威世功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TPS22907YZTR 编号：C3230038

封装：DSBGA-4(0.9x0.9)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22907 3.6V、1A、44mΩ 负载开关

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￥4.18
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型号：AP2152ASG-13 编号：C2149820

封装：SOP-8

品牌：DIODES(美台)

AP2142A 和 AP2152A 是双通道限流集成高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合 USB 标准，使能输入具有两种极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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型号：SP2525A-1EN-L/TR 编号：C51407

封装：SOIC-8

品牌：MaxLinear(迈凌)

是一款集成的高端电源开关，适用于自供电和总线供电的通用串行总线 (USB) 应用。高端开关为 MOSFET，其 RDS(ON) 为 70mΩ，满足最大传输线长度的 USB 电压降要求。多功能开漏故障标志输出可指示过流限制、热关断或欠压锁定。输出电流通常限制在 0.85A 以下，低于 5A 的安全要求，热关断功能可在过流情况下关闭开关以防止损坏。保证的最小输出上升时间可限制热插拔期间的浪涌电流，最大限度地减少 EMI 并防止上游端口的电压过度下降。采用符合 RoHS 标准的“绿色”/无卤素 8 引脚 NSOIC 封装。

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型号：NSE11409-QSTBR 编号：C7465473

封装：SOT-223

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSE11409-Q1是一款适用于汽车应用的90mΩ低端开关，钳位电压为48V。它专为驱动一侧连接到电池的阻性或感性负载而设计。内部48V钳位电路可在关断时快速退磁时保护器件免受浪涌能量的影响

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型号：NCV8402ASTT3G 编号：C236053

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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型号：TPS1HC100BQPWPRQ1 编号：C3230071

封装：HTSSOP-14

品牌：TI(德州仪器)

TPS1HC100-Q1 汽车类 100mΩ、2.5A 单通道智能高侧开关

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型号：IPS4260LTR 编号：C2149957

封装：HTSSOP-20-EP

品牌：ST(意法半导体)

IPS4260L是一款单片高速（最高开关频率达250 kHz）器件，可驱动四个独立的容性、阻性或感性负载，负载的一端连接到电源电压。各通道可并联以降低功耗。当连接到Vcc电源轨时，四个集成的续流二极管可钳位感性负载（即使电感值很大）产生的关断瞬态；结合连接到VCC或GND的合适外部瞬态电压抑制器（TVS），该集成电路也能实现快速衰减

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型号：LM74502QDDFRQ1 编号：C5219206

封装：SOT-23-8-THIN

品牌：TI(德州仪器)

LM74502-Q1 汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 60μA

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型号：NCP4545IMNTWG 编号：C154786

封装：QFN-18-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4545 负载开关提供了一种减少组件和面积的解决方案，通过软启动限制涌流来实现高效的电源域切换。它设计为在一个单一设备中集成了控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的功率MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：BTS4300SGAXUMA1 编号：C454916

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS4300SGA是一款单通道智能高端功率开关。它采用PG-DSO-8-24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道功率MOSFET构成

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型号：VNQ7050AJTR 编号：C454179

封装：PowerSSO-16

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的四通道HSD

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型号：NCV8452STT1G 编号：C477982

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8452 是一款完全保护的高压侧驱动器，可用于开关各种负载，如灯泡、电磁阀和其他致动器。该器件可以通过有源电流限制和高温关断针对过载情况进行内部保护。

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型号：TPS274160ARLHR 编号：C2873565

封装：WQFN-28(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

TPS274160 具有可调节电流限制的 36V、160mΩ、1.35A、4 通道工业高侧开关

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型号：DRV2667RGPR 编号：C2150609

封装：TQFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV2667 具有集成式 105V 升压转换器、波形存储器和 DAC 的压电式触觉驱动器

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￥13.94
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型号：VNQ7040AYTR 编号：C2680486

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

适用于汽车应用的具有 MultiSense 模拟反馈的四通道高侧驱动器

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型号：VND5T016ASPTR-E 编号：C2150047

封装：PowerSO-16

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于24V汽车应用

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￥31.76
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￥27.02
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￥24.2
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￥21.36
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型号：LTC4357HMS8#TRPBF 编号：C688221

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：LTC4357HMS8#PBF 编号：C688220

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：LTC4418IUF#TRPBF 编号：C688513

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

确定了优先级的双通道 PowerPath 控制器

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￥73.03
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型号：AP2822GKBTR-G1 编号：C460157

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

AP2822是一款集成式高端功率开关，由N沟道MOSFET、电荷泵、过流及过热等相关保护电路组成。该开关的低导通电阻RDS(ON)为85mΩ，旨在满足USB压降要求。该IC具备软启动功能以限制浪涌电流、过流保护、带折返功能的负载短路保护以及热关断功能，可避免热插拔时开关损坏。欠压锁定（UVLO）功能用于确保在无有效输入电压时，器件保持关断状态。FLAG输出可向本地USB控制器指示故障情况。AP2822采用标准的SOT - 23 - 5封装。

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￥0.3258
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￥0.2674
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￥0.2382
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￥0.2163
500+
￥0.1988
1000+
￥0.19

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型号：TPU2013S5 编号：C22358669

封装：SOT-23-5L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

TPU2012/TPU2013是一款低压单NMOSFET高端功率开关，针对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。TPU2012/TPU2013配备了电荷泵电路，用于驱动内部NMOSFET开关，该开关的低导通电阻Rds(on)为70mΩ，满足USB电压降要求，并且设有标志输出，可向本地USB控制器指示故障状态。其他特性包括：软启动功能，用于限制插拔时的浪涌电流；热关断功能，防止大电流负载导致开关发生灾难性故障；欠压锁定（UVLO）功能，确保只有在输入电压有效时设备才会开启