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OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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型号：BTS4142N 编号：C112634

封装：SOT-223

N 通道垂直功率 FET，带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

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￥15.58
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型号：LTC4359CMS8#TRPBF 编号：C688235

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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型号：ETA7014S2G 编号：C7465500

封装：SOT23-6

品牌：ETA(钰泰)

ETA7014是一款36V高压过压保护器（OVP），其导通电阻极低，仅为35mΩ。只需改变外部连接，它即可用作过压保护器件或高压开关。ETA7014由电荷泵、可配置功率MOSFET、电压基准、栅极驱动器以及一些逻辑和保护模块组成

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￥0.8275
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型号：TPNTGD1100LT1G 编号：C5371024

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

输入电压范围为1.8V至8V。逻辑电平控制范围为1.5V至8V。采用低轮廓、小尺寸的SOT23-6封装。输入开关具有2000V ESD保护。可调转换速率

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型号：TPSI1869DH-T1-E3 编号：C5246384

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话

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￥1.0391
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型号：TPMAX40200ANS+T 编号：C47117620

封装：WLCSP-4L(0.8x0.8)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

输入电压:2.5V-5.5V;输出电流:2A;1个通道.

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￥1.192155 ￥1.2549
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型号：AP22653W6-7 编号：C2158037

封装：SOT-26

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

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￥1.5978
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型号：AP22615AWU-7 编号：C2680357

封装：TSOT-23-6

AP22815/615是3A单通道、带输出过压保护（OVP）的限流高端功率开关，针对USB和其他热插拔应用进行了优化。AP22815/615符合USB标准，使能输入有两种极性可选。该器件还具备固定和可调限流功能，针对需要精确限流支持的应用进行了优化

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型号：BTS3410G 编号：C150926

封装：SOIC-8

智能SIPMOS技术中的N通道垂直功率FET

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￥3.22
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型号：BTS70802EPAXUMA1 编号：C3232436

封装：TSSOP-14-EP-150mil

BTS7080 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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￥6.948 ￥7.72
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型号：VND5E160AJTR-E 编号：C2150171

封装：PowerSSO-12

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于汽车应用

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￥7.13
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型号：IPS4260LTR 编号：C2149957

封装：HTSSOP-20-EP

IPS4260L是一款单片高速（最高开关频率达250 kHz）器件，可驱动四个独立的容性、阻性或感性负载，负载的一端连接到电源电压。各通道可并联以降低功耗。当连接到Vcc电源轨时，四个集成的续流二极管可钳位感性负载（即使电感值很大）产生的关断瞬态；结合连接到VCC或GND的合适外部瞬态电压抑制器（TVS），该集成电路也能实现快速衰减

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￥7.31
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型号：VNL5050S5TR-E 编号：C2149847

封装：SO-8

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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￥7.61
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￥6.94
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型号：ITS4141N 编号：C538473

封装：SOT-223-4

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

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￥9.55
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￥8.05
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型号：NCP45524IMNTWG-H 编号：C603740

封装：WFDFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关提供了一种组件和面积减少的解决方案，通过软启动实现带涌流限制的高效电源域切换。这些设备设计为在一个封装中集成控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的电源MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

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￥9.67
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￥3.22

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型号：BTS452RATMA1 编号：C7466796

封装：TO-252-5

N 沟道垂直功率 FET 采用电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈，通过 Smart SIPMOS 技术进行单片集成，提供嵌入式保护功能。

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￥6.31

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型号：VNLD5090TR-E 编号：C222209

封装：SO-8

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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￥11.25
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型号：TPD2015FN,L1F(S 编号：C5353808

封装：SSOP-30-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TPD2015FN是一款带有MOSFET输出的高端开关阵列（8通道）。这是一款单片功率IC，可直接由CMOS、TTL逻辑电路（如MCU等）驱动，具备过流和过温保护功能。

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￥14.54
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￥8.55
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￥8.26

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型号：VN750PTTR-E 编号：C2149771

封装：TO-252-5

VN750 - E 是一款采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件，用于驱动一侧接地的各类负载。VCC 引脚有源电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合，有助于保护器件免受过载影响

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￥15.34
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￥11.89
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￥9.93
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￥9.66

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型号：BTS716G 编号：C85135

封装：DSO-20

N通道垂直功率MOSFET，带有电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈，采用智能SIPMOs技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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￥20.9
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￥17.86
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￥16.05
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型号：LTC4359HDCB#TRPBF 编号：C688238

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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￥26.6
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￥25.27
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￥22.33
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￥21.53
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￥21.15
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￥20.99

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型号：LTC4417IUF#TRPBF 编号：C688510

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

连接三个有效电源之一到公共输出端，基于引脚分配定义优先级，V1 优先级最高，V3 最低。当电源电压在过压 (OV) 和欠压 (UV) 窗口内持续至少 256ms 时被定义为有效。若最高优先级有效输入超出 OV/UV 窗口，该通道立即断开，次高优先级有效输入连接到公共输出。两个或多个可级联以实现三个以上输入之间的切换。集成快速非重叠开关电路，防止反向和交叉传导，同时最小化输出下垂。栅极驱动器包括 6V 钳位以保护外部 MOSFET。受控输出斜坡功能可最小化启动浪涌电流。开漏 VALID 输出指示输入电源已在其 OV/UV 窗口内保持 256ms。

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￥52.87
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￥45.47
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￥40.97
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￥37.19

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型号：TPS2553DRVR 编号：C138719

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS2553 高电平有效且具有反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节ILIMIT、2.5-6.5V、85mΩ USB 电源开关

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￥1.2154
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￥0.9458
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￥0.8302
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￥0.686
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￥0.6218

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型号：AP2553AW6-7 编号：C441827

封装：SOT-26

单通道精密可调限流开关，适用于需要精密限流的应用，或在重载/短路时提供高达2.1A的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻在75mA至2.36A（典型值）之间设置可编程的电流限制阈值。在高电流限制设置下，可实现±6%的电流限制精度。控制上升和下降时间，以最大程度减少关断期间的电流浪涌

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￥1.4895
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￥1.1634
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￥1.0236
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￥0.8492
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￥0.7327
6000+
￥0.6861

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型号：AP22652W6-7 编号：C2158038

封装：SOT-26