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封装：DIP-8

AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善功率离线式开关电源。

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型号：VND14NV04-E 编号：C155647

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

VNB14NV04、VND14NV04、VND14NV04 - 1和VNS14NV04是采用VIPower™ M0技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 KHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈

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型号：SY6288C3AAC 编号：C207612

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6288是一款具有限流功能的超低导通电阻（RDS(ON)）开关，可保护电源免受过流和短路情况的影响。SY6288是一款用于高端负载开关应用的限流P沟道MOSFET功率开关。该MOSFET的漏极和源极之间不存在寄生体二极管，因此当芯片禁用且输出端被外部强制施加高于VN的电压时，SY6288可防止电流从输出端流向输入端

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型号：XC8111AA018R-G 编号：C17462394

封装：XFDFN-6-EP

品牌：TOREX(特瑞仕)

XC8110/XC8111系列是可模拟理想二极管的负载开关IC，具备芯片使能（CE）、过流限制、浪涌电流限制和热关断等功能。这些IC执行调节控制，确保其VOUT引脚电压为V₁ₙ - 20mV，因此与普通二极管相比，它们能在更大程度上抑制发热。

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型号：VNL5160S5TR-E 编号：C2970309

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

VNL5160N3-E 和 VNL5160S5-E 是采用 VIPower 技术制造的单片器件，用于驱动一侧连接到电池的阻性或感性负载。内置的热关断功能可保护芯片免受过温和短路影响。输出电流限制功能可在过载条件下保护器件

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型号：BTS5016SDAAUMA1 编号：C3232339

封装：TO-252-5

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5016SDA是一款采用PG - TO252 - 5 - 11封装的单通道高端功率开关，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术

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型号：BTS141TC 编号：C534743

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用Smart SIPMOS芯片堆叠技术的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具备嵌入式保护功能。

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型号：BTS133TC 编号：C2150086

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用智能 SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。

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型号：AP22953CW12-7 编号：C5244376

封装：WLB2013-12

品牌：DIODES(美台)

AP22953器件是一款用于USB 2.0/3.0/Type-C连接器VBUS线路保护的单芯片解决方案。双向MOSFET开关可确保在充电和主机模式下电流均能正常流通，同时保护内部电路免受VBUS_CON引脚处过压情况的影响。在VBUS_CON引脚上，该器件具备高达30V的过压保护功能

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型号：VNP10N06-E 编号：C263000

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

VNP10N06是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）VIPower技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 kHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。

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型号：BTS500801TMAATMA1 编号：C2150048

封装：TO-220-7

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道高端功率开关，采用PG-TO220-7-4封装，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成，基于智能SIPMOS芯片堆叠技术设计。具有电流控制输入，提供带负载电流检测的诊断反馈，在过载、过温关机和/或短路关机时提供定义的故障信号。

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型号：BTS500801TEAAUMA1 编号：C2150064

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS50080-1TEA是一款采用PG-TO252-5-11封装的单通道高端功率开关，具备嵌入式保护功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。其设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术

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型号：VNQ810PTR-E 编号：C2680485

封装：SO-28-300mil

品牌：ST(意法半导体)

VNQ810P - E是一款四通道高侧驱动器（HSD），由两个VND810P - E芯片封装在同一个SO - 28封装中构成。VNQ810P - E是采用VIPower M0 - 3技术制造的单片器件，用于驱动一侧接地的各类负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响

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型号：BTS6142D 编号：C3232341

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS 6142D 是一款采用 PG-TO252-5-11 封装的单通道高端功率开关，具备包括 ReverSave™ 在内的嵌入式保护功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。其设计基于智能 SIPMOS 芯片堆叠技术

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型号：BTS500851TMBAKSA1 编号：C3232980

封装：TO-220-7

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片上芯片技术中。提供嵌入式保护功能。

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型号：SY6283DRC 编号：C178243

封装：DFN-4(1.2x1.6)

品牌：Silergy(矽力杰)

是超低RDS(ON)开关，具有限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。是具有过流和过温保护的限流P沟道MOSFET电源开关。MOSFET的漏极和源极之间没有体二极管，可防止芯片禁用后电流从输出流向输入。

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型号：KP3116SGA 编号：C554033

封装：SOIC-8

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

一款高性能低成本 PWM 控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压 MOSFET 可提高系统浪涌耐受能力。与传统的 PWM 控制器不同，内部无固定时钟驱动 MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时采用了多模式 PWM 控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD 欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、输出过压保护、过热保护、过载保护和 VDD 过压保护等。

