安森美功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MP9989GV-Z 编号：C3233157

封装：QFN-8(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP9989 是一款用于反激式转换器的快速关断智能整流器，集成了一个 100V 的 MOSFET。它可以替代二极管整流器，以提高效率和功率密度。该芯片将内部功率开关的正向压降调节至 40mV，并在漏源电压反转之前关断

1+
￥25.3968
100+
￥18.0235
500+
￥14.8284

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型号：ME1501CM5G 编号：C2835831

封装：SOT-23-5

品牌：MICRONE(南京微盟)

ME1501是一款适用于5V 2.1A应用的USB接口输出保护芯片。芯片内部集成了过流保护、短路保护、过温保护、欠压保护等功能，在输出发生过流、短路或带大电容负载启动等情况时可以限制电流输出从而保护前级电源。

数据手册

5+
￥0.7593
50+
￥0.6037
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￥0.5258
500+
￥0.4674
3000+
￥0.4045

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型号：WSTD6080AN 编号：C48996620

封装：DFN-14L(9x6)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，双通道；70mΩ，DFN9*6-14L封装，AEC-Q100认证，单芯片设计

1+
￥9.477 ￥10.53
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￥8.046 ￥8.94
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￥7.155 ￥7.95
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￥6.246 ￥6.94
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￥5.832 ￥6.48
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￥5.652 ￥6.28

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型号：WST6020AN 编号：C48996618

封装：DFN-14L(9x6)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，单通道；20mΩ，DFN9*6-14L封装，AEC-Q100认证，单芯片设计

1+
￥11.817 ￥13.13
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￥9.981 ￥11.09
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￥8.838 ￥9.82
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￥7.659 ￥8.51
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￥7.128 ￥7.92
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￥6.894 ￥7.66

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型号：BTS6133D 编号：C152388

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥15.85
10+
￥13.44
30+
￥11.93

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型号：PL5802B 编号：C5150984

封装：TSOT-23-6L

品牌：POWLICON(宝砾微)

PL5802B 是一款高性能的单通道电源开关,集成了USB专用充电端口控制器。它具有强大的内部电源开关,能够承受高达18V的电压瞬变和大电流冲击,适用于各种输出短路事故。该芯片支持自动检测Apple和Samsung设备的快速充电模式,并符合BC1.2和YD/T 1591-2009充电规范。PL5802B还具有低静态电流、过温关断和自动重启功能,确保在多种应用中的可靠性能。

数据手册

5+
￥1.1506
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￥1.0099
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￥0.9496
500+
￥0.8744

有货

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型号：WST6050AN 编号：C48996617

封装：DFN-14L(9x6)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，单通道；35mΩ，DFN9*6-14L封装，AEC-Q100认证，单芯片设计

1+
￥10.521 ￥11.69
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￥8.937 ￥9.93
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￥7.947 ￥8.83
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￥6.939 ￥7.71
500+
￥6.48 ￥7.2
1000+
￥6.282 ￥6.98

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型号：BTS443P 编号：C69856

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS®芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥17.87
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￥15.01
30+
￥13.22

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型号：WST5035AN-L 编号：C52091978

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，单通道；38mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥27.6925 ￥29.15
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￥23.6075 ￥24.85
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￥21.1755 ￥22.29
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￥18.7245 ￥19.71
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￥17.594 ￥18.52
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￥17.081 ￥17.98

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型号：WSTD5070AN-L 编号：C52091979

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，双通道；70mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥29.64 ￥31.2
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￥25.4125 ￥26.75
30+
￥22.9045 ￥24.11
100+
￥20.368 ￥21.44
500+
￥19.1995 ￥20.21
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￥18.6675 ￥19.65

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型号：WSTQ5080AN-L 编号：C52091977

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，四通道；75mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥29.64 ￥31.2
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￥25.4125 ￥26.75
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￥22.9045 ￥24.11
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￥20.368 ￥21.44
500+
￥19.1995 ￥20.21
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￥18.6675 ￥19.65

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型号：WSTD5050AN-L 编号：C52091976

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，双通道；38mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥29.64 ￥31.2
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￥25.4125 ￥26.75
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￥22.9045 ￥24.11
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￥20.368 ￥21.44
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￥19.1995 ￥20.21
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￥18.6675 ￥19.65

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型号：WSD7050AD 编号：C48996613

封装：DFN-16L(5x6)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，双通道；55mΩ，DFN5*6-16L封装，AEC-Q100认证，单芯片设计

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￥4.389 ￥4.62
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￥3.553 ￥3.74
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￥3.135 ￥3.3
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￥2.717 ￥2.86
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￥2.47 ￥2.6
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￥2.3465 ￥2.47

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型号：WSTD6050AN 编号：C48996622

封装：DFN-14L(9x6)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，双通道；38mΩ，DFN9*6-14L封装，AEC-Q100认证，单芯片设计

1+
￥11.583 ￥12.87
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￥9.846 ￥10.94
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￥8.757 ￥9.73
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￥7.641 ￥8.49
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￥7.137 ￥7.93
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￥6.912 ￥7.68

