适用于各种PNP型传感器输出模块。FLT逻辑有两种版本：高电平有效（A版本）和低电平有效（B版本）。

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￥4.27
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型号：VNL5160N3TR-E 编号：C262999

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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型号：BTS7008-1EPP 编号：C534828

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款智能高端功率开关，提供保护功能和诊断。

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型号：BV1HD090FJ-CE2 编号：C2150182

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BV1HD090FJ - C是一款汽车用单通道高端开关IC，内置过流限制电路（OCP）、热关断电路（TTSD）、开路负载检测功能（OLD）和欠压锁定功能（UVLO）。检测到错误时，它还配备了诊断输出（ST）。

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型号：TPS22811LRPWR 编号：C17294173

封装：VQFN-10-HR(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

是高度集成的小封装电源分配解决方案，允许使用最少的外部组件对电源轨进行控制和监控。可使用一个外部电容器调节输出压摆率和浪涌电流。若输入超过可调过压阈值，通过切断输出保护负载免受输入过压影响。集成快速跳闸响应，在稳态时保护输出免受严重故障影响。能提供输出负载电流的精确模拟检测以及数字电源良好指示，以帮助进行系统监控和诊断。采用2mm×2mm、10引脚HotRod QFN封装，可提高热性能并减小系统尺寸。工作结温范围为 -40℃至 +125℃。

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型号：LM74800QDRRRQ1 编号：C3215600

封装：SON-12(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM7480-Q1 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器

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型号：BSP78HUMA1 编号：C2653794

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 技术。通过嵌入式保护功能实现全面保护。

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型号：BTS4175SGA 编号：C152451

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS4175SGA是一款单通道智能高端功率开关。它采用PG-DSO-8-24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道功率MOSFET构成

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型号：BV2HD045EFU-CE2 编号：C1858380

封装：HSSOP-16-EP-150mil

品牌：ROHM(罗姆)

BV2HD045EFU-C是一款用于汽车应用的双通道高端开关。它内置过流保护功能、热关断保护功能、开路负载检测功能和欠压锁定功能。它配备了用于异常检测的诊断输出功能

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型号：TPS2H000AQPWPRQ1 编号：C2653769

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS2H000-Q1 具有可调节电流限制的 40V、1Ω、2 通道汽车类智能高侧开关

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型号：DRV2700RGPR 编号：C2150617

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV2700 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的工业压电式驱动器

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型号：VNQ7040AYTR 编号：C2680486

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

适用于汽车应用的具有 MultiSense 模拟反馈的四通道高侧驱动器

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￥24.57
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￥23.17
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￥22.32
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型号：VNB35N07TR-E 编号：C2150139

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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￥26.46
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型号：TPS274C65ASHRHAR 编号：C36619787

封装：VQFN-40(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

是一款具有串行接口(SPI)控制功能的四通道智能高侧开关，旨在满足工业控制系统的要求。72mΩ的低RpsON可更大限度减少器件功耗，即使提供大的输出负载电流时也是如此。该器件集成了保护和诊断功能，可确保即使在发生短路或负载故障等不利事件时也能提供系统保护。该器件通过可靠的电流限值提供负载保护，电流限值在250mA至2.45A范围内可调，可在任何输出负载电流下提供保护

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￥34.85
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￥29.73
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型号：TP30E11S3L 编号：C41408041

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VIN工作范围：2.7至30V。内部过压保护（OvP）：6.3V。内部过流保护（OCP）：1.1A（典型值）。典型导通电阻：在0.7A时为500mΩ。过压保护响应时间：50ns（典型值）。启动去抖时间：20ms。应用：电子烟。单反数码相机

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￥0.507604 ￥0.6679
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￥0.398164 ￥0.5239
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￥0.343444 ￥0.4519
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￥0.302404 ￥0.3979
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￥0.269572 ￥0.3547
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￥0.25308 ￥0.333

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型号：TP6003AX 编号：C5364043

封装：SOT23-5L

品牌：晶扬电子

TP600X是一款低压单P沟道MOSFET高端功率开关，针对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。TP600X配备了电荷泵电路，用于驱动内部MOSFET开关；该开关的低导通电阻RDS(ON)为80mΩ，满足USB压降要求；还有一个标志输出，可向本地USB控制器指示故障状态。其他特性包括：软启动功能，用于限制插拔时的浪涌电流；热关断功能，防止大电流负载导致开关出现灾难性故障；欠压锁定（UVLO）功能，确保在没有有效输入电压时，器件保持关断状态

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