威世功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

BTS7080 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：VND7050AJTR 编号：C443997

封装：PowerSSO-16

具有MultiSense模拟反馈的双通道高侧驱动器

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型号：VN5E160STR-E 编号：C2149863

封装：SO-8

单通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：BSP752R 编号：C112644

封装：SO-8

PG-DSO-8封装的N沟道垂直功率场效应晶体管，具备电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用Smart SIPMOs°技术进行单片集成。

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型号：VNS3NV04DPTR-E 编号：C146561

封装：SO-8

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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型号：E-L9826TR 编号：C155567

封装：SOIC-20-300mil

用于电阻和电感负载的八通道低侧驱动器，具有串行/并行输入控制、输出保护和诊断

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型号：BSP752TXUMA1 编号：C112637

封装：SO-8

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：TPS12110AQDGXRQ1 编号：C17666597

封装：VSSOP-19

TPS1211-Q1 具有保护和诊断功能的汽车用 3.5V 至 40V 高侧驱动器

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型号：TPS25833QWRHBTQ1 编号：C2156061

封装：VQFN-32-EP(5x5)

TPS25833-Q1 具有电缆补偿和热折返功能的 USB Type-C、DCP 充电端口转换器

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型号：BTS441TG 编号：C534782

封装：TO-263-5

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考、CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成，具备嵌入式保护功能

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型号：TPS274C65ASRHAR 编号：C19267652

封装：VQFN-40-EP(6x6)

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型号：LTC4417CUF#TRPBF 编号：C688503

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

连接三个有效电源之一到公共输出端，基于引脚分配定义优先级，V1 优先级最高，V3 最低。当电源电压在过压 (OV) 和欠压 (UV) 窗口内持续至少 256ms 时被定义为有效。若最高优先级有效输入超出 OV/UV 窗口，该通道立即断开，次高优先级有效输入连接到公共输出。两个或多个可级联以实现三个以上输入之间的切换。集成快速非重叠开关电路，防止反向和交叉传导，同时最小化输出下垂。栅极驱动器包括 6V 钳位以保护外部 MOSFET。受控输出斜坡功能可最小化启动浪涌电流。开漏 VALID 输出指示输入电源已在其 OV/UV 窗口内保持 256ms。

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￥68.79
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￥59.66
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型号：TPS2065CDBVR 编号：C353882

封装：SOT-23-5

TPS2065C 高电平有效且具有输出放电和反向阻断功能的 1A 负载、4.5-5.5V、86mΩ USB 电源开关

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￥0.6705
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￥0.5285
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型号：LP5308QVF 编号：C19193719

封装：DFN-8

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP5308是一款电源开关器件，可为可能遇到大电流和输入过压情况的系统和负载提供全面保护。该器件包含一个导通电阻为135mΩ的MOSFET，可在3.0V至36V的输入电压范围内工作。当VIN上的电压高于过压阈值时，过压保护（OVP）功能会切断VIN和VOUT之间的连接

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型号：TPU2013CSP4 编号：C42449044

封装：CSP-4L(1x1)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这是一款采用超低导通电阻 MOSFET 的单通道负载开关。它专为具有超低静态电流和超低待机电流的负载开关应用而设计

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￥0.901664 ￥1.1864
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￥0.702544 ￥0.9244
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￥0.61712 ￥0.812
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￥0.46322 ￥0.6095
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￥0.43472 ￥0.572

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型号：TPS22916CYFPR 编号：C2680319

封装：DSBGA-4(0.7x0.7)

TPS22916 具有输出放电功能的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 泄漏负载开关

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型号：LM66100DCKT 编号：C2832141

封装：SC-70-6