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型号：WSTD6020AN-L 编号：C52091971

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，双通道；18mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

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￥13.158 ￥14.62
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￥11.097 ￥12.33
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￥9.819 ￥10.91
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￥8.496 ￥9.44
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￥7.641 ￥8.49

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型号：WSTQ6160AN-L 编号：C52091974

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，四通道；170mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥14.58 ￥16.2
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￥12.303 ￥13.67
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￥10.872 ￥12.08
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￥9.414 ￥10.46
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￥8.757 ￥9.73
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￥8.469 ￥9.41

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型号：WSTQ6080AN-L 编号：C52091973

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，四通道；75mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥17.46 ￥19.4
10+
￥14.841 ￥16.49
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￥13.194 ￥14.66
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￥11.511 ￥12.79
500+
￥10.755 ￥11.95
1000+
￥10.422 ￥11.58

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型号：BTS3160DAUMA1 编号：C2680314

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3160D是一款采用PG - TO - 252 - 5 - 13封装的单通道锁存型低端功率开关，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件由采用智能功率技术的控制芯片控制

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1+
￥20.77
10+
￥17.59
30+
￥15.71

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型号：KP12354SPA 编号：C2692399

封装：SOP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1235X是高度集成的升压型LED恒流功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、超低谐波失真和高效率的要求。 KP1235X内部集成消磁信号检测技术，同时集成有高压启动和供电电路，无需辅助绕组检测消磁和供电，简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度电感电流采样技术和高精度输出电流基准电压，同时集成有线电压补偿技术，具有良好的恒流输出特性。

数据手册

1+
￥1.89
10+
￥1.66
30+
￥1.56
100+
￥1.44
500+
￥1.26
1000+
￥1.22

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型号：AP8022HNE-A1 编号：C2994667

封装：DIP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善功率离线式开关电源。

数据手册

5+
￥2.05
50+
￥1.53
150+
￥1.31
500+
￥1.03

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型号：WSTD6080AN-L 编号：C52091972

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，双通道；70mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥10.521 ￥11.69
10+
￥8.937 ￥9.93
30+
￥7.947 ￥8.83
100+
￥6.939 ￥7.71
500+
￥6.48 ￥7.2
1000+
￥6.282 ￥6.98

有货

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型号：WST6050AN-L 编号：C52091970

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，单通道；38mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥11.142 ￥12.38
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￥9.405 ￥10.45
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￥8.316 ￥9.24
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￥7.2 ￥8
500+
￥6.696 ￥7.44
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￥6.48 ￥7.2

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型号：WSTD6050AN-F 编号：C48996621

封装：DFN-14L(9x6)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，双通道；38mΩ，DFN9*6-14L封装，AEC-Q100认证，单芯片设计

1+
￥12.627 ￥14.03
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￥10.728 ￥11.92
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￥9.54 ￥10.6
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￥8.325 ￥9.25
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￥7.776 ￥8.64
1000+
￥7.542 ￥8.38

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型号：VN9016AJTR 编号：C19191773

封装：PowerSSO-16

品牌：ST(意法半导体)

单通道高端驱动器，采用专有VIPower M0-9技术制造，封装在PowerSSO-16中。该器件旨在通过3V和5V CMOS兼容接口驱动12V汽车接地负载，提供保护和诊断功能。该器件集成了先进的保护功能，如负载电流限制、通过功率限制进行过载主动管理以及带有可配置锁存关闭功能的过温关断。FaultRST引脚可在发生故障时解锁输出或禁用锁存关闭功能。专用多功能复用模拟输出引脚提供复杂的诊断功能，包括高精度比例负载电流检测、电源电压反馈和芯片温度检测，还能检测过载、接地短路、VCC短路和关断状态下的开路负载。

1+
￥14.29
10+
￥11.99
30+
￥10.55
100+
￥9.07

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型号：BTS6142D 编号：C534820

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道高端功率开关（12 mΩ），采用PG-TO252-5-11功率封装，提供包括ReverSave™在内的嵌入式保护功能。ReverSave™是一种保护功能，可在反极性情况下使功率晶体管导通，从而降低功耗。具有电流控制输入，并通过负载电流检测提供诊断反馈。设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术。

数据手册

1+
￥14.8975 ￥25.25
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￥12.3725 ￥25.25
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￥9.8475 ￥25.25

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型号：ASK831BSA 编号：C48886551

封装：SOT-23-3L

品牌：无锡众享

ASK831BSA是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。芯片内部最小Toff时间固定为32us且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。采用高压集成工艺，内部集成有500V高压MOSFET，适用于小家电和辅助电源应用场合所需的离线式降压电路和升降压电路，也可用于线性电源的替代型电源。芯片采用开关式峰值电流模式控制，默认5V高精度输出时最大程度降低了系统成本。此外，芯片经过内部优化，可兼容超低压输入(15Vdc以上)应用。