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首页 > 热门关键词 > 安森美功率开关芯片
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ME1501是一款适用于5V 2.1A应用的USB接口输出保护芯片芯片内部集成了过流保护、短路保护、过温保护、欠压保护等功能,在输出发生过流、短路或带大电容负载启动等情况时可以限制电流输出从而保护前级电源。
数据手册
  • 5+

    ¥0.8264
  • 50+

    ¥0.657
  • 150+

    ¥0.5723
  • 500+

    ¥0.5087
  • 有货
  • KP1235X是高度集成的升压型LED恒流功率开关芯片采用了准谐振的工作模式,同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、超低谐波失真和高效率的要求。 KP1235X内部集成消磁信号检测技术,同时集成有高压启动和供电电路,无需辅助绕组检测消磁和供电,简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度电感电流采样技术和高精度输出电流基准电压,同时集成有线电压补偿技术,具有良好的恒流输出特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.89
    • 10+

      ¥1.66
    • 30+

      ¥1.56
    • 100+

      ¥1.44
    • 500+

      ¥1.26
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • 高边开关,双通道;18mΩ,DFN9×6-14L封装,AEC-100认证,单芯片设计
    • 1+

      ¥33.99
    • 10+

      ¥29.37
    • 30+

      ¥26.56
  • 有货
  • 高边开关,单通道;38mΩ,DFN9×6-14L封装,AEC-100认证,单芯片设计
    • 1+

      ¥33.99
    • 10+

      ¥29.37
    • 30+

      ¥26.56
  • 有货
  • 是一种过压保护(OVP)负载开关,具有可调的过压锁定(OVLO)阈值电压。当任何输入电压超过阈值时,设备将关闭内部MOSFET,以断开输入与输出的连接,从而保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时,自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调节,OVLO阈值电压范围为4.0V-9V。具有过温保护(OTP)功能,可监控芯片温度以保护设备。有DFN2x2-8L和SOT23-6L两种封装形式。
    • 5+

      ¥0.7313
    • 50+

      ¥0.5825
    • 150+

      ¥0.5081
    • 500+

      ¥0.4523
  • 有货
  • KP106X系列是高度集成的恒流LED功率开关芯片采用了准谐振的工作模式,同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、低谐波失真和高效率的性能。KP106X内部集成有高压650V功率MOSFET和高压启动以及供电电路,简化了系统的设计和生产成本。芯片通过对全周期电感电流进行采样,可以获得超高精度的恒流输出,且输出的线电压和负载调整率表现优异。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.45
    • 10+

      ¥2.71
    • 50+

      ¥2.38
    • 100+

      ¥1.99
    • 500+

      ¥1.81
  • 有货
  • 高边开关,四通道;170mΩ,DFN9×6-14L封装,AEC-100认证,单芯片设计
    • 1+

      ¥19.28
    • 10+

      ¥16.42
    • 30+

      ¥14.63
  • 有货
  • 高边开关,单通道;38mΩ,DFN9×6-14L封装,AEC-100认证,单芯片设计
    • 1+

      ¥19.28
    • 10+

      ¥16.42
    • 30+

      ¥14.63
  • 有货
  • MP9989 是一款用于反激式转换器的快速关断智能整流器,集成了一个 100V 的 MOSFET。它可以替代二极管整流器,以提高效率和功率密度。该芯片将内部功率开关的正向压降调节至 40mV,并在漏源电压反转之前关断
    • 1+

      ¥24.8233
    • 100+

      ¥17.532
    • 500+

      ¥14.5007
    • 1000+

      ¥13.5176
    • 3000+

      ¥13.3538
  • 有货
  • SY6288是一款具有限流功能的超低导通电阻(RDS(ON))开关,可保护电源免受过流和短路情况的影响。SY6288是一款用于高端负载开关应用的限流P沟道MOSFET功率开关。该MOSFET的漏极和源极之间不存在寄生体二极管,因此当芯片禁用且输出端被外部强制施加高于VN的电压时,SY6288可防止电流从输出端流向输入端
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2539
    • 50+

      ¥0.9707
    • 150+

      ¥0.8493
    • 500+

      ¥0.6979
    • 3000+

      ¥0.6305
    • 6000+

      ¥0.59
  • 有货
  • BTS5016SDA是一款采用PG - TO252 - 5 - 11封装的单通道高端功率开关,具备嵌入式保护功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术
    • 1+

      ¥13.63
    • 10+

      ¥12.05
    • 30+

      ¥11.07
  • 有货
  • 是单通道高端功率开关(12 mΩ),采用PG-TO252-5-11功率封装,提供包括ReverSave™在内的嵌入式保护功能。ReverSave™是一种保护功能,可在反极性情况下使功率晶体管导通,从而降低功耗。具有电流控制输入,并通过负载电流检测提供诊断反馈。设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.17 ¥25.25
    • 10+

      ¥14.645 ¥25.25
    • 30+

      ¥12.12 ¥25.25
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET,采用智能 SIPMOS 芯片堆叠技术,提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.64
    • 10+

      ¥20.23
    • 30+

      ¥18.21
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET,采用 Smart SIPMOS 芯片堆叠技术,提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.9855 ¥37.63
    • 10+