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型号：BTS117TC 编号：C2150103

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。

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型号：BTS500601TEAAUMA2 编号：C3232344

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS50060 - 1TEA采用PG - TO252 - 5 - 11封装，是一款导通电阻为6mΩ的单通道智能高端功率开关。它基于芯片级智能功率芯片技术，集成了P沟道垂直功率MOSFET，具备保护和诊断功能。该器件专为在严苛的汽车环境中驱动负载而设计

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￥30.3195
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￥29.087
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型号：KP15113SPA 编号：C2692452

封装：SOP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1511X 是一款高度集成的升压式 PFC 恒压功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、超低谐波失真和高效率的要求。 KP1511X 内部集成消磁信号检测技术，同时集成有高压启动供电电路和高压 MOSFET，无需辅助绕组检测消磁和供电，只需很少的外围器件，极大的简化了系统的设计和生产成本。 KP1511X 集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行，如：VDD 欠压保护功能 (UVLO)、逐周期电流限制 (OCP)、过热保护 (OTP)、输出过压保护 (OVP)、输出欠压保护 (UVP) 等。

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型号：KP12654FDP 编号：C2692382

封装：DIP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1265XF是高度集成的恒流LED功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、低谐波失真和高效率的性能。 KP1265XF内部集成有高压500V功率MOSFET和高压供电电路，简化了系统的设计和生产成本。芯片通过独有的恒流控制算法，可以获得高精度的恒流输出，且输出的线电压和负载调整率表现优异。

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型号：VND1NV04TR-E 编号：C2680458

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

VND1NV04、VNN1NV04、VNS1NV04 是采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件，旨在用于从直流到 50 KHz 应用中替代标准功率 MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈

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￥24.71
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￥24.14
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型号：BTF50060-1TEA 编号：C534727

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTF50060 - 1TEA采用PG - TO252 - 5 - 11封装，是一款导通电阻为6mΩ的单通道智能高端功率开关。它基于芯片上的智能功率芯片技术，集成P沟道垂直功率MOSFET，具备保护和诊断功能。该器件专为在恶劣的汽车环境中驱动负载而设计

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￥75.662225
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型号：BTS5014SDA 编号：C534802

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5014SDA 是一款单通道高边功率开关，采用 PG-TO252-5-11 封装，提供嵌入式保护功能。该功率晶体管由带电荷泵的 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。设计基于智能 SIPMOS 芯片堆叠技术。BTS5014SDA 具有电流控制输入，并在过载操作、过温关断和/或短路关断情况下提供带有负载电流检测和定义故障信号的诊断反馈。特性包括：- 可扩展产品系列的一部分- 负载电流检测- Reversave - 非常低的待机电流- 电流控制输入引脚- 改进的电磁兼容性 (EMC)- 快速去磁化感应负载- 低压下的稳定行为- 绿色产品（符合 RoHS 标准）- AEC 认证工作电压范围为 5.5V 至 20V，最小过压保护为 39V。在 150°C 下的最大导通电阻为 28 mΩ。标称负载电流为 6A，最小电流限制为 55A。在 25°C 下，整个设备带负载时的最大待机电流为 6 μA。

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型号：SY6288C30AAC 编号：C7427215

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6288是一款超低导通电阻（RDS(ON)）开关，具备限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。SY6288是一款用于高端负载开关应用的限流P沟道MOSFET功率开关。该MOSFET的漏极和源极之间不存在寄生体二极管，因此当芯片禁用且输出端被外部强制施加比输入电压（VIN）更高的电压时，SY6288可防止电流从输出端流向输入端

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￥0.6874
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￥0.5434
150+
￥0.4714
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￥0.4174
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￥0.3742
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￥0.3525

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型号：RT9742ANGJ5F 编号：C147955

封装：TSOT-23-5

品牌：RICHTEK(立锜)

是一款用于USB应用的经济高效、低电压、单N-MOSFET高端电源开关IC。该IC实现了低导通电阻和低电源电流。集成了过流保护电路、短路折返电路、热关断电路和欠压锁定电路，以提供全面保护。此外，还有一个标志输出，用于向本地USB控制器指示故障情况。此外，芯片还集成了嵌入式延迟功能，以防止因浪涌电流而发生误操作。采用TSOT-23-5、TSOT-23-5 (FC)和SOT-23-3封装，可支持灵活应用。

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