      ¥27.5925 ¥36.79
    • 30+

      ¥23.556 ¥36.24
    • 100+

      ¥23.192 ¥35.68
  • 有货
  • 高边开关,双通道;70mΩ,DFN9×6-14L封装,AEC-100认证,单芯片设计
    • 1+

      ¥33.99
    • 10+

      ¥29.37
    • 30+

      ¥26.56
    • 100+

      ¥24.2
  • 有货
  • 高边开关,四通道;75mΩ,DFN9×6-14L封装,AEC-100认证,单芯片设计
    • 1+

      ¥33.99
    • 10+

      ¥29.37
    • 30+

      ¥26.56
    • 100+

      ¥24.2
  • 有货
  • 高边开关,双通道;38mΩ,DFN9×6-14L封装,AEC-100认证,单芯片设计
    • 1+

      ¥33.99
    • 10+

      ¥29.37
    • 30+

      ¥26.56
    • 100+

      ¥24.2
  • 有货
  • BTS50080-1TEA是一款采用PG-TO252-5-11封装的单通道高端功率开关,具备嵌入式保护功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。其设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术
    数据手册
    • 1+

      ¥39.83
    • 10+

      ¥34.45
    • 30+

      ¥31.17
  • 有货
  • BTS50060 - 1TEA采用PG - TO252 - 5 - 11封装,是一款导通电阻为6mΩ的单通道智能高端功率开关。它基于芯片级智能功率芯片技术,集成了P沟道垂直功率MOSFET,具备保护和诊断功能。该器件专为在严苛的汽车环境中驱动负载而设计
    • 1+

      ¥40.13
    • 10+

      ¥39.24
    • 30+

      ¥38.65
  • 有货
  • 是一款经济高效、低电压、单P沟道MOSFET高端电源开关IC,适用于USB应用,具有可编程电流限制功能。该IC实现了低导通电阻(典型值为120mΩ)和低电源电流(典型值为120μA)。可通过外部电阻提供75mA至1.3A(典型值)的可编程电流限制阈值。所有电流限制设置均可实现±10%的电流限制精度。此外,还有一个标志输出,用于向本地USB控制器指示故障情况。芯片还集成了嵌入式延迟功能,以防止因高浪涌电流而发生误操作。适用于USB电源,可支持灵活的应用,因为它可满足各种电流限制要求。采用SOT-23-6和WDFN-6L 2x2封装。
    • 1+

      ¥3.19
    • 10+

      ¥2.51
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.85
  • 有货
  • 高边开关,双通道;18mΩ,DFN9×6-14L封装,AEC-100认证,单芯片设计
    • 1+

      ¥19.28
    • 10+

      ¥16.42
    • 30+

      ¥14.63
  • 有货
  • XC8110/XC8111系列是可模拟理想二极管的负载开关IC,具备芯片使能(CE)、过流限制、浪涌电流限制和热关断等功能。这些IC执行调节控制,确保其VOUT引脚电压为V₁ₙ - 20mV,因此与普通二极管相比,它们能在更大程度上抑制发热。
    • 1+

      ¥5.09
    • 10+

      ¥4.04
    • 30+

      ¥3.52
  • 有货
  • VNL5160N3-E 和 VNL5160S5-E 是采用 VIPower 技术制造的单片器件,用于驱动一侧连接到电池的阻性或感性负载。内置的热关断功能可保护芯片免受过温和短路影响。输出电流限制功能可在过载条件下保护器件
    数据手册
    • 1+

      ¥6.76
    • 10+

      ¥6.59
    • 30+

      ¥6.48
  • 有货
  • AP22953器件是一款用于USB 2.0/3.0/Type-C连接器VBUS线路保护的单芯片解决方案。双向MOSFET开关可确保在充电和主机模式下电流均能正常流通,同时保护内部电路免受VBUS_CON引脚处过压情况的影响。在VBUS_CON引脚上,该器件具备高达30V的过压保护功能
    • 1+

      ¥11.09
    • 10+

      ¥10.86
    • 30+

      ¥10.72
  • 有货
  • 高边开关,双通道;70mΩ,DFN9×6-14L封装,AEC-100认证,单芯片设计
    • 1+

      ¥19.28
    • 10+

      ¥16.42
    • 30+

      ¥14.63
    • 100+

      ¥12.79
  • 有货
  • 高边开关,四通道;75mΩ,DFN9×6-14L封装,AEC-100认证,单芯片设计
    • 1+

      ¥19.28
    • 10+

      ¥16.42
    • 30+

      ¥14.63
    • 100+

      ¥12.79
  • 有货
  • VNQ810P - E是一款四通道高侧驱动器(HSD),由两个VND810P - E芯片封装在同一个SO - 28封装中构成。VNQ810P - E是采用VIPower M0 - 3技术制造的单片器件,用于驱动一侧接地的各类负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响
    数据手册
    • 1+

      ¥45.35
    • 10+

      ¥44.29
    • 30+

      ¥43.58
  • 有货
  • VNP10N06是一款采用意法半导体(STMicroelectronics)VIPower技术制造的单片器件,旨在用于直流至50 kHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片
    数据手册
    • 1+

      ¥12.23
    • 10+

      ¥10.31
    • 50+

      ¥9.11
  • 有货
  • 是单通道高端功率开关,采用PG-TO220-7-4封装,具备嵌入式保护功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成,基于智能SIPMOS芯片堆叠技术设计。具有电流控制输入,提供带负载电流检测的诊断反馈,在过载、过温关机和/或短路关机时提供定义的故障信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.17
    • 10+

      ¥24.55
    • 30+

      ¥24.14
  • 有货
  • BTS 6142D 是一款采用 PG-TO252-5-11 封装的单通道高端功率开关,具备包括 ReverSave™ 在内的嵌入式保护功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。其设计基于智能 SIPMOS 芯片堆叠技术
    • 1+

      ¥25.92
    • 10+

      ¥25.34
    • 30+

      ¥24.96
  • 有货